吴启明
- 作品数：7 被引量：11H指数：2
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 胶体化学法合成InP量子点
- 本文采用InCl3·4H2O为铟源,P(Si(CH3)3)3为磷源,TOPO为包覆剂,十二烷胺为表面活性剂,通过胶体化学法合成了InP量子点。文章使用TEM对量子点表面形貌进行了分析,利用荧光光谱仪和紫外可见分光光度计分...
- 吴启明张道礼张建兵陈胜
- 关键词：纳米晶量子点胶体化学法
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- InP胶体量子点的合成及光谱性质被引量：8
- 2006年
- 以三辛基氧化膦(TOPO)作为溶剂,利用无水InCl3和P(Si(CH3)3)3之间的脱卤硅烷基反应合成了InP胶体量子点.其中,TOPO既作为反应溶剂又作为量子点的包覆剂和稳定剂,在反应后期加入十二胺作为表面活性剂.利用粉末X射线衍射仪及透射电子显微镜测量了量子点的结晶性、晶格结构、晶粒尺寸、表面形貌以及晶粒尺寸分布,利用光致发光(PL)光谱仪和紫外可见分光光度计分析了其光学性质.测试结果显示,量子点具有较好的结晶性及一定的尺寸分布,平均直径为2.5nm,标准偏差为7.4%,表现出明显的量子限制效应.
- 张道礼张建兵吴启明袁林陈胜
- 关键词：纳米晶量子限制效应
- 胶体化学法合成InP量子点被引量：3
- 2006年
- 采用InCl3·4H2O为铟源，P（Si（CH3）3）3为磷源，TOPO为包覆剂，十二烷胺为表面活性剂，通过胶体化学法合成InP量子点。使用TEM对量子点表面形貌进行了分析，利用荧光光谱仪和紫外可见分光光度计分析了其光学性质。所合成的量子点具有较好的分散性和表面性能，随着粒径的减小，表现出较好的量子效应。量子点表面性能的好坏是影响其光学性能的一个关键因素。
- 吴启明张道礼张建兵陈胜
- 关键词：量子点纳米晶胶体化学法
- 一种多晶氧化锌薄膜材料的制备方法
- 本发明公开了一种多晶氧化锌薄膜材料的制备方法，步骤为：①清洗衬底；②将锌盐溶于去离子水中，加入配合物，锌盐与配合物的摩尔比为1∶1至1∶4，配合物为乙醇胺系列化合物；调节pH值至11～12.5之间，制成前驱体溶液；③将衬...
- 张道礼吴启明张建兵
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- 一种多晶氧化锌薄膜材料的制备方法
- 本发明公开了一种多晶氧化锌薄膜材料的制备方法，步骤为：①清洗衬底；②将锌盐溶于去离子水中，加入配合物，锌盐与配合物的摩尔比为1∶1至1∶4，配合物为乙醇胺系列化合物；调节pH值至11～12.5之间，制成前驱体溶液：；③将...
- 张道礼吴启明张建兵
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- SILAR法合成ZnO纳米多晶薄膜的研究
- 氧化锌为直接带隙II-VI族化合物半导体材料，室温下禁带宽度约3.3eV，激子束缚能为60meV，高于硫化锌（40meV）和氮化镓（25meV）。这些特征使得氧化锌可以在高温条件下实现紫外发光。因此，氧化锌是一种非常具有...
- 吴启明
- 关键词：氧化锌薄膜
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- InP量子点的制备方法
- 本发明公开了一种InP量子点的制备方法，其步骤为：①将InCl<Sub>3</Sub>与三辛基氧膦混合，在90～ 110℃保温制得In含量为0.1～0.3mol/L的溶液；②升温到130～180℃，通入氩气；③将P(Si...
- 张道礼张建兵吴启明袁林
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