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文献类型

  • 4篇国内会议论文

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇制备及性能
  • 1篇热电
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射制备
  • 1篇功率因子
  • 1篇PROPER...
  • 1篇SPUTTE...
  • 1篇TH
  • 1篇CU2O
  • 1篇CUO
  • 1篇DEPOSI...
  • 1篇IN_FIL...
  • 1篇REACTI...
  • 1篇SEEBEC...

机构

  • 4篇深圳大学

作者

  • 4篇蔡兴民
  • 4篇叶凡
  • 4篇罗景庭
  • 4篇范平
  • 4篇张东平
  • 4篇钟雪
  • 1篇郑壮豪

传媒

  • 1篇中国真空学会...

年份

  • 1篇2013
  • 3篇2012
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
The properties of reactive co-sputtering deposited Zn1-xSnxO thin films
叶凡蔡兴民钟雪张东平范平罗景庭梁广头郑壮豪田晓庆
Cu2O和CuO膜的溅射制备及其热电性能研究
和O都无毒性且在地球上储量丰富,铜的氧化物有Cu2O和CuO,它们都是p型半导体[1-4].Cu2O具有直接带隙,其带宽约为2.0eV,Cu2O还具有高的吸收系数等优点[1,2].CuO的带宽约为1.4eV[3,4].C...
叶凡蔡兴民钟雪刘朋鹃张东平范平罗景庭
关键词:CU2OCUO溅射
Sn掺杂ZnO膜的共溅射制备及性能研究
ZnO为直接带隙的半导体,室温下禁带宽度约为3.4eV,在可见光区透明,在光电子器件中有重要应用。掺杂可以调节ZnO的光、电及磁等性能。ZnO已被掺入Sn等杂质元素,但大多集中在包括纳米线及纳米棒等纳米结构上。溅射是一种...
叶凡蔡兴民钟雪刘朋鹃张东平范平罗景庭
文献传递
Sn掺杂ZnO膜的共溅射制备及性能研究
ZnO为直接带隙的半导体,室温下禁带宽度约为3.4eV,在可见光区透明,在光电子器件中有重要应用.掺杂可以调节ZnO的光、电及磁等性能.ZnO已被掺入Sn等杂质元素,但大多集中在包括纳米线及纳米棒等纳米结构上.溅射是一种...
叶凡蔡兴民钟雪刘朋鹃张东平范平罗景庭
共1页<1>
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