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一种双馈风电机组机侧变流器IGBT器件结温波动抑制方法: 本发明涉及一种双馈风电机组机侧变流器IGBT器件结温波动抑制方法，包括以下步骤：利用双馈发电机转速、定子电信号、转子电信号，计算机组转差率和定子有功功率；通过附加控制外环的方式，构建基于功率、转速双控制外环的最大功率跟踪...; 李辉李洋廖兴林胡姚刚宋二兵刘海涛赵杰肖洪伟; 文献传递

一种SiC MOSFET逆变器用在线自适应死区消除方法: 本发明涉及一种SiC MOSFET逆变器用在线自适应死区消除方法，属于逆变器PWM控制领域，该方法通过在线实时计算电流纹波判断电流所处区域，进行死区消除，具体包含如下步骤：S1：在线检测三相逆变器输出电压、电流以及直流母...; 李辉钟懿黄樟坚廖兴林刘晓宇姚然郑媚媚王坤何蓓全瑞坤; 文献传递

一种抑制SiC MOSFET桥臂串扰的改进门极驱动装置: 本发明涉及一种抑制SiC MOSFET桥臂串扰的改进门极驱动装置，属于SiC驱动技术领域。该装置包含主驱动电路及无源辅助电路，主驱动电路部分由DC‑DC变换器单元、光耦隔离芯片单元、驱动芯片单元、驱动电阻单元构成；无源辅...; 李辉黄樟坚廖兴林谢翔杰王坤姚然胡姚刚邓吉利白鹏飞何蓓

SiC MOSFET栅极电容提取实验方法及影响因素研究被引量：2: 2016年; SiC MOSFET与Si MOSFET由于和IGBT具有很好的兼容性发展尤其迅速,但又因缺乏栅极电容CGS和COX参数提取的有效手段,影响了其性能评价、模型仿真以及应用水平的提高。该文在分析Si C MOSFET典型的电阻负载电路基础上,针对其导通过程中栅极电流变化会带来栅极电容CGS和COX计算上的困难,提出增加恒流源电路维持Si C MOSFET导通过程栅极驱动电流恒定,从而只需简单计算便可提取栅极电容CGS和COX参数的实验方法。针对某一型号具体器件进行了参数提取实验,所得到的结果与datasheet的结果较吻合,验证了该方法的有效性;另外,不同负载、环境温度对采用文中方法得到的栅极电容CGS和COX结果影响较小,而不同直流电压对栅极电容CGS结果影响较大,较高直流电压下参数提取的结果较稳定。; 李辉廖兴林曾正邵伟华胡姚刚肖洪伟刘海涛; 关键词：SIC MOSFET 恒流源电路

温度对SiC MOSFET电流和电压变化率影响分析被引量：6: 2019年; 由于SiC MOSFET的半导体物理和器件内部参数会随着温度的变化而发生变化,导致温度变化也会影响SiC MOSFET的动态特性。该文以其漏极电流变化率dID/dt、漏源极电压变化率dVDS/dt这2个动态性能参数为例,重点从实验的角度分析其随温度变化的规律。首先,搭建基于电感钳位双脉冲的SiC MOSFET动态特性测试电路,测试不同温度下漏极电流和漏源极电压,得到温度对其的影响规律;其次,基于器件物理方程建立SiC MOSFET漏极电流变化率dID/dt、漏源极电压变化率dVDS/dt的温度特性解析模型,且通过实验测试得到SiC MOSFET的阈值电压VTH、跨导gm的温度特性;最后,根据所建立的SiC MOSFET dID/dt、dVDS/dt温度特性解析模型及其VTH、gm的温度特性从理论上对实验所得结果进行定性解释。所得结果对SiC MOSFET器件选型、建立准确的器件模型及实际系统的设计具有指导意义。; 廖兴林李辉黄樟坚王坤胡姚刚曾正; 关键词：碳化硅 MOSFET 温度漏极电流

基于耦合电感的SiC MOSFET并联均流控制方法: 本发明提供的一种基于耦合电感的SiC MOSFET并联均流控制方法，在并联SiC MOSFET的各支路上均串联一个电感线圈，且各支路的电感线圈耦合于一个公共的磁芯上，通过本方法，能够对包括动态不平衡电流以及静态不平衡电流...; 曾正邵伟华胡博容廖兴林李辉冉立; 文献传递

基于SiC MOSFET直流固态断路器关断初期电压尖峰抑制方法被引量：7: 2018年; 针对碳化硅金属氧化物场效应晶体管(SiC MOSFET)直流固态断路器关断速度快、关断初期易产生较大电压尖峰及振荡问题,提出一种抑制方法。首先,建立SiC MOSFET等效电路模型,分析其不同寄生电感对固态断路器关断初期电压波形的影响。其次,利用不同电压等级金属氧化物压敏电阻(MOV)吸收能量不同的思想,提出并联MOV作为缓冲电路来抑制断路器关断初期电压尖峰的方法,在分析其工作原理和抑制效果的基础上,提出了选择缓冲MOV额定电压的依据。最后,搭建了基于SiC MOSFET直流断路器实验平台,对不同寄生电感、不同器件下的开断特性进行了比较,并对所提方法的有效性进行了验证。结果表明,相比Si IGBT固态断路器,SiC MOSFET固态断路器具有更为严重的电压尖峰和振荡问题,且随着寄生电感的增加越来越严重,所提出的方法可有效抑制其电压尖峰并减弱振荡。; 李辉廖兴林肖洪伟姚然黄樟坚; 关键词：缓冲电路金属氧化物压敏电阻

考虑变温度影响的SiC MOSFET建模与分析被引量：3: 2019年; 为了准确反映SiC MOSFET在不同温度下的电气特性,对影响SiC MOSFET电气特性的关键参数进行了分析,提出了一种SiC MOSFET等效电路模型。首先,根据SiC MOSFET阈值电压和跨导随温度变化的规律,采用函数拟合的温控电源模型对SiCMOSFET的阈值电压和漏极电流进行补偿;其次,考虑寄生电容与极间电压的关系,采用电容子电路和可变电容模型对SiC MOSFET的寄生电容进行等效模拟,根据SiC MOSFET体二极管对其静、动态特性的影响,利用独立二极管模型描述体二极管特性,进而建立SiC MOSFET的等效电路模型。最后,在不同温度条件下,对该模型进行了仿真并与实验测试结果进行了对比。结果表明所建模型较为准确地描述SiC MOSFET在较宽温度范围内的静、动态特性,验证了模型的有效性。; 李辉钟懿黄樟坚廖兴林谢翔杰肖洪伟; 关键词：等效电路

低压直流固态断路器用SiC MOSFET温度特性及快速可靠关断技术研究: 作为分布式新能源更高效率的接入形式的直流微电网技术，对实现能源可持续发展和推进节能减排具有重要意义。然而，保护技术的缺乏限制了直流微电网的应用。固态断路器能够快速切断线路故障、结构简单、无弧动作、性能可靠，并可以将短路电...; 廖兴林; 关键词：电流检测; 文献传递

一种双馈风电机组机侧变流器IGBT器件结温波动抑制方法: 本发明涉及一种双馈风电机组机侧变流器IGBT器件结温波动抑制方法，包括以下步骤：利用双馈发电机转速、定子电信号、转子电信号，计算机组转差率和定子有功功率；通过附加控制外环的方式，构建基于功率、转速双控制外环的最大功率跟踪...; 李辉李洋廖兴林胡姚刚宋二兵刘海涛赵杰肖洪伟; 文献传递

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廖兴林