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刘娅

作品数:33 被引量:20H指数:3
供职机构:中国电子科技集团第二十六研究所更多>>
发文基金:重庆市教育委员会科学技术研究项目更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 19篇专利
  • 13篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 15篇电子电信
  • 8篇自动化与计算...
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电气工程
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇理学

主题

  • 24篇体声波
  • 21篇滤波器
  • 17篇谐振器
  • 16篇体声波滤波器
  • 13篇体声波谐振器
  • 13篇薄膜体声波谐...
  • 12篇晶圆
  • 10篇FBAR
  • 9篇电极
  • 9篇芯片
  • 9篇封装
  • 7篇晶圆级封装
  • 7篇硅晶
  • 7篇硅晶圆
  • 5篇功能芯片
  • 4篇声表面波
  • 4篇属种
  • 4篇空腔
  • 3篇压电
  • 3篇压电薄膜

机构

  • 33篇中国电子科技...
  • 6篇电子科技大学
  • 1篇重庆大学
  • 1篇重庆青年职业...

作者

  • 33篇刘娅
  • 20篇徐阳
  • 17篇蒋平英
  • 16篇马晋毅
  • 8篇唐小龙
  • 7篇何西良
  • 4篇杨靖
  • 4篇杜雪松
  • 4篇张祖伟
  • 4篇杨正兵
  • 3篇金中
  • 3篇许东辉
  • 3篇彭霄
  • 3篇蒋欣
  • 3篇蒋世义
  • 3篇司美菊
  • 2篇李磊
  • 2篇张永川
  • 2篇李燕
  • 2篇杜波

传媒

  • 12篇压电与声光
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2023
  • 13篇2022
  • 4篇2021
  • 5篇2020
  • 4篇2019
  • 2篇2018
  • 2篇2015
33 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种薄膜体声波滤波器晶圆级封装方法及其结构
本发明属于声波滤波器技术领域,涉及一种薄膜体声波滤波器晶圆级封装方法及其结构;封装方法包括在同一片硅晶圆上加工形成多个芯片;将陶瓷基板表面制作多个与芯片形状匹配的金属图形,针对外部引线制作出相应的导通孔;将芯片和金属图形...
刘娅马晋毅孙科徐阳余忠蒋平英兰中文田本郎邬传健谭发增蒋晓娜郭荣迪杨正兵唐小龙
文献传递
一种温度补偿型薄膜体声波谐振器、其制造方法及滤波器
本申请涉及一种温度补偿型薄膜体声波谐振器、其制造方法及滤波器,属于薄膜体声波滤波器设计技术领域;所述谐振器包括第一衬底和压电叠层结构,所述第一衬底的顶部设置有第一空腔;所述压电叠层结构位于所述第一衬底上,所述压电叠层结构...
刘娅马晋毅张祖伟孙科杨靖张必壮唐小龙徐阳吕峻豪
一种声表面波滤波器件晶圆级封装方法及其结构
本发明属于声表面波滤波器晶圆封装技术领域,具体涉及一种声表面波滤波器件晶圆级封装方法及其结构,所述结构包括功能晶圆和有机感光膜盖板,在功能晶圆的中央包括多个工作面朝向相同的功能芯片;有机感光膜盖板位于功能晶圆的正上方,在...
刘娅马晋毅孙科杨正兵兰中文田本郎余忠谭发增邬传健徐阳蒋晓娜杜雪松蒋平英郭荣迪
文献传递
一种薄膜体声波器件封装结构及其封装方法
本专利涉及一种薄膜体声波器件封装结构及其封装方法,属于薄膜体声波滤波器晶圆封装技术领域;所述封装结构包括硅晶圆以及有机感光膜支撑墙和有机感光膜盖板,在硅晶圆上方形成具有膜层结构的功能芯片;在功能芯片的两肩处形成有向上凸起...
刘娅马晋毅徐阳田本朗梁柳洪龙飞蒋平英张必壮谭发曾
C波段WLP薄膜体声波滤波器的研制被引量:3
2022年
该文研制了一种晶圆级封装(WLP)的C波段薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器。采用一维Mason等效电路模型对谐振器进行设计,并使用HFSS对电磁封装模型进行优化,再在ADS中对滤波器进行仿真优化设计,得到阶梯型结构的FBAR滤波器。采用空腔型结构并制备出FBAR滤波器芯片,同时利用覆膜工艺对FBAR裸芯片进行覆膜和电镀等WLP工艺,得到WLP的FBAR器件。测试结果表明,滤波器的中心频率为6.09 GHz,中心插损为2.92 dB,通带插损为3.4 dB,带宽为112 MHz,带外抑制大于40 dB。
刘娅刘娅马晋毅马晋毅谢征珍蒋平英
关键词:插入损耗
一种声表面波滤波器件晶圆级封装方法及其结构
本发明属于声表面波滤波器晶圆封装技术领域,具体涉及一种声表面波滤波器件晶圆级封装方法及其结构,所述结构包括功能晶圆和有机感光膜盖板,在功能晶圆的中央包括多个工作面朝向相同的功能芯片;有机感光膜盖板位于功能晶圆的正上方,在...
刘娅马晋毅孙科杨正兵兰中文田本郎余忠谭发增邬传健徐阳蒋晓娜杜雪松蒋平英郭荣迪
文献传递
一种薄膜体声波器件封装结构及其封装方法
本专利涉及一种薄膜体声波器件封装结构及其封装方法,属于薄膜体声波滤波器晶圆封装技术领域;所述封装结构包括硅晶圆以及有机感光膜支撑墙和有机感光膜盖板,在硅晶圆上方形成具有膜层结构的功能芯片;在功能芯片的两肩处形成有向上凸起...
刘娅马晋毅徐阳田本朗梁柳洪龙飞蒋平英张必壮谭发曾
文献传递
C波段宽带薄膜体声波滤波器设计及验证被引量:1
2023年
介绍了一种适用于三维堆叠的凸点式晶圆级封装的小型化C波段宽带薄膜体声波滤波器的设计方法,并进行了工艺验证。通过对压电层薄膜进行钪掺杂、材料参数提取、结构模型优化实现了相对带宽大于5%的薄膜体声波滤波器设计。通过表面硅基微机电系统(MEMS)工艺制备与凸点式晶圆级封装实现滤波器制备。研制出标称频率5800 MHz、插入损耗小于2.8 dB、阻带抑制大于40 dBc、体积仅1.0 mm×1.0 mm×0.35 mm的C波段宽带薄膜体声波滤波器。
蒋世义蒋平英马晋毅马晋毅陈彦光徐阳刘娅
关键词:宽带
一种温度补偿型低损耗超宽带谐振器及滤波器
本发明公开了一种温度补偿型低损耗超宽带谐振器,包括15°铌酸锂基片,所述基片上梳状设置有金属指条,所述基片及金属指条上设置有一层二氧化硅温度补偿层,所述金属指条的宽度d与所述超宽带声表面波谐振器的半个谐振周期p的比值的取...
谭发曾蒋欣刘娅彭霄李燕金中
文献传递
基于裸芯片覆膜的薄膜体声波滤波器被引量:3
2021年
该文研制了一种空腔型的薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器裸芯片。利用FBAR一维Mason等效电路模型对谐振器进行设计,然后采用实际制作的谐振器模型形成阶梯型结构FBAR滤波器,利用ADS软件对FBAR滤波器裸芯片进行优化设计。仿真结果表明,FBAR滤波器裸芯片尺寸为1 mm×1 mm×0.4 mm,滤波器的中心频率为3 GHz,中心插损为1.3 dB。采用空腔型结构并制备出FBAR滤波器裸芯片,同时采用覆膜工艺对FBAR裸芯片表面进行覆膜保护,避免裸芯片在使用或运输等过程中被损坏。测试结果显示,覆膜前滤波器裸芯片的中心频率为2.993 GHz,中心插损为1.69 dB;覆膜后滤波器的中心频率为2.997 GHz,中心插损为1.51 dB。对覆膜的影响和覆膜前后的差异进行了分析。
刘娅刘娅马晋毅孙科罗方活徐阳徐阳蒋平英许东辉许东辉
关键词:裸芯片覆膜插入损耗
共4页<1234>
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