您的位置: 专家智库 > >

安卫军

作品数:10 被引量:25H指数:3
供职机构:中国科学院光电技术研究所更多>>
发文基金:中国航空科学基金国家自然科学基金中国科学院知识创新工程重要方向项目更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 8篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 8篇晶体
  • 6篇MN
  • 5篇X
  • 4篇晶体生长
  • 4篇半导体
  • 3篇导体
  • 3篇光子
  • 3篇光子晶体
  • 3篇Β相
  • 2篇透射
  • 2篇透射光
  • 2篇透射光谱
  • 2篇稀磁半导体
  • 2篇禁带
  • 2篇光谱
  • 2篇光子禁带
  • 2篇红外透射光谱
  • 2篇磁化率
  • 2篇CD
  • 1篇性能研究

机构

  • 7篇西北工业大学
  • 3篇中国科学院

作者

  • 10篇安卫军
  • 6篇常永勤
  • 6篇郭喜平
  • 6篇介万奇
  • 3篇张磊
  • 2篇张小玉
  • 2篇陈旭南
  • 2篇石建平
  • 2篇秦涛
  • 1篇张晓玉
  • 1篇杜春雷
  • 1篇陈福义
  • 1篇姚汉民

传媒

  • 2篇功能材料
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇Journa...
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇材料导报
  • 1篇光电工程
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 2篇2004
  • 2篇2003
  • 5篇2002
  • 1篇2001
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
新型稀磁半导体Cd_(1-x)Mn_xIn_2Te_4的光学和磁学性能被引量:3
2002年
采用垂直Bridgman法制备出了x =0 1、0 2 2和 0 4的Cd1-xMnxIn2 Te4 晶体 .采用红外透射光谱法研究了晶体的红外光学特性 .用超导量子磁强计测量了样品在温度范围 5~ 30 0K和磁场强度范围 0~ 5T内的磁化强度 .在中红外波段透过率曲线变化很小 .随着x的增加Cd1-xMnxIn2 Te4 的光学带隙移向高能端 .磁化率倒数 χ-1与温度T的关系曲线在高温区服从居里 万斯定律 ,在低温下x≥ 0 2 2时向下偏离该定律 .与具有相同Mn2 + 浓度的Cd1-xMnxTe晶体相比Cd1-xMnxIn2 Te4 晶体的交换积分常数较小 .
安卫军常永勤郭喜平介万奇
关键词:稀磁半导体磁化率DMS
MnrCd1-xIn2Te4晶体生长及其性能研究
采用ACRT-B法生长了四元稀磁半导体合物Mn<,0.1>Cd<,0.9>In<,2>Te<,4>晶体.采用扫描电镜、X射线衍射仪、ISIS能谱仪、Leica定量金相分析仪以及傅立叶变换红外光谱仪研究了晶体中相的结构、形...
常永勤安卫军郭喜平介万奇
关键词:Β相红外透射光谱晶体生长
文献传递
Bridgman法生长的Mn_xCd_(1-x)In_2Te_4晶体相形成规律和物理性能研究
2003年
采用Bridgman法生长了x为0.1,0.22和0.4的四元稀磁半导体化合物MnxCd1-xIn2Te4晶体.研究了三根晶体中相的形貌、结构、成分和Mn0.1Cd0.9In2Te4晶体中各组元沿轴向和径向的成分分布.晶体生长初始端的组织为α+β+β1,随着生长的进行,形成β相的单相区.在晶锭末端,形成In2Te3类面心立方结构化合物.组分x增大后,MnxCd1-xIn2Te4晶体的吸收边向短波方向移动,禁带宽度则线性增大.磁化率测量结果表明:晶体在高温区的x-1-T曲线服从居里-外斯定律,在低温区(<50K)则表现出顺磁增强现象.
常永勤安卫军郭喜平介万奇
关键词:成分偏析磁化率
影响二维空气圆柱型光子晶体完全禁带的主要因素研究被引量:7
2004年
研究了晶格结构、填充比、介电常数比三个主要因素对二维空气圆柱型光子晶体完全禁带的影响。利用Bandsolve软件分别优化计算得到不同晶格结构、不同介电常数比的最大完全禁带,以及对应结构参数之间的关系。对于相同介电常数比,六边形晶格可获得较宽的完全禁带;而对于相同晶格结构,介电常数比越大,完全禁带宽度越大。
张晓玉安卫军张磊杜春雷姚汉民
关键词:光子晶体晶体
Mn_xCd_(1-x)In_2Te_4晶体生长研究被引量:1
2002年
采用Bridgman法生长四元稀磁化合物半导体Mn0 .2 2Cd0 .78In2 Te4晶体。当晶体生长到预定长度时 ,淬火得到固液界面。采用光学显微镜、扫描电镜、X射线衍射仪、ISIS能谱仪以及Leica定量金相分析仪研究了晶体中出现的界面形态、相的形貌和数量以及沿生长方向的相析出规律 ,并进行了相成分分析。研究发现 ,淬火得到的Mn0 .2 2 Cd0 .78In2 Te4晶体中存在两个界面 ,其中一个为固液相变界面 ,另一个为由α + β两相区发展到单相 β区时的转变界面 ,二者相对于生长初始端均为凹形 ;α+ β两相区中 ,β相以条状、花状和近似圆片状形式存在 ,其中条状 β相多分布在晶界处 ;越接近生长初始端 ,花状和近似圆片状β相越小 ,条状 β相越细 ,它们的含量越少 ;X射线衍射图谱表明 ,β相为黄铜矿结构 ,α相为面心立方结构。
常永勤安卫军郭喜平介万奇
关键词:晶体生长Β相
ACRT-B法生长的Mn_xCd_(1-x)In_2Te_4晶体的溶质分凝特性
2002年
研究了ACRT B法生长的Mn0 .1Cd0 .9In2 Te4晶体中界面的形状和各组元沿轴向的分布规律及其分凝因数。发现结晶界面为椭球形 ;采用理想配比生长MnxCd1-xIn2 Te4晶体 ,其4种组元并不按 (Mn ,Cd)∶In∶Te =1∶2∶4比例结晶 ,而是要重新分布 ;通过数学方法处理实验数据得到Mn ,Cd和In的分凝因数在α相区分别为 1.2 86、1.92 5 7和 0 .72 94,在 β相区则分别为1.12、1.0 5 5和 0 .985。
常永勤介万奇郭喜平陈福义安卫军
关键词:磁性半导体
新型稀磁半导体Cd/_(1-x)Mn/_xIn/_2Te/_4的晶体生长与性能表征
Cd/_/(1-x/)Mn/_xIn/_2Te/_4是一种新型的稀磁半导体/(Diluted Magnetic Semiconductors—DMS/)。本文首次用垂直布里奇曼法/(VBM/)成功地生长出了x=0.1、0...
安卫军
关键词:稀磁半导体晶体生长
文献传递
光子晶体——一种新型人工带隙材料被引量:10
2003年
光子晶体是近十年来才发展起来的存在光子禁带的一种新型人工材料,具有操控光子行为的独特能力,在众多领域有着广泛的用途。介绍了光子晶体的结构特征,分析了光子带隙产生的物理机理,着重介绍了光子晶体材料中存在的新现象及其应用。
石建平陈旭南张小玉张磊安卫军秦涛
关键词:光子晶体光子禁带微电子学半导体
光子晶体器件的研究进展及前景被引量:4
2004年
光子晶体器件是近年来迅速发展起来的一类微纳器件,可以操控光子的运动行为,并具有损耗极低、体积小、易集成的优点。本文综合论述了光子晶体器件的几种主要设计方法的优缺点、指出了加工制作中的技术难点所在,还介绍了两种常用的耦合技术,最后对光子晶体的未来作了展望。
石建平陈旭南张小玉张磊安卫军秦涛
关键词:光子晶体器件光子禁带PWMFDTD
Mn_xCd_(1-x)In_2Te_4晶体生长及其性能研究
2002年
采用ACRT B法生长了四元稀磁半导体化合物Mn0 .1Cd0 .9In2 Te4 晶体。采用扫描电镜、X射线衍射仪、ISIS能谱仪、Leica定量金相分析仪以及傅里叶变换红外光谱仪研究了晶体中相的结构、形貌、成分及晶片的红外透射光谱。发现晶体生长初始端由于溶质再分配而引起成分偏离配料比 ,结果出现三种相 :α相、β相和 β1相 ,其中α相和 β相是在晶体生长过程中形成的 ,随温度降低 ,从α相中又析出β1相。当晶体生长到稳定段 ,完全形成 β相。Mn0 .1Cd0 .9In2 Te4 晶体从生长初始端到接近稳态区 ,β1相由规则排列的片状向不规则排列的近似圆片状发展。禁带宽度为 1.2eV的Mn0 .1Cd0 .9In2 Te4 在 10 0 0 0~ 4 0 0 0cm- 1的近红外波数范围内 ,其透过率最高达 83% ,在 4 0 0 0~5 0 0cm- 1的中红外波数范围内透过率为 5 9%~ 6 5 %。
常永勤安卫军郭喜平介万奇
关键词:Β相红外透射光谱Α相
共1页<1>
聚类工具0