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邓兵

作品数：20 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：一般工业技术交通运输工程电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 20篇中文专利

领域

  • 4篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 14篇石墨
  • 12篇石墨烯
  • 6篇单晶
  • 6篇平整
  • 6篇金属
  • 4篇电镜
  • 4篇射电
  • 4篇铜箔
  • 4篇透射电镜
  • 4篇晶面
  • 4篇刻蚀
  • 4篇高分辨成像
  • 4篇成像
  • 3篇气相
  • 3篇气相沉积
  • 3篇金属基
  • 3篇化学气相
  • 3篇化学气相沉积
  • 2篇单晶薄膜
  • 2篇单晶铜

机构

  • 20篇北京大学

作者

  • 20篇彭海琳
  • 20篇邓兵
  • 10篇刘忠范
  • 2篇杨皓

年份

  • 2篇2021
  • 1篇2020
  • 8篇2019
  • 7篇2017
  • 2篇2016
共 20 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
控制晶面暴露取向的单晶铜箔的制备方法
本发明公开了一种控制晶面暴露取向的单晶铜箔的制备方法。本发明使用一种简单易行、技术门槛低的动态退火方法，且使用工业界丰富的廉价易得的未除去残余应力的多晶铜箔，并在简单控制气氛和表面状态的条件下快速高效地制备出晶面取向可控...
彭海琳杨皓邓兵郑黎明
文献传递
一种CVD石墨烯向塑料基底卷对卷转移的方法及装置
本发明公开了一种CVD石墨烯向塑料基底卷对卷转移的方法及装置。石墨烯向塑料基底转移的方法包括如下步骤：1)通过化学气相沉积法在金属基底表面生长石墨烯；2)在氧气存在的条件下，对表面生长有石墨烯的金属基底进行加热；3)复合...
刘忠范邓兵彭海琳
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控制晶面暴露取向的单晶铜箔的制备方法
本发明公开了一种控制晶面暴露取向的单晶铜箔的制备方法。本发明使用一种简单易行、技术门槛低的动态退火方法，且使用工业界丰富的廉价易得的未除去残余应力的多晶铜箔，并在简单控制气氛和表面状态的条件下快速高效地制备出晶面取向可控...
彭海琳杨皓邓兵郑黎明
一种制备超平整铜单晶薄膜的方法
本发明公开了一种制备超平整铜单晶薄膜的方法。本发明提供的制备铜单晶薄膜的方法，包括如下步骤：以蓝宝石单晶作为生长基底，磁控溅射铜靶，退火，得到所述铜单晶薄膜。本发明采用蓝宝石作为铜的外延生长基底，采用磁控溅射的方法，在c...
彭海琳邓兵刘忠范
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一种制备超平整石墨烯的方法
本发明公开了一种制备超平整石墨烯的方法。该方法包括如下步骤：对铜箔进行抛光后退火至所述铜箔取向占优的晶面为(111)，再进行石墨烯的生长，停止生长得到所述平整石墨烯。本发明采用平整铜箔的(111)晶面以及合适的化学反应窗...
彭海琳邓兵刘忠范
一种高导电性石墨烯薄膜及其制备方法
本发明公开了一种高导电性石墨烯薄膜及其制备方法。所述制备方法包括如下步骤：沿载气的气流方向，将石墨烯薄膜/铜箔复合膜结构和聚丙烯腈纤维膜/铜箔复合膜结构依次置于石英腔体中，通入载气并升温，在真空条件下进行气相反应，即得到...
彭海琳党文辉邓兵
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一种石墨烯和金属纳米线复合透明导电塑料薄膜及其制备方法与应用
本发明公开了一种石墨烯和金属纳米线复合透明导电塑胶薄膜及其制备方法与应用，包括如下步骤：1)利用化学气相沉积法在铜基底上沉积石墨烯，得到铜基底/石墨烯薄膜复合结构；2)在塑胶衬底表面涂布金属纳米线，即可得到金属纳米线/塑...
彭海琳邓兵刘忠范
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一种CVD石墨烯向塑料基底卷对卷转移的方法及装置
本发明公开了一种CVD石墨烯向塑料基底卷对卷转移的方法及装置。石墨烯向塑料基底转移的方法包括如下步骤：1)通过化学气相沉积法在金属基底表面生长石墨烯；2)在氧气存在的条件下，对表面生长有石墨烯的金属基底进行加热；3)复合...
刘忠范邓兵彭海琳
一种高导电性石墨烯薄膜及其制备方法
本发明公开了一种高导电性石墨烯薄膜及其制备方法。所述制备方法包括如下步骤：沿载气的气流方向，将石墨烯薄膜/铜箔复合膜结构和聚丙烯腈纤维膜/铜箔复合膜结构依次置于石英腔体中，通入载气并升温，在真空条件下进行气相反应，即得到...
彭海琳党文辉邓兵
一种制备超平整石墨烯的方法
本发明公开了一种制备超平整石墨烯的方法。该方法包括如下步骤：对铜箔进行抛光后退火至所述铜箔取向占优的晶面为(111)，再进行石墨烯的生长，停止生长得到所述平整石墨烯。本发明采用平整铜箔的(111)晶面以及合适的化学反应窗...
彭海琳邓兵刘忠范
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