孙家涛
- 作品数：4 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信金属学及工艺化学工程更多>>
- The spin polarized states in pristine silicon thin films
- The introduction of spin polarization of electrons in materials consisting of d0 lightelements like carbon and...
- 孙家涛
- 关键词：密度泛函理论计算硅薄膜
- 碳基共轭体系中半金属性的起源-过渡金属掺杂的二维石墨炔
- 半金属性材料的能带结构具有一侧自旋通道呈现金属性，另一侧通道呈现半导体或绝缘体性质的特点。传统半金属材料主要存在于Heusler合金等少数体系中，最近研究发现半金属材料还广泛存在于掺杂碳结构中(比如过渡金属掺杂的石墨烯、...
- 潘理达宋博群孙家涛张礼智Werner Hofer杜世萱高鸿钧
- 关键词：配位场理论第一性原理计算
- 电子的谷自由度被引量：2
- 2015年
- 电子在晶格周期性势场影响下的运动遵循布洛赫定理.布洛赫电子除了具有电荷和自旋两个内禀自由度外,还有其他内禀自由度.能带色散曲线上的某些极值点作为谷自由度,具有独特的电子结构和运动规律.本文从布洛赫电子的谷自由度出发,简单介绍传统半导体的谷电子性质研究现状,并重点介绍新型二维材料体系,如石墨烯、硅烯、硫族化合物等材料中谷相关的物理特性.有效利用谷自由度的新奇输运特性,将其作为信息的载体可以制作出新颖的纳米光电子器件,并有望造就下一代纳电子器件的新领域,即谷电子学(valleytronics).
- 孙家涛孟胜
- 吸附物和基底界面上的电子结构的修饰
- 基底表面上薄膜的结构依赖于薄膜内部的相互作用和薄膜、基底之间相互作用的竞争,这种竞争作用的直接结果就是界面上的电荷密度的重新分布.研究吸附物、基底之间的界面上的电荷重新分布对于认识自组装薄膜结构,修饰界面电子结构并进行调...
- 孙家涛杜世萱高鸿钧
