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孙令: 作品数：15 被引量：2H指数：1; 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金中国航空科学基金中国博士后科学基金更多>>; 相关领域：电子电信理学医药卫生电气工程更多>>

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宽谱调节GaSb基InAsSb量子阱带间跃迁短波红外探测器: 基于近期实验中发现的受限光生载流子的高效抽取及其导致的吸收增强现象,InAsSb/GaSb 这种具有Ⅱ 类能带结构的量子阱材料将有望作为一种新型的红外探测器材料,在高工作温度红外探测领域取得应用.本文通过能带计算发现,I...; 孙令王禄刘洁陈弘贾海强王文新

InAsSb/GaSb带间跃迁量子阱红外探测器研究: 红外探测技术发展至今,已经在社会生产和生活、科学研究,尤其是国防军事等领域得到了广泛应用。伴随着半导体工业的进步和发展,以碲镉汞材料为代表的光子型红外探测器凭借着响应速度快、灵敏度高等优点在红外制导、侦察、遥感等方面发挥...; 孙令; 关键词：分子束外延红外探测器带间跃迁; 文献传递

量子阱带间跃迁探测器基础研究(特邀): 2021年; 在最近的实验中,PN结型量子阱结构被观察到反常的载流子输运情况,其相应的物理机制和载流子输运模型被提出。通过系统实验观察到,PN结量子阱结构材料在共振激发模式下,仍可测出开路电压或短路电流。对比开路和短路情况下的光致荧光(PL)光谱,发现短路下PL强度明显降低。这说明短路状态下的光生载流子没有被限制在量子阱内,而是逃逸出结区。这种载流子逃出量子阱的现象却没有在等量偏压下的NN型量子阱结构中发现,说明载流子逃出量子阱并非由传统的热激发或隧穿的作用导致。据此,笔者提出了相应的物理机制和载流子输运模型对此现象进行解释,认为光生载流子能在PN结内建电场的作用下直接逃出量子阱,并且辐射复合发光发生在载流子逃逸过程之后。; 岳琛杨浩军吴海燕李阳锋孙令邓震杜春花江洋江洋马紫光贾海强贾海强; 关键词：探测器载流子输运

As元素分子态对InGaAs/AlGaAs量子阱红外探测器性能的影响被引量：1: 2018年; 对As_2和As_4两种不同分子态下利用分子束外延技术(MBE)生长的单层AlGaAs薄膜和GaAs基InGaAs/AlGaAs量子阱红外探测器(QWIP)的性能进行了研究,发现As2条件下生长的单层AlGaAs材料荧光强度更大、深能级缺陷密度更低;相对于As4较为复杂的吸附、生长机制引入的缺陷,在As2条件下生长的InGaAs/AlGaAs QWIP具有更低的暗电流密度、更好的黑体响应、更高的比探测率和更优异的器件均匀性。生长制备的InGaAs/AlGaAs QWIP在60K的工作温度、-2V偏压下,暗电流密度低至7.8nA/cm^2,光谱响应峰值波长为3.59μm,4V偏压下峰值探测率达到1.7×1011 cm·Hz1/2·W-1。另外,通过As元素的不同分子态下InGaAs/AlGaAs QWIP光响应谱峰位的移动可以推断出As元素的不同分子态也会影响In的并入速率。; 方俊孙令刘洁; 关键词：分子束外延暗电流

多量子阱红外探测器: 本发明涉及多量子阱红外探测器。根据一实施例，一种多量子阱红外探测器可包括：第一半导体层，其具有第一导电类型；第二半导体层，其具有第二导电类型，所述第二导电类型不同于所述第一导电类型；以及多量子阱层，设置在所述第一半导体层...; 孙令王禄马紫光江洋王文新贾海强陈弘

分子束外延生长InAsSb材料的组分控制: 采用分子束外延方法在GaSb衬底上生长了不同组分的InAs1-xSbx外延层.实验发现,在生长InAsSb薄膜时,Sb束流相比As束流具有更高的并人能力.利用这一特点,成功实现了双Ⅴ族材料InAsSb薄膜材料的组分控制....; 孙庆灵王禄王文奇孙令王文新贾海强陈弘

基于量子阱带间跃迁的红外探测器: 体材料带间跃迁和量子阱子带间跃迁，是目前红外探测器常采用的两种工作机制.而基于低维半导体材料带间跃迁工作机制的探测器，一直以来被认为不具有制备高性能器件的可能性.主要原因在于：1 光生载流子克服量子阱势垒限制，将损失量子...; 王禄孙令刘洁鲁金蕾江洋马紫光贾海强王文新陈弘

1.0eV GaAs基InAs量子点太阳能电池: 2017年; 三结InGaP/GaAs/Ge太阳能电池理论设计中加入带隙为1.0 eV的材料代替带隙为1.4 eV的GaAs中间电池有助于解决多结串联电池的电流阻塞效应实现电流匹配,然而带隙为1.0 eV的InGaAs和GaInNAs外延困难.我们利用分子束外延方法外延得到In0.15Ga0.85As量子阱,InAsdots-in-well量子点以调整太阳能电池带隙.X射线衍射谱中观察到了量子阱的多级卫星衍射峰,量子阱界面陡峭.扫描透射图显示量子点呈金字塔状,量子点的高度约为12 nm,底边长约为27 nm.由原子力显微镜图可知,量子点密度约为2×10^(10) cm^(-2).低温光致发光谱显示量子点在As4束流下呈双模分布.光电流响应谱显示InAsdots-in-well量子点太阳能电池吸收波长可以达到1300 nm,相应于带隙约为1.0 eV.器件J-V特性显示短路电流相比于GaA s标准p-i-n电池增加了37.8%.这表明该InAsdots-in-well量子点太阳能电池有望改善多结太阳能电池的设计中的电流阻塞效应,实现电流匹配,在多结太阳能电池的设计中具有广阔的应用前景.; 王文奇王禄王禄马紫光江洋刘洁马紫光贾海强孙令; 关键词：量子点太阳能电池

GaSb/InGaAs/InAlAs量子点中Sb元素偏析的纳米级调制: Sb元素的偏析在Sb化物低维半导体材料极为明显.Sb元素偏析导致低维半导体材料中组分基线展宽,从而形成更宽的激射峰宽以及更弱的量子限制效应.在本文中我们报道,利用分子束外延生长于InP衬底上的GaSb量子点的偏析可通过应...; 王禄孙令孙庆灵王文奇常云杰王文新陈弘

基于p-n结中反常光电转换现象的新型带间跃迁量子阱红外探测器被引量：1: 2018年; 实验发现p-n结中局域载流子具有极高抽取效率,同时伴随着吸收系数的大幅度增加.本文报道上述现象的发现和验证过程,以及基于此现象的新型带间跃迁量子阱红外探测器(interband transition quantum well infrared detector,IQWIP)原型器件的性能.采用共振激发光致发光光谱技术,在InGaN量子阱、InGaAs量子阱、InAs量子点等多个材料体系中均观察到了在p-n结电场作用下的载流子高效逃逸现象,抽取效率分别为95%,87.5%,88%.利用含有InGaAs/GaAs多量子阱的PIN二极管,实验尝试了制备新型的IQWIP原型器件.在无表面减反射膜的实验条件下,利用仅100 nm的有效吸收厚度,实现了31%的外量子效率.基于这个数值推算得到量子阱的光吸收系数达到3.7×10~4cm^(-1),该数值高于传统透射实验测量体材料和量子阱结果.此外,还利用InAsSb/GaSb量子阱材料体系进行了2μm以上波长红外探测的探索.利用上述现象,有望在提高现有器件性能的同时开发出新颖的光-电转换器件.; 刘洁王禄王禄孙令吴海燕王文奇马紫光王文新江洋马紫光; 关键词：带间跃迁 P-N结载流子输运光致发光