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吴自力
作品数:
15
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供职机构:
东南大学
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发文基金:
中央高校基本科研业务费专项资金
江苏省普通高校研究生科研创新计划项目
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相关领域:
电子电信
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合作作者
张雄
东南大学
崔一平
东南大学
代倩
东南大学
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电子电信
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机构
15篇
东南大学
作者
15篇
吴自力
14篇
崔一平
14篇
张雄
4篇
代倩
年份
1篇
2021
4篇
2019
4篇
2018
4篇
2017
1篇
2016
1篇
2015
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一种具有倒装结构的紫外发光二极管
本发明提供了一种具有倒装结构的紫外发光二极管,其该二极管自下而上依次为衬底、AlN成核层、非掺杂AlN或者Al<Sub>a</Sub>Ga<Sub>1‑a</Sub>N缓冲层、n型Al<Sub>b</Sub>Ga<Sub...
张雄
吴自力
庄喆
崔一平
一种利用自发极化电场的非极性太阳能电池
本发明提供了一种具有自发极化电场的非极性太阳能电池。自下而上依次包括:衬底、GaN成核层、非掺杂GaN缓冲层、n型GaN层、InGaN吸收层,p型GaN层,其中除衬底之外的所有氮化物外延层均由非极性材料构成;在p型GaN...
张雄
吴自力
崔一平
文献传递
一种具有双光子晶体结构的量子点发光二极管
一种具有双光子晶体结构的量子点发光二极管,其自下而上依次包括衬底101,空穴注入层102,在空穴注入层102设置的反射型光子晶体即光子晶体一103,空穴传输层104,量子点有源区105,在电子传输层107设置的缺陷型光子...
张雄
吴自力
崔一平
文献传递
一种具有非极性吸收层的紫外探测器
本发明公开了一种具有非极性吸收层的紫外探测器,包括:自下而上依次设置的衬底、AlN中间层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、非极性Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x</Sub>N/Al<Sub>y<...
张雄
代倩
吴自力
崔一平
一种具有双掺杂多量子阱结构的紫外发光二极管
本发明公开了一种具有双掺杂多量子阱结构的紫外发光二极管,包括:由下至上依次设置的衬底,AlN中间层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、双掺杂的Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x</Sub>N/Al<...
张雄
范艾杰
吴自力
崔一平
一种具有非极性吸收层的紫外探测器
本发明公开了一种具有非极性吸收层的紫外探测器,包括:自下而上依次设置的衬底、AlN中间层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、非极性Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x</Sub>N/Al<Sub>y<...
张雄
代倩
吴自力
崔一平
文献传递
一种具有高阈值电压的增强型高电子迁移率晶体管
本发明公开了一种具有高阈值电压的增强型高电子迁移率晶体管,包括自下而上依次设置的衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、n型AlGaN层以及钝化层,源极和漏极分别设置于n型AlGaN层两端并与非掺杂GaN层形成接触,栅极设置在n型...
张雄
陈虎
吴自力
崔一平
文献传递
非极性p型AlGaN基材料掺杂技术及机理的研究
由于非极性AlGaN基Ⅲ族氮化物中无沿材料生长方向的量子限制斯塔克效应(QCSE),故其被认为是制备紫外发光二极管(UV-LEDs)深具潜力的材料。本论文采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术,在半极性(1(1...
吴自力
关键词:
紫外发光二极管
P型掺杂
超晶格
一种具有量子点p区结构的紫外发光二极管
本发明公开一种具有量子点p区结构的紫外发光二极管(UV‑LED),自下而上依次包括:衬底、AlN成核层、AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑</Sub><Sub>x</Sub...
张雄
代倩
吴自力
崔一平
文献传递
一种具有双掺杂多量子阱结构的紫外发光二极管
本发明公开了一种具有双掺杂多量子阱结构的紫外发光二极管,包括:由下至上依次设置的衬底,AlN中间层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、双掺杂的Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x</Sub>N/Al<...
张雄
范艾杰
吴自力
崔一平
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