陈洪源
- 作品数:10 被引量:10H指数:2
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- 一种交错缺口正八边形双频带电磁超材料结构
- 本实用新型公开一种交错缺口正八边形双频带电磁超材料结构,包括:介质基板;在所述介质基板的一面蚀刻设有内正八角形金属片和外正八角形金属片,内正八角形金属片的最大半径小于外正八角形金属片的最小半径,所述内、外正八边形金属片的...
- 李天倩马波阳小明陈洪源杜晓风邱锡强万洪雍明阳田野
- 文献传递
- 一种SOI横向功率器件耐压结构
- 本实用新型公开了一种SOI横向功率器件耐压结构,包括衬底层、埋氧层、有源层,埋氧层设置于衬底层与有源层之间,在埋氧层和衬底层之间设有掺杂层,掺杂层的浓度从源到漏逐渐减小。本实用新型所公开的耐压结构有效提高器件动态耐压,降...
- 李天倩马波阳小明陈洪源杜晓风
- 文献传递
- 一种交错缺口正八边形双频带电磁超材料结构
- 本发明公开一种交错缺口正八边形双频带电磁超材料结构,包括:介质基板;在所述介质基板的一面蚀刻设有内正八角形金属片和外正八角形金属片,内正八角形金属片的最大半径小于外正八角形金属片的最小半径,所述内、外正八边形金属片的边间...
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- 提高DFIG低电压穿越能力的改进控制策略
- 2017年
- 双馈感应发电机(doubly fed induction generator,DFIG)并网处发生短路故障时,基于传统crowbar技术的DFIG低电压穿越能力较低,须从电网吸收大量的无功功率,机端电压难以恢复。针对这一技术弊端,提出一种改进的综合控制策略:首先在原有crowbar技术的基础上引入直流卸荷电路(DC-chopper),在故障时能够抑制直流母线过电压和转子侧过电流;其次在转子侧变换器引入一个定子励磁电流的微分补偿项控制,以提升机组系统轴系机械应力。当电网发生严重故障时,改进的网侧变换器控制策略可将正常运行模式切换到无功支撑模式,从而补偿系统所需无功并为电网提供部分的无功功率。在PSCAD/EMTDC平台搭建DFIG并网的仿真模型,其仿真结果表明,在不同电压跌落程度下,提出的控制策略均能提高DFIG的低电压穿越能力。
- 杜健卿朝进陈洪源童新
- 关键词:双馈感应发电机低电压穿越
- 基于新型TSF的车用SRM直接瞬时转矩控制被引量:2
- 2017年
- 根据车用工况的需求,以开关磁阻电机的非线性模型为依据,提出了一种基于新型转矩分配函数的改进型直接瞬时转矩控制(IDITC)方案。针对传统转矩分配函数受导通角限制的情况,IDITC将控制中的开通、关断角与转矩分配函数的控制角度进行区分,在满足了各相转矩分配函数之和为1的前提下,扩大了其导通角的范围,并最终通过PI调节对分配转矩不可控区间实施控制。仿真和实验结果表明,IDITC能有效抑制系统的转矩脉动,提高系统的效率。
- 甘伸权王军淘天伟宋潇潇陈洪源唐静
- 关键词:开关磁阻电动机直接瞬时转矩控制
- 开关磁阻电机变电流重叠角的DITC被引量:4
- 2017年
- 针对开关磁阻电机(SRM)换相期间存在较大转矩脉动的问题,提出一种基于变电流重叠角的转矩分配函数(TSF)用于SRM的直接瞬时转矩控制(DITC)。该方法利用换相期间电流特征,对电流重叠角的起始位置和结束位置进行检测,实现电流重叠角的实时计算,并根据电流重叠角设置SRM的关断角,对SRM各相转矩在换相期间进行合理分配。仿真和实验结果验证了该方法能够有效抑制转矩脉动。
- 陶天伟王军甘伸权宋潇潇陈洪源
- 关键词:开关磁阻电机直接瞬时转矩控制
- 一种交错缺口正八边形双频带电磁超材料结构
- 本发明公开一种交错缺口正八边形双频带电磁超材料结构,包括:介质基板;在所述介质基板的一面蚀刻设有内正八角形金属片和外正八角形金属片,内正八角形金属片的最大半径小于外正八角形金属片的最小半径,所述内、外正八边形金属片的边间...
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- 一种SOI横向功率器件耐压结构及其制备方法
- 本发明公开了一种SOI横向功率器件耐压结构,包括衬底层、埋氧层、有源层,埋氧层设置于衬底层与有源层之间,在埋氧层和衬底层之间设有浓度从源到漏减小的P型掺杂层。本发明所公开的耐压结构有效提高器件动态耐压,降低比导通电阻和开...
- 李天倩阳小明马波陈洪源杜晓风
- 文献传递
- 一种改进的开关磁阻电机角度位置控制方法研究被引量:4
- 2018年
- 针对开关磁阻电机(SRM)调速系统提出了一种改进型的角度位置控制(APC)方法。利用多项式拟合得到电感-位置-角度关系,通过分析开通角和关断角对电机运行特性的影响,设计速度环比例积分微分(PID)控制器,完成对SRM开通角和关断角的双角度控制(DAC)在线调节。仿真和实验结果表明所提DAC对SRM具有较好的调节效果,且转矩脉动小,验证了所提方法的正确性和有效性。
- 雷渝王军苟斌陈洪源
- 关键词:开关磁阻电机角度位置控制转矩脉动
- 一种SOI横向功率器件耐压结构及其制备方法
- 本发明公开了一种SOI横向功率器件耐压结构,包括衬底层、埋氧层、有源层,埋氧层设置于衬底层与有源层之间,在埋氧层和衬底层之间设有浓度从源到漏减小的P型掺杂层。本发明所公开的耐压结构有效提高器件动态耐压,降低比导通电阻和开...
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