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赵梅

作品数：12 被引量：0H指数：0
供职机构：天津大学更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 4篇正六边形
  • 4篇石墨
  • 4篇石墨烯
  • 4篇石墨坩埚
  • 4篇坩埚
  • 4篇六边形
  • 4篇楼盖
  • 4篇晶面
  • 4篇半导体
  • 4篇衬底
  • 3篇三角形网格
  • 3篇网格
  • 3篇楼盖结构
  • 3篇蜂窝
  • 2篇电输运
  • 2篇电输运性质
  • 2篇电子束蒸发
  • 2篇电子束蒸发法
  • 2篇蒸发法
  • 2篇输运

机构

  • 12篇天津大学
  • 4篇贵州大学
  • 4篇河北工业大学
  • 4篇天津市金万方...

作者

  • 12篇赵梅
  • 4篇赵健
  • 4篇肖建春
  • 4篇赵殿刚
  • 2篇张凯敏
  • 2篇李睿
  • 2篇朱晓东
  • 2篇董刚

年份

  • 1篇2023
  • 2篇2022
  • 4篇2021
  • 1篇2019
  • 4篇2015
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
以非极性晶面SiC为衬底的单层石墨烯及可控生长方法
一种以非极性晶面SiC为衬底的单层石墨烯及可控生长方法，所述可控生长方法是在非极性晶面SiC衬底的任意角度的非极性晶面上外延生长单层石墨烯，由此利用所述非极性晶面对石墨烯的电输运性质进行调控；通过所述可控生长方法能够在所...
马雷沃尔特·亚历山大·德斯海尔纪佩璇张凯敏赵健赵梅
文献传递
具有原子级台阶形貌的4H-SiC材料及其刻蚀方法
本发明属于半导体材料技术领域，公开了一种具有原子级台阶形貌的4H‑SiC材料及其刻蚀方法，在4H‑SiC材料的(0001)晶面上，利用特殊设计的石墨坩埚，采用两步氢刻蚀方法进行刻蚀，从而对4H‑SiC(0001)晶面形貌...
马雷李睿赵梅张真真董刚
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一种晶圆级单层硼烯的制备方法及晶圆级单层硼烯
本发明提供了一种晶圆级单层硼烯的制备方法及该晶圆级单层硼烯，包括以下步骤：S1、在绝缘衬底层上设置第一金属层；S2、采用电子束蒸发法在第一金属层中引入硼原子，沉积得到硼源层；S3、在硼源层的表面设置可与第一金属层互熔的第...
马雷赵梅赵若彤朱晓东
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正六边形蜂窝网格状钢空腹楼盖盒式结构的制造方法
本发明涉及一种正六边形蜂窝网格状钢空腹楼盖盒式结构的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：在工厂车间下料焊接加工构件a、构件b和构件c；将构件a、构件b和构件c运输至施工现场，利用构件a、构件b和构件c组装成为楼盖单元A、...
马克俭赵殿刚肖建春赵梅田稳岺陈志华孙志函张华刚栾焕强曲维佳白志强赵欣陈靖魏艳辉孔丹丹
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一种晶圆级单层硼烯的制备方法及晶圆级单层硼烯
本发明提供了一种晶圆级单层硼烯的制备方法及该晶圆级单层硼烯，包括以下步骤：S1、在绝缘衬底层上设置第一金属层；S2、采用电子束蒸发法在第一金属层中引入硼原子，沉积得到硼源层；S3、在硼源层的表面设置可与第一金属层互熔的第...
马雷赵梅赵若彤朱晓东
正六边形与菱形横向交错式蜂窝网格型楼盖结构及其制造方法
本发明涉及一种正六边形与菱形横向交错式蜂窝网格型楼盖结构，包括钢空腹梁，其特征在于：钢空腹梁交接形成由若干正六边形网格和若干菱形网格组成的蜂窝型平面钢网格，每四个所述正六边形网格包裹一个所述菱形网格，所述蜂窝型平面钢网格...
马克俭赵殿刚肖建春赵梅田稳岺陈志华孙志函张华刚栾焕强曲维佳白志强赵欣陈靖魏艳辉孔丹丹
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正六边形与菱形纵向交错式蜂窝网格型楼盖结构及其制造方法
本发明涉及一种正六边形与菱形纵向交错式蜂窝网格型楼盖结构，包括钢空腹梁，其特征在于：钢空腹梁交接形成由若干正六边形网格和若干菱形网格组成的蜂窝型平面钢网格，每四个所述正六边形网格包裹一个所述菱形网格，所述蜂窝型平面钢网格...
马克俭赵殿刚肖建春赵梅田稳岺陈志华孙志函张华刚栾焕强曲维佳白志强赵欣陈靖魏艳辉孔丹丹
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一种半导体石墨烯及其制备方法和场效应管
本发明属于半导体器件的制造或处理技术领域，公开了一种半导体石墨烯及其制备方法和场效应管，在碳化硅衬底的Si面直接生长有半导体石墨烯作为缓冲层，半导体石墨烯为单层且均匀生长，晶畴宽度为50‑200μm，长度在毫米量级；制备...
马雷赵健赵梅肖雪
具有原子级台阶形貌的4H-SiC材料及其刻蚀方法
本发明属于半导体材料技术领域，公开了一种具有原子级台阶形貌的4H‑SiC材料及其刻蚀方法，在4H‑SiC材料的(0001)晶面上，利用特殊设计的石墨坩埚，采用两步氢刻蚀方法进行刻蚀，从而对4H‑SiC(0001)晶面形貌...
马雷李睿赵梅张真真董刚
以非极性晶面SiC为衬底的单层石墨烯及可控生长方法
一种以非极性晶面SiC为衬底的单层石墨烯及可控生长方法，所述可控生长方法是在非极性晶面SiC衬底的任意角度的非极性晶面上外延生长单层石墨烯，由此利用所述非极性晶面对石墨烯的电输运性质进行调控；通过所述可控生长方法能够在所...
马雷沃尔特·亚历山大·德斯海尔纪佩璇张凯敏赵健赵梅
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