低功耗技术是当前研究热点,尤其对于手持移动设备,其重要性更为突出.降低电压是降低功耗最直接有效的方式之一,传统CMOS(complementary metal oxide semiconductor)电路在低电压条件下已无法正常工作,而基于能量观点的MRF(Markov random field)电路在超低电压下却拥有BER(bit error rate)超过10^(-5)的良好稳定性,从而引起学术界广泛关注,但是缺少对MRF电路的电路稳定性和其供电电压之间的理论研究.本文基于信息论的观点对MRF电路进行了理论分析与证明,证明出在输出正确概率相同的条件下,MRF电路的供电电压下界低于传统CMOS电路,并且进一步证明出其本质原因.本文的工作可以为后续基于MRF的低功耗高稳定性电路设计提供理论基础.
