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PDSOI工艺下单粒子瞬态脉冲宽度分析被引量：1: 2016年; 单粒子瞬态脉冲宽度是评价电子系统软错误率的重要参数之一。针对0.13μm、部分耗尽型绝缘体上硅(PDSOI)工艺下的反相器链,解析地计算了反相器中产生的单粒子瞬态脉冲宽度,仿真了产生的单粒子瞬态脉冲在反相器链中传播时的临界脉冲宽度和传输率随级数变化情况。仿真结果表明,单粒子瞬态脉冲宽度的大小在几十皮秒到几百皮秒之间,反相器链的级数对临界脉冲宽度和传输率影响较大。最后仿真得到在输入单粒子瞬态脉冲宽度较小时,建立保持时间与输入脉冲宽度有关。该结果有利于电气掩蔽建模和锁存掩蔽建模准确性的提高。; 吴驰毕津顺李博李彬鸿罗家俊韩郑生; 关键词：脉冲宽度

复杂数字电路中的单粒子效应建模综述被引量：6: 2016年; 单粒子效应产生的软错误是影响航天电子系统可靠性的主要因素之一。对其进行建模是研究单粒子效应机理和电路加固技术的有效方法。介绍了深亚微米及以下工艺中影响模型准确性的几种效应机制,包括脉冲展宽机制、电荷共享机制和重汇聚机制等。重点分析了单粒子瞬态、单粒子翻转的产生模型和单粒子瞬态的传播模型。阐述了基于重离子和脉冲激光的模型验证方法。最后,分析了单粒子效应随特征尺寸的变化趋势,并提出了未来单粒子效应建模技术的发展方向。; 吴驰毕津顺滕瑞解冰清韩郑生罗家俊郭刚刘杰

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吴驰