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吴自力

作品数:15 被引量:0H指数:0
供职机构:东南大学更多>>
发文基金:中央高校基本科研业务费专项资金江苏省普通高校研究生科研创新计划项目更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 14篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 10篇非掺杂
  • 7篇紫外发光二极...
  • 7篇二极管
  • 7篇发光
  • 7篇发光二极管
  • 5篇量子
  • 5篇非极性
  • 4篇电子阻挡层
  • 4篇阻挡层
  • 4篇量子效率
  • 3篇量子点
  • 3篇掺杂
  • 2篇倒装
  • 2篇倒装结构
  • 2篇电场
  • 2篇电池
  • 2篇钝化层
  • 2篇多量子阱
  • 2篇多量子阱结构
  • 2篇氧化铟

机构

  • 15篇东南大学

作者

  • 15篇吴自力
  • 14篇崔一平
  • 14篇张雄
  • 4篇代倩

年份

  • 1篇2021
  • 4篇2019
  • 4篇2018
  • 4篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
15 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种具有倒装结构的紫外发光二极管
本发明提供了一种具有倒装结构的紫外发光二极管,其该二极管自下而上依次为衬底、AlN成核层、非掺杂AlN或者Al<Sub>a</Sub>Ga<Sub>1‑a</Sub>N缓冲层、n型Al<Sub>b</Sub>Ga<Sub...
张雄吴自力庄喆崔一平
一种利用自发极化电场的非极性太阳能电池
本发明提供了一种具有自发极化电场的非极性太阳能电池。自下而上依次包括:衬底、GaN成核层、非掺杂GaN缓冲层、n型GaN层、InGaN吸收层,p型GaN层,其中除衬底之外的所有氮化物外延层均由非极性材料构成;在p型GaN...
张雄吴自力崔一平
文献传递
一种具有双光子晶体结构的量子点发光二极管
一种具有双光子晶体结构的量子点发光二极管,其自下而上依次包括衬底101,空穴注入层102,在空穴注入层102设置的反射型光子晶体即光子晶体一103,空穴传输层104,量子点有源区105,在电子传输层107设置的缺陷型光子...
张雄吴自力崔一平
文献传递
一种具有非极性吸收层的紫外探测器
本发明公开了一种具有非极性吸收层的紫外探测器,包括:自下而上依次设置的衬底、AlN中间层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、非极性Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x</Sub>N/Al<Sub>y<...
张雄代倩吴自力崔一平
一种具有双掺杂多量子阱结构的紫外发光二极管
本发明公开了一种具有双掺杂多量子阱结构的紫外发光二极管,包括:由下至上依次设置的衬底,AlN中间层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、双掺杂的Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x</Sub>N/Al<...
张雄范艾杰吴自力崔一平
一种具有非极性吸收层的紫外探测器
本发明公开了一种具有非极性吸收层的紫外探测器,包括:自下而上依次设置的衬底、AlN中间层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、非极性Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x</Sub>N/Al<Sub>y<...
张雄代倩吴自力崔一平
文献传递
一种具有高阈值电压的增强型高电子迁移率晶体管
本发明公开了一种具有高阈值电压的增强型高电子迁移率晶体管,包括自下而上依次设置的衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、n型AlGaN层以及钝化层,源极和漏极分别设置于n型AlGaN层两端并与非掺杂GaN层形成接触,栅极设置在n型...
张雄陈虎吴自力崔一平
文献传递
非极性p型AlGaN基材料掺杂技术及机理的研究
由于非极性AlGaN基Ⅲ族氮化物中无沿材料生长方向的量子限制斯塔克效应(QCSE),故其被认为是制备紫外发光二极管(UV-LEDs)深具潜力的材料。本论文采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术,在半极性(1(1...
吴自力
关键词:紫外发光二极管P型掺杂超晶格
一种具有量子点p区结构的紫外发光二极管
本发明公开一种具有量子点p区结构的紫外发光二极管(UV‑LED),自下而上依次包括:衬底、AlN成核层、AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑</Sub><Sub>x</Sub...
张雄代倩吴自力崔一平
文献传递
一种具有双掺杂多量子阱结构的紫外发光二极管
本发明公开了一种具有双掺杂多量子阱结构的紫外发光二极管,包括:由下至上依次设置的衬底,AlN中间层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、双掺杂的Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x</Sub>N/Al<...
张雄范艾杰吴自力崔一平
文献传递
共2页<12>
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