周郁明
- 作品数：54 被引量：8H指数：2
- 供职机构：安徽工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金安徽省高校省级自然科学研究项目安徽省高等学校优秀青年人才基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程文化科学更多>>
- 一种提高UIS雪崩耐量的MOSFET及其制备方法
- 本发明公开了一种提高UIS雪崩耐量的MOSFET及其制备方法，属于高压电力电子技术领域。包括第二导电类型掺杂的源区、第一导电类型掺杂的基区和半绝缘区，第二导电类型掺杂的源区位于半绝缘区顶部，第一导电类型掺杂的基区位于第二...
- 王兵周郁明
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- 一种低压配电节电器
- 本发明公开了一种低压配电节电器，属于节电设备领域。该节电器接在配电变压器与用户用电设备之间，节电器的电路部分是由三相绕组及其对应的自耦线圈组成。绕组与自耦线圈构成升压变压器，每相绕组的一端与其对应自耦线圈的一端相连，并与...
- 周郁明杨婷婷刘航志
- 文献传递
- 钒补偿度对SiC光导开关特性影响的研究被引量：1
- 2012年
- 利用半导体器件仿真软件研究了钒掺杂半绝缘碳化硅(SiC)光导开关(PCSS)在电容放电电路中的瞬态特性。在非故意掺杂氮浓度为1 1014cm 3、硼浓度为1 1011cm 3和电容初始电压为1000 V的条件下,当钒浓度为1 1012cm 3时,电路在初始阶段有一个完整的振荡脉冲电流,随后存在较大的泄露电流,当光导开关受到波长为532 nm、功率为2400 W/cm2激光的激发时,电容放电形成幅值约为88 A的陡峭脉冲电流,激光结束后电路还有较大的拖尾电流。随着钒浓度增加到1 1014cm 3,初始阶段的振荡电流消失,漏电流和拖尾电流均减小,受到激光激发时所形成的脉冲电流幅值约为8 A,而钒浓度增加到1 1017cm 3时,幅值减小到2.5A。
- 周郁明靳爱津冯德仁
- 关键词：能级光导开关
- 一种构建行人检测模型的方法
- 本发明公开了一种构建行人检测模型的方法，属于图形处理技术领域。本发明的一种构建行人检测模型的方法，先从数据库中随机选取行人图像并对行人图像的头部进行标注作为标签文件，再将选取的行人图像划分为训练集、测试集和验证集；而后对...
- 王兵卢琨周郁明王彦程木田陈鹏
- 文献传递
- 一种GaN大电流自供电直流固态断路器及直流电源系统
- 本发明公开了一种GaN大电流自供电直流固态断路器及直流电源系统，属于直流电源供电和配电领域。具体由主开关S和反激变换器C构成，主开关S是由若干个性能参数一致的宽禁带半导体材料氮化镓制作的固体开关S<Sub>1</Sub>...
- 周郁明肖彩虹
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- SiO_2/SiC界面陷阱对SiC MOSFET开关损耗的影响被引量：1
- 2017年
- 位于SiO_2/SiC界面处密度较高的陷阱,不仅俘获SiC MOSFET沟道中的载流子,而且对沟道中的载流子形成散射、降低载流子的迁移率,因而严重影响了SiC MOSFET的开关特性。目前商业化的半导体器件仿真软件中迁移率模型是基于Si器件开发,不能体现SiO_2/SiC界面处的陷阱对沟道中载流子的散射作用。通过引入能正确反映界面陷阱对载流子作用的迁移率模型,利用半导体器件仿真软件研究了界面陷阱对SiC MOSFET动态特性的影响。结果表明,随着界面陷阱密度的增加,SiC MOSFET开通过程变慢,开通损耗增加,而关断过程加快,关断损耗减小;但是由于沟道载流子数量的减少、导通电阻的增加,总损耗是随着界面陷阱密度的增加而增加。
- 刘航志周郁明袁晨陈涛
- 关键词：迁移率损耗
- 一种基于卷积神经网络的苹果叶片病害识别的方法
- 本发明公开了一种基于卷积神经网络的苹果叶片病害识别的方法，属于计算机视觉领域。该方法包括以下步骤：S1：对样本进行预处理；S2：搭建卷积神经网络，基于VGG16卷积神经网络模型，搭建包含归一化层和全局平均池化层的改进的卷...
- 王兵严倩汪文艳周郁明王彦程木田
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- 用氮和硼改善4H‑SiC MOSFET反型层迁移率的方法
- 本发明公开了用氮和硼改善4H‑SiC MOSFET反型层迁移率的方法，属于微电子技术领域。步骤如下：A、采用离子注入工艺将五价元素氮植入到4H‑SiC外延层表面；B、采用湿氧氧化工艺形成栅氧化层；C、采用扩散工艺将三价元...
- 王兵卢琨陈鹏章家岩冯旭刚周郁明
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- 一种超高压光电导开关测试装置
- 本实用新型公开了一种超高压光电导开关测试装置，属于半导体器件测试技术领域。其包括测试平台和测试电路，所述的测试平台包括万向轮、箱体工作台和夹紧机构；所述的万向轮安装于箱体工作台的底部，所述的夹紧机构设置于箱体工作台的顶部...
- 周郁明姜浩楠
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- 一种SiC大电流自供电双向直流固态断路器及直流电源系统
- 本发明公开了一种SiC大电流自供电双向直流固态断路器及直流电源系统，属于直流电源供电和配电领域。具体由两组串联的主开关S及其对应的反激变换器C构成，每组主开关S是由若干个性能参数一致的宽禁带半导体材料碳化硅制作的固体开关...
- 周郁明肖彩虹
- 文献传递
