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白霖

作品数:19 被引量:1H指数:1
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家科技重大专项更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 17篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 8篇延展性
  • 5篇光电
  • 4篇电极
  • 4篇预拉伸
  • 4篇探测器
  • 4篇外延片
  • 4篇无机
  • 4篇牺牲层
  • 4篇互连
  • 4篇LED阵列
  • 3篇半导体
  • 2篇导电薄膜
  • 2篇导体
  • 2篇电机
  • 2篇电信号
  • 2篇电子器件
  • 2篇信号
  • 2篇血氧
  • 2篇血氧饱和度
  • 2篇氧饱和度

机构

  • 19篇中国科学院
  • 1篇四川大学

作者

  • 19篇宋国峰
  • 19篇徐云
  • 19篇白霖
  • 11篇江宇
  • 8篇李晓敏
  • 6篇王磊
  • 3篇陈良惠
  • 2篇甘巧强
  • 1篇于海龙
  • 1篇李慧梅
  • 1篇胡晓斌

传媒

  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇中国科学:物...

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 3篇2019
  • 5篇2018
  • 4篇2017
  • 4篇2016
  • 1篇2015
19 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种可见光至近红外集成的光谱探测器装置及制备方法
本发明公开了一种可见光至近红外的单芯片集成的光谱探测器装置及制备方法,其中,该装置包括:外延片,包括上部的N接触层;胶状量子点阵列组成的胶状量子点滤光层,位于N接触层上。其制备方法中,胶状量子点由可以吸收可见光至近红外波...
徐云张林奥白霖陈华民张九双宋国峰陈良惠
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基于无机半导体材料的柔性LED阵列的制备方法
本发明公开了一种无机柔性LED阵列的制备方法,包括:在半导体衬底上生长具有牺牲层的LED外延片,光刻形成环形图形化的光刻胶掩膜,刻蚀至LED外延片下接触层;光刻刻蚀工艺制作侧面钝化层;形成图形化的金属图形,退火合金化之后...
宋国峰李晓敏徐云江宇白霖
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基于褶皱导电薄膜的摩擦发电机及制备方法、集成结构
本发明提供了一种基于褶皱导电薄膜的摩擦发电机,包括:上摩擦层,包含:上绝缘层(200),由柔性材料制备;上电极(100),位于上绝缘层之上;下摩擦层,包含:衬底(400),由柔性材料制备;下电极(300),位于衬底之上,...
徐云陈华民宋国峰甘巧强江宇白霖
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一种可延展无机柔性LED阵列的制备方法
本发明公开了一种用石墨烯作透明互联的可延展无机柔性LED阵列的制备方法,该制备方法包括:铜箔/镍箔基底的石墨烯转移到PDMS;将PDMS上的石墨烯转移到预拉伸胶带;预拉伸胶带回缩;利用半导体工艺技术,在LED外延片上形成...
宋国峰白霖徐云李晓敏
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血氧探测器探测单元、探头及其制备方法
本公开提供一种血氧探测器探测单元,包括:信号发射端,用于向人体皮肤方向发射红外线,其由下自上包括:红外线发射模块,用于向人体皮肤方向发射红外线;以及红光发射模块,用于向人体皮肤方向发射红光;以及信号接收端,与所述信号发射...
徐云宋国峰江宇白霖陈华民王磊
适用于转印的无机半导体薄膜功能单元的制备方法
本发明公开了一种适用于转印的无机半导体薄膜功能单元的制备方法,该制备方法包括:生长带有牺牲层的无机半导体外延片,传统功能单元制备;牺牲层钻蚀;涂覆柔性聚合物材料及其图形化;腐蚀牺牲层;完成适用于转印的超薄无机半导体功能单...
徐云宋国峰李晓敏江宇王磊白霖
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可延展柔性无机光电子器件及其制备方法
一种可延展柔性无机光电子器件及其制备方法,该方法包括以下步骤:在衬底上生长外延材料,并刻蚀形成多个光电子器件单元,在多个光电子器件单元上制备接触电极;在多个光电子器件单元之间的间隙中形成聚合物‑金属‑聚合物互连结构,并通...
江宇徐云宋国峰白霖陈华民王磊
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基于褶皱导电薄膜的摩擦发电机及制备方法、集成结构
本发明提供了一种基于褶皱导电薄膜的摩擦发电机,包括:上摩擦层,包含:上绝缘层(200),由柔性材料制备;上电极(100),位于上绝缘层之上;下摩擦层,包含:衬底(400),由柔性材料制备;下电极(300),位于衬底之上,...
徐云陈华民宋国峰甘巧强江宇白霖
红外成像器件及其制备方法、仿生红外球面相机
本公开提供了一种柔性球面结构红外成像器件及其制备方法、仿生红外球面相机,其中,所述柔性球面结构红外成像器件包括:基底及位于该基底的内表面的红外探测器阵列;其中,所述基底为柔性球面基底。本公开柔性球面结构红外成像器件及其制...
徐云白霖陈华民宋国峰陈良惠
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In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As雪崩光电二极管的数值模拟研究被引量:1
2016年
建立了SACM型In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As雪崩光电二极管(APD)的分析模型,通过数值研究和理论分析设计出高性能的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As APD。器件设计中,一方面添加了In0.52Al0.48As势垒层来阻挡接触层的少数载流子的扩散,进而减小暗电流的产生;另一方面,雪崩倍增区采用双层掺杂结构设计,优化了器件倍增区的电场梯度分布。最后,利用ATLAS软件较系统地研究并分析了雪崩倍增层、电荷层以及吸收层的掺杂水平和厚度对器件电场分布、击穿电压、IV特性和直流增益的影响。优化后APD的单位增益可以达到0.9 A/W,在工作电压(0.9 Vb)下增益为23.4,工作暗电流也仅是纳安级别(@0.9 Vb)。由于In0.52Al0.48As材料的电子与空穴的碰撞离化率比In P材料的差异更大,因此器件的噪声因子也较低。
李慧梅胡晓斌白霖李晓敏于海龙徐云宋国峰
关键词:暗电流图像应用
共2页<12>
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