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董志华

作品数：99 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术轻工技术与工程自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 99篇中文专利

领域

  • 23篇电子电信
  • 2篇轻工技术与工...
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 28篇功率放大
  • 28篇功率放大器
  • 28篇放大器
  • 17篇DOHERT...
  • 16篇宽带
  • 13篇电路
  • 13篇二维电子
  • 13篇二维电子气
  • 12篇带宽
  • 12篇电极
  • 12篇天线
  • 12篇阻抗变换
  • 12篇III-V
  • 11篇谐波
  • 11篇谐波控制
  • 11篇纳米
  • 10篇阻抗变换器
  • 10篇HEMT器件
  • 9篇匹配电路
  • 9篇负载阻抗

机构

  • 99篇杭州电子科技...

作者

  • 99篇董志华
  • 93篇程知群
  • 78篇刘国华
  • 51篇周涛
  • 19篇张明
  • 15篇李江舟
  • 11篇潘勉
  • 8篇宋开新
  • 8篇周明
  • 7篇陈科明
  • 6篇张辉
  • 5篇蔡勇
  • 4篇刘辉
  • 4篇张志维
  • 3篇王凯
  • 3篇赵子明
  • 2篇武军
  • 1篇王锋

年份

  • 5篇2023
  • 11篇2022
  • 16篇2021
  • 13篇2020
  • 12篇2019
  • 7篇2018
  • 20篇2017
  • 11篇2016
  • 4篇2015
共 99 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种基于新一代移动通信物联网的数字车位系统及其工作方法
本发明公开了一种基于新一代移动通信物联网的数字车位系统及其工作方法，包括手机端、云管理平台和车位端，其中，所述云管理平台与手机端和车位端分别连接，所述手机端为用户提供车位查询、车位预约、车位导航和停车缴费信息；所述云管理...
董志华
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具有温差发电机构的III-VHEMT器件的制备方法
本发明公开了一种具有温差发电机构的III‑VHEMT器件的制备方法，现有的GaN器件在工作过程中会产生大量的热，使沟道温度上升，从而使器件的导通电阻增大，使器件的输出电流下降，造成能源浪费的问题。由于器件的能量密度高，所...
董志华蒋俊杰刘国华李仕琦刘杰程知群
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基于Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/CuI异质PN结的日光盲紫外探测器
本发明公开了一种基于Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/CuI异质PN结的日光盲紫外探测器，衬底材料上形成Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/CuI异质PN结，所述Ga<Sub>2...
董志华周明曾春红林文魁王育天刘辉李仕琦刘国华程知群
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一种由C型谐振器构成的宽带高抑制双通带滤波器
本发明公开一种由C型谐振器构成的宽带高抑制双通带滤波器。当信号由输入馈线传输到第一个C型谐振器，当产生谐振时，信号通过电耦合传输到第二个C型谐振器，再通过磁耦合传输到第三个C型谐振器，再通过电耦合传输到第四个C型谐振器，...
周涛石仁刚宋开新迟梦娇程知群潘勉董志华李世琦刘国华刘杰
一种提高功率回退动态范围的Doherty功率放大器及其实现方法
本发明提供一种提高功率回退动态范围的Doherty功率放大器及其实现方法，包括等分威尔金森功分器、载波功率放大电路、峰值功率放大电路和新型负载调制网络，其中，等分威尔金森功分器用于将输入功率进行等分后分别输出给载波功率放...
程知群张明刘国华董志华周涛柯华杰
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一种新型增强型III-V异质结场效应晶体管
本实用新型提供一种新型增强型III‑V异质结场效应晶体管，在衬底材料层上形成第二半导体层，在第二半导体层上构造出漏电极和源电极，漏电极和源电极之间通过第一半导体层相连且与第一半导体层欧姆接触从而形成沟道；第一半导体层比第...
董志华程知群刘国华柯华杰周涛
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应用于无线局域网WLAN频段的带内陷波宽带天线
本发明公开应用于无线局域网WLAN频段的带内陷波宽带天线。包括介质基板；辐射贴片，设置在介质基板的上表面；微带馈线，设置在介质基板的上表面，且与辐射贴片相连；金属接地板，设置在介质基板的下表面；其中：所述辐射贴片内开有第...
周涛迟梦娇宋开新石仁刚程知群潘勉董志华李世琦刘国华刘杰高扬华
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一种结构稳定的石墨烯气凝胶制备方法
本发明公开了一种结构稳定的石墨烯气凝胶制备方法，包括以下步骤：步骤S1，得到细菌纤维素；步骤S2，得到石墨烯/金属盐/细菌纤维素气凝胶复合材料。采用本发明的技术方案，无需添加黏结剂，细菌纤维素水凝胶提供复合材料的支撑骨架...
李仕琦贺晓杰王育天董志华程知群
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基于Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/CuI异质PN结的日光盲紫外探测器
本发明公开了一种基于Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/CuI异质PN结的日光盲紫外探测器，衬底材料上形成Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/CuI异质PN结，所述Ga<Sub>2...
董志华周明曾春红林文魁王育天刘辉李仕琦刘国华程知群
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一种AlGaN/GaN HEMT压力传感器
本实用新型公开了一种AlGaN/GaN HEMT压力传感器；包括衬底、h-BN移除层、AlN缓冲层、GaN沟道层、隔离层AlN、非掺杂Al<Sub>0.3</Sub>Ga<Sub>0.7</Sub>N势垒层和帽层GaN；...
王凯程知群董志华刘国华周涛柯华杰
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