冯卫
- 作品数：14 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国工程物理研究院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术医药卫生理学更多>>
- 六角相三氧化二铈单晶薄膜及其制备方法与应用
- 本发明提供了一种六角相三氧化二铈单晶薄膜的制备方法，包括以下步骤：提供反应腔室，所述反应腔室中包括样品台；将铈块装入蒸发源；将所述反应腔室抽真空；加热所述蒸发源；提供钨单晶衬底，对所述钨单晶衬底进行处理以获得原子级平整的...
- 冯卫郝群庆陈秋云刘琴谭世勇
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- 五镓化镍铀单晶体的制备方法、五镓化镍铀单晶体及应用
- 本发明提供了一种五镓化镍铀单晶体的制备方法，包括以下步骤：在一保护气氛下，将原料装入一坩埚中并将带有所述原料的所述坩埚放置于一第一石英管内；将带有所述坩埚的所述第一石英管抽真空并密封；将带有所述坩埚的所述第一石英管装入一...
- 陈秋云谢东华冯卫周锐
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- 用于角分辨光电子能谱实验的机械加压装置及其应用方法
- 本发明提供一种用于角分辨光电子能谱实验的机械加压装置及其应用方法，涉及机械加压设备技术领域，用于角分辨光电子能谱实验的机械加压装置包括调节螺钉、导轨、固定件、弹簧、移动件和滑块，导轨固定设置，固定件固定设置并位于导轨端部...
- 袁登鹏赖新春张云冯卫朱燮刚郝群庆谭世勇吴健
- 五铜化铀单晶薄膜的制备方法、五铜化铀单晶薄膜及应用
- 本发明提供了一种五铜化铀单晶薄膜的制备方法，包括以下步骤：提供一反应腔室，所述反应腔室中包括一样品台；将一铀块装入一蒸发源，并将装有所述铀块的所述蒸发源安装至所述反应腔室中；将所述反应腔室抽真空；加热所述蒸发源以去除所述...
- 冯卫陈秋云刘琴谭世勇
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- 一种三钌化铀超导单晶薄膜及其制备方法和应用
- 本发明公开了一种三钌化铀超导单晶薄膜及其制备方法和应用，包括如下步骤：步骤S1：将高纯铀块与钌单晶衬底相向放置在真空室内；步骤S2：将步骤S1中的高纯铀块在高真空条件下去除杂质；步骤S3：热蒸发、氩离子溅射或脉冲激光处理...
- 冯卫杨向飞郝群庆陈秋云谭世勇
- 一种制备立方相三氧化二铈单晶薄膜的方法
- 本发明属于薄膜制备领域。公开一种制备立方相三氧化二铈单晶薄膜的方法。该三氧化二铈为(Mn<Sub>0.5</Sub>Fe<Sub>0.5</Sub>)<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>结构，空间群为206...
- 冯卫刘琴谢东华朱燮刚陈秋云谭世勇
- 金属铀单晶薄膜的制备及其电子结构的研究
- 研究并深入理解5f电子的关联性是锕系材料实验和理论研究的重点,对于锕系材料而言,由于其具有一定的放射性和较高的化学反应活性,使得较难获得干净且质量较好的样品,尤其是单晶样品。本文采用溅射退火的方法获得了干净有序的W(11...
- 陈秋云冯卫谭世勇罗丽珠谢东华赖新春
- 关键词：STMARPESDFT
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- 五铜化铀单晶薄膜的制备方法、五铜化铀单晶薄膜
- 本发明提供了一种五铜化铀单晶薄膜的制备方法，包括以下步骤：提供一反应腔室，所述反应腔室中包括一样品台；将一铀块装入一蒸发源，并将装有所述铀块的所述蒸发源安装至所述反应腔室中；将所述反应腔室抽真空；加热所述蒸发源以去除所述...
- 冯卫陈秋云刘琴谭世勇
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- 一种USb<Sub>2</Sub>单晶的助熔剂生长方法及制备的产品
- 本发明公开了一种USb<Sub>2</Sub>单晶的助熔剂生长方法及制备的产品，目的在于解决采用常规单晶制备方法难以克服坩埚或模具本身杂质对材料熔体的影响，无法满足USb<Sub>2</Sub>单晶制备的需要，且由于铀的...
- 谢东华张文刘毅张云冯卫谭世勇
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- 金属Ce的电子结构与γ-α相变机制:理论模型的发展及借助角分辨光电子能谱的实验研究进展
- 2019年
- 含f电子的镧系和锕系元素是元素周期表中最复杂的成员,他们常常表现出奇异的物理特性。其中最简单而具代表性的就是金属Ce的γ-α相变,该相变不仅晶体结构保持面心立方(fcc)不变,而且伴随有约15%的体积塌缩和磁性变化(γ-Ce为遵循Curie-Weiss定理的顺磁体,而α-Ce具有Pauli顺磁性)。多年来,大量理论和实验研究都致力于理解这一奇特相变的微观机制,理论上曾提出了三种解释该相变的模型,包括跃迁模型(Promotional model)、类Mott转变模型和Kondo模型。其中跃迁模型已因与实验结果不符而被摈弃,而类Mott转变模型主要强调f-f电子的相互作用在相变过程中的变化,Kondo模型则强调相变过程中4f电子与传导电子间相互作用的变化,此二者都在不断发展,至今仍无定论。目前学界基本认同Ce的γ-α相变的奇特性与其特殊电子结构有关。Ce的外层电子结构为4f 15d 16s 2,其中4f电子在实空间是局域,但其能级与价带的5d和6s电子能级的能量接近,造就了4f电子的局域-巡游双重特性,故外界环境的微小变化可能会大大改变Ce的电子结构,进而影响其宏观物理性质。如今,分子束外延技术(MBE)的应用实现了高质量Ce单晶薄膜的制备,结合先进的角分辨光电子能谱(ARPES)可以对Ce的电子结构进行直接观察,便于探究Ce的γ-α相变过程中4f电子的行为,并以此进一步探讨其相变微观机制。此外,Kondo模型具有光电子能谱(PES)可见的特征,且在单杂质安德森模型(SIAM)框架下采用相关计算方法(GS、LDA+U、DMFT等)对Ce的PES特征的理论解释也已较成功地实现,因此Kondo模型逐渐成为目前较为流行的Ce的γ-α相变机制。本文首先简要回顾了Ce的γ-α同构相变的三个主要理论模型,即跃迁模型(Promotional model)、类Mott转变模型和Kondo模型的物理图像及部分实验证据;然后介绍了高质量Ce单晶薄膜的制备方法,并重点分析总�
- 段煜罗学兵张云张文冯卫郝群庆罗丽珠刘琴陈秋云谭世勇朱燮刚赖新春
- 关键词：单晶薄膜电子结构
