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王海珠

作品数：53 被引量：29H指数：2
供职机构：长春理工大学更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金北京市重点实验室开放基金更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 50篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 11篇电子电信
  • 4篇理学
  • 1篇机械工程

主题

  • 32篇激光
  • 25篇激光器
  • 23篇半导体
  • 16篇半导体激光
  • 16篇半导体激光器
  • 9篇光栅
  • 9篇波导
  • 8篇光束
  • 7篇面发射
  • 7篇空心光束
  • 7篇光学
  • 7篇波长
  • 6篇光源
  • 5篇应用光学
  • 5篇势垒
  • 5篇势垒层
  • 5篇势阱
  • 4篇单管
  • 4篇电极
  • 4篇腔面

机构

  • 53篇长春理工大学
  • 2篇东北师范大学
  • 1篇吉林大学
  • 1篇清华大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 53篇王海珠
  • 46篇范杰
  • 44篇马晓辉
  • 41篇邹永刚
  • 24篇石琳琳
  • 20篇张贺
  • 16篇金亮
  • 12篇田锟
  • 10篇徐莉
  • 9篇赵鑫
  • 8篇王登魁
  • 6篇房丹
  • 6篇李洋
  • 6篇王晓华
  • 6篇方铉
  • 5篇唐吉龙
  • 5篇李金华
  • 4篇白云峰
  • 3篇王小龙
  • 3篇楚学影

传媒

  • 1篇中国激光
  • 1篇吉林大学学报...
  • 1篇中国光学

年份

  • 9篇2024
  • 3篇2023
  • 7篇2022
  • 6篇2021
  • 6篇2020
  • 11篇2019
  • 2篇2018
  • 5篇2017
  • 4篇2016
共 53 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
单晶钙钛矿材料及其制备方法和窄带光响应探测器
本申请提供一种单晶钙钛矿材料及其制备方法和窄带光响应探测器。单晶钙钛矿材料，包括钙钛矿单晶和包覆在其表面的金属氧化物膜层；钙钛矿单晶包括通式为MAPbX<Sub>3</Sub>的化合物中的一种或多种。单晶钙钛矿材料的制备...
方铉张倩文王登魁房丹田丰王海珠范杰李金华翟英娇楚学影王晓华
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多对具有各自分光镜阶梯排布单管合束半导体激光器
多对具有各自分光镜阶梯排布单管合束半导体激光器属于半导体激光器技术领域。现有技术光束质量差。本发明其特征在于，在两个阶梯热沉的每个台阶上均安装有一个单管半导体激光器，并且，在两个阶梯热沉高度相同台阶上的一对单管半导体激光...
邹永刚田锟赵鑫海一娜马晓辉徐莉李洋金亮魏志鹏王海珠
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一种基于液晶的高对比光栅结构
本发明属于光电子技术领域，具体涉及一种基于液晶的高对比光栅结构，包括介质基底层和光栅层；所述光栅层设置在介质基底层上，所述光栅层的空隙处填充液晶。本发明一种基于液晶的高对比光栅结构，其实现了液晶与光栅的高效耦合，解决了微...
徐莉郑舟石琳琳邹永刚马晓辉范杰王海珠
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一种非稳腔半导体激光器及其制备方法
本申请属于半导体激光器技术领域，特别是涉及一种非稳腔半导体激光器及其制备方法。目前的非稳腔半导体激光器的制作过程涉及复杂的曲线腔面工艺，增加了器件的成本和工艺复杂性，难以实现推广。本申请提供了一种非稳腔半导体激光器，包括...
邹永刚田锟范杰石琳琳张贺王海珠兰云萍徐英添马晓辉金亮徐睿良
基于量子化学理论研究氯代阻燃剂得克隆的降解路径
2016年
以零价金属Al和石英砂(SiO_2)为添加剂,采用机械化学法及基于密度泛函理论的量子化学方法,计算阻燃剂得克隆结构中所有的C—Cl键的键级和解离能,推测其可能脱Cl的位置,并将其降解,得到了得克隆降解的主要路径.
王海珠海一娜徐莹杜泊船张思玉范杰
关键词：有机污染物量子化学计算
一种非稳腔半导体激光器及其制备方法
本申请属于半导体激光器技术领域，特别是涉及一种非稳腔半导体激光器及其制备方法。目前的非稳腔半导体激光器的制作过程涉及复杂的曲线腔面工艺，增加了器件的成本和工艺复杂性，难以实现推广。本申请提供了一种非稳腔半导体激光器，包括...
邹永刚田锟范杰石琳琳张贺王海珠兰云萍徐英添马晓辉金亮徐睿良
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一种调控InGaP有序度的生长方法
本申请涉及半导体材料技术领域，更具体地说，它涉及一种调控InGaP有序度的生长方法，所述方法通过掺杂Zn来调控InGaP的有序度，生长结构依次层叠为衬底，GaAs为缓冲层，低温550℃条件下InGaP为缓冲层，InGaP...
王海珠吕明辉范杰徐睿良付曦瑶方铉王登魁
一种基于掩埋金属掩膜的脊表面光栅制作方法
本发明涉及半导体激光器技术领域，尤其涉及一种基于掩埋金属掩膜的脊表面光栅制作方法，包括以下步骤：在基片的指定区域上形成具有光栅图形的掩埋金属掩膜；在掩埋金属掩膜之上形成具有脊波导图形的光刻胶掩膜，并基于光刻胶掩膜刻蚀形成...
范杰刘莹邹永刚王海珠马晓辉石琳琳赵鑫徐英添兰云萍商宇
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一次外延生长双波长半导体激光器
本发明公开了一次外延生长双波长半导体激光器，其包括泵浦光垂直腔、被激发垂直腔及GaAs衬底。泵浦垂直腔同时产生上下方向出光功率可调的激光，上方向出射的激光作为泵浦光进入被激发垂直腔中，光泵浦被激发垂直腔激光器的激射，从而...
王海珠侯春鸽范杰邹永刚马晓辉李洋赵鑫张贺王小龙
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一种面发射分布反馈激光器
本发明公开了一种面发射分布反馈激光器，包括制作在同一外延芯片上的多个激光器单管，多个所述激光器单管呈阵列分布，每个所述激光器单管包括自上而下依次分布的上电极、衬底、中间层、光栅层和下电极；光栅弯波导，连接在两个所述激光器...
邹永刚田锟石琳琳马晓辉王海珠范杰徐莉海一娜白云峰
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