张汉三
- 作品数：24 被引量：25H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信航空宇航科学技术经济管理更多>>
- 纳米半导体量子器件评述被引量：3
- 1996年
- 在概述了半导体纳米微结构中的量子效应之后，简要评述了谐振隧道效应器件，量子线ＦＥＴ，单电子隧穿器件，电子波衍射晶体管，量子线和量子箱激光器。还讨论了对量子微结构的尺寸要求。
- 张汉三
- 关键词：纳米半导体量子器件库仑阻塞量子尺寸效应
- 磷化铟基异质结双极晶体管研究的新进展被引量：1
- 1995年
- 从纵向结构设计的角度，评述了磷化铟基ＨＢＴ研究的新进展，介绍了几个重要的研究成果。
- 张汉三
- 关键词：磷化铟双极晶体管
- 第五代电路安装技术-CAIT
- 1989年
- 市场的要求促进了电子设备的发展,使电子学进入了全盛时期,“轻薄短小化”这个词形象地表达了电于产品开发的一个重要动向,这就是高密度化.在过去的十年里,上述目的主要是依靠半导体芯片微细加工技术的进步来实现的.目前,IC的大规模化仍以惊人的速度发展着,微机的功能和处理容量也在急剧扩大,在ASIC方面也取得了令人嘱目的进展.可以说,用微细加工技术提高芯片集成规模是高密度安装的第一个层次.
- 张汉三
- 全文增补中
- 量子电子器件——谐振隧道热电子晶体管(RHET)被引量：1
- 1992年
- RHET是一种新型高速功能器件,在这种器件中,电子谐振隧穿量子阱谐振隧道势垒(RTB)从发射极注入到基极中,然后以准弹道方式传输到收集极。其主要特点是,高速的电荷传输和宽的负微分电阻。本文综述了RHET的研究与进展,并介绍了采用RHET构成的集成电路。
- 张汉三
- 关键词：量子电子学热电子晶体管
- 微波功率异质结双极晶体管
- 1991年
- 本文首先简要介绍异质结双极晶体管(HBT)的结构和特点,接着评述HBT工艺技术发展现状、单元设计和目前制作的功率HBT的性能。
- 张汉三
- 关键词：双极晶体管异质结功率放大器
- 量子线和量子箱激光器——下一代高性能半导体激光器被引量：1
- 1992年
- 本文讨论了量子线和量子箱激光器的特性,如呈现非常低的阈值电流、展宽的调制带宽和窄的谱线宽度。还介绍了量子尺寸结构的制造工艺、尺寸起伏和非线性增益对激射特性的影响。最后给出量子微腔激光器的新概念。
- 张汉三
- 关键词：半导体激光器量子结构
- 全文增补中
- 探索量子微结构的新阶段被引量：2
- 1994年
- 概述了超薄层量子结构中的量子效应及其器件之后，以立体量子微结构为重点，介绍了其中的电子的波动行为，例如普适的电导波动、弹性散射和声子散射的抑制等，并简要介绍了量子线和量子箱激光器以及电子波衍射晶体管，还讨论了对量子微结构的尺寸要求。
- 张汉三
- 关键词：量子效应
- MMIC工业开发和标准工艺加工线(Foundry)
- 1993年
- 本文简要介绍了MMIC的应用和市场潜力,讨论了工业开放Foundry的建设和MMIC工业开发的关键因素,还给出了有关市场上销售的GaAsMMIC放大器和组件的资料。
- 张汉三
- 关键词：MMIC集成电路
- 掺铒光纤放大器的新进展
- 1996年
- 从掺铒光纤放大器的放大原理、结构、放大特性和应用等方面，评述了其新进展。
- 张汉三
- 关键词：掺铒光纤放大器半导体激光器色散补偿光纤
- 光通信装置的安装技术（续）
- 1995年
- 光通信装置的安装技术（续）电子工业部第十三研究所（石家庄０５００５１）张利民，柴广跃，张汉三５．３倒装焊接技术这是一种用来将半导体器件焊接在指定位置上的技术，它利用了比电子电路所用的焊接凸台还要微细的焊接凸台和焊接区。与电子电路不问，它大多采用金锡共...
- 张利民柴广跃张汉三
- 关键词：光通信安装技术半导体器件
