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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇导通
  • 1篇增益开关
  • 1篇增益开关半导...
  • 1篇开关
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  • 1篇半导体
  • 1篇半导体激光
  • 1篇半导体激光器
  • 1篇电开关

机构

  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇许林
  • 1篇王贤华
  • 1篇王云才
  • 1篇陈国夫
  • 1篇刘乐峰

传媒

  • 1篇光子学报

年份

  • 1篇1994
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
利用增益开关半导体激光器实现光电开关的导通被引量:1
1994年
用0.8μm的增益开关半导体激光器,照射以Cr:GaAs为衬底的光电开关,产生电脉冲,这在国内尚属首次。本文介绍了光电开关的导通原理及我们的实验技术。在对0.8μm的InGaAsP半导体激光器的微波调制下,我们获得了最大峰-峰值为11mV的重复电脉冲。
王云才王贤华陈国夫刘乐峰许林方学信
关键词:光电开关增益开关半导体激光器导通
共1页<1>
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