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肖标
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TCL集团股份有限公司
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合作作者
付东
tcl集团股份有限公司
谢相伟
tcl集团股份有限公司
闫晓林
tcl集团股份有限公司
李雪
tcl集团股份有限公司
陈亚文
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QLED与TFT集成器件及其制备方法
本发明适用于平板显示技术领域,提供了一种QLED与TFT集成器件及其制备方法。所述QLED与TFT集成器件,包括TFT阵列基板和QLED,所述TFT阵列基板包括从下往上依次设置的衬底、栅极、绝缘层、半导体层和源/漏极层,...
肖标
闫晓林
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不含ITO的QLED及其制备方法
本发明适用于量子点发光二极管领域,提供了一种不含ITO的QLED及其制备方法。所述不含ITO的QLED包括依次层叠设置的衬底载体、阴极层、第一非共轭聚电解质层、电子注入层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极层,其...
肖标
付东
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一种空穴注入层的制作方法、空穴注入层及QLED器件
本发明公开一种空穴注入层的制作方法、空穴注入层及QLED器件,其中,方法包括步骤:A、对ITO衬底基板进行清洗,然后干燥;B、将ITO衬底基板进行表面处理;C、将过渡族金属氧化物附着于ITO衬底基板的表面,作为QLED器...
肖标
付东
谢相伟
高卓
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一种喷墨打印用的量子点油墨及制备方法与量子点发光层
本发明公开一种喷墨打印用的量子点油墨及制备方法与量子点发光层,其按重量百分数计,所述量子点油墨组分包括:发色剂量子点0.1‑20.0%、两性电荷传输剂0.1‑10.0%、溶剂40.0‑60.0%、分散剂0‑5%及粘度调节...
李雪
谢相伟
宋晶尧
肖标
付东
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量子点发光场效应晶体管及其制备方法
本发明适用于半导体技术领域,提供了一种量子点发光场效应晶体管及其制备方法。所述量子点发光场效应晶体管,包括一栅极,所述栅极在一侧凸出形成栅极凸台;设置在所述栅极上的绝缘层,且所述绝缘层不与所述栅极凸台接触;设置在所述绝缘...
肖标
付东
闫晓林
文献传递
一种具有混合HTL的量子点发光二极管及其制备方法
本发明公开一种具有混合HTL的量子点发光二极管及其制备方法,其自下而上依次包括:阳极,空穴注入层,混合空穴传输层,量子点发光层,电子传输层,电子注入层及阴极;其中,所述混合空穴传输层的材料是由两种或者两种以上具有不同功能...
肖标
付东
谢相伟
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一种量子点发光二极管及其制备方法
本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法,其自下而上依次包括:衬底、阳极层、空穴注入功能层、量子点发光层、电子传输层及阴极层,其中,所述空穴注入功能层由空穴注入层或空穴传输层中引入全氟离子聚合物形成。本发明通过在空穴注...
陈亚文
谢相伟
肖标
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一种喷墨打印用的量子点油墨及制备方法与量子点发光层
本发明公开一种喷墨打印用的量子点油墨及制备方法与量子点发光层,其按重量百分数计,所述量子点油墨组分包括:发色剂量子点0.1-20.0%、两性电荷传输剂0.1-10.0%、溶剂40.0-60.0%、分散剂0-5%及粘度调节...
李雪
谢相伟
宋晶尧
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付东
交流驱动QLED及其制备方法
本发明适用于量子点二极管发光领域,提供了一种交流驱动QLED及其制备方法。所述交流驱动QLED包括阳极层、量子点发光层和阴极层,还包括第一介电层、第二介电层、第一p-n结型电荷产生层和第二p-n结型电荷产生层,所述第一介...
肖标
付东
谢相伟
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量子点油墨及其制备方法、量子点发光二极管
本发明适用于量子点发光技术领域,提供了量子点油墨及其制备方法、量子点发光二极管。以所述量子点油墨的重量百分含量为100%计,所述量子点油墨包含如下重量百分含量的下述组分:量子点0.1-20.0%;电荷传输剂0.1-15....
李雪
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