朱文亮
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
- 供职机构：郑州大学物理工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- 纳米氧化铟/硅纳米孔柱阵列的酒敏特性
- 2017年
- 以硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)为衬底、高纯金属铟为铟源,采用化学气相沉积法制备了氧化铟(In_2O_3)/Si-NPA复合纳米体系,并对其表面形貌和结构进行了表征.结果表明,In_2O_3/Si-NPA中In_2O_3具有体心立方结构,其薄膜由粒径为100~400 nm的纳米颗粒和长约为1μm、直径约为300 nm的纳米棒组成,而这些纳米颗粒、纳米棒均由平均粒径约为19 nm的In_2O_3纳米晶粒组成.气体传感性能测试结果表明,In_2O_3/Si-NPA对低含量酒精具有较高的响应度和良好的选择性.当酒精的体积分数为2×10^(-6)时,器件的响应值达到463%,响应和恢复时间分别为15 s和8 s.
- 朱文亮王伶俐王文闯冯明海刘伟康李新建
- 关键词：硅纳米孔柱阵列氧化铟气体传感器
- 基于硅纳米孔柱阵列氮化镓纳米结构的光致发光特性
- 2017年
- 以硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)为衬底,采用化学气相沉积技术在不同条件下制备了GaN/Si-NPA,并对其表面形貌和结构进行了表征.结果表明,随着制备温度和氨气流量的升高,GaN/Si-NPA中GaN纳米结构的形貌发生显著变化,特征尺寸逐渐变大.对样品光致发光谱的测试结果表明,不同温度制备的GaN/Si-NPA均具有紫外光、黄光和红光3个发光带,但发光带的强度、峰位和半高宽随制备温度发生变化.对GaN/Si-NPA的光致发光过程与发光机制进行了分析,通过改变制备条件可以对其光致发光特性实现有效调控.
- 刘伟康杜蕊朱文亮冯明海李新建
- 关键词：硅纳米孔柱阵列氮化镓光致发光
