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陈庆玲

作品数：2 被引量：3H指数：1
供职机构：烟台大学光电信息科学技术学院更多>>
发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学

主题

  • 1篇第一性原理
  • 1篇第一性原理研...
  • 1篇电子性质
  • 1篇碳化硅
  • 1篇空位缺陷
  • 1篇硼
  • 1篇磁性
  • 1篇磁性材料
  • 1篇GRAPHE...
  • 1篇H-BN

机构

  • 2篇烟台大学
  • 1篇国家自然科学...

作者

  • 2篇戴振宏
  • 2篇陈庆玲
  • 1篇刘悦林
  • 1篇刘兆庆

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇烟台大学学报...

年份

  • 2篇2016
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
双层h-BN/Graphene结构稳定性及其掺杂特性的第一性原理研究被引量：3
2016年
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法研究了双层h-BN/Graphene的稳定性及其掺杂特性.研究发现,双层h-BN/Graphene能带结构在K点处有一个小的带隙,在费米能处有类Graphene的线性色散关系.通过施加应变和掺杂来调节带隙,发现掺杂后费米能级附近引入的新能级,主要是N原子的贡献,掺杂后的Na原子和N,C之间存在电荷转移,材料转变为金属性.电荷的转移、载流子密度的增加,在电子元器件中有重要的应用前景.
陈庆玲戴振宏刘兆庆安玉凤刘悦林
关键词：第一性原理电子性质
缺陷对二维碳化硅结构的影响
2016年
研究了单空位和双空位缺陷对碳化硅结构的影响.缺陷的存在明显地改变了碳化硅结构的带隙,C原子单空位缺陷转变为直接带隙半导体,带隙甚至减少到0.01 e V.通过对体系磁性的计算,我们发现Si原子的单空位缺陷和双空位缺陷均为体系带来了磁性,磁性的产生主要是由于Si原子缺陷的存在使得缺陷周围的C原子在缺陷处产生了未成对电子,从而体系产生了磁性.
安玉凤戴振宏陈庆玲
关键词：磁性材料碳化硅空位缺陷
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共1页<1>
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