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不同退火处理的台面型In_(0.83)Ga_(0.17)As pin光电二极管暗电流分析（英文）被引量：1: 2016年; 为了研究延伸波长In0.83Ga0.17As pin光电二极管的暗电流机制。采用两种不同工艺制备了台面型延伸波长In0.83Ga0.17As pin光电二极管。第一种工艺(M135L-5)是:台面刻蚀后进行快速热退火(RTA)。第二种工艺(M135L-3)是:台面刻蚀前进行快速热退火(RTA)。采用IV测试,周长面积比(P/A),激活能和暗电流成分拟合方法对器件暗电流机制进行分析。结果显示,在220~300 K之间,M135L-3器件暗电流低于M135L-5器件的,并且具有较低表面漏电流。在-0.01^-0.5 V之间和220~270 K之间,M135L-5器件的暗电流主要是扩散电流。在250~300 K之间,M135L-3器件的暗电流主要是扩散电流,而在-0.01^-0.5 V之间和220~240 K之间,其暗电流主要是产生复合电流和表面复合电流。与此同时,暗电流成分拟合结果也得出一致的结论。研究表明,在降低器件暗电流方面,M135L-3器件优于M135L-5器件,这主要是因为快速热退火降低了器件的体电流。; 李平李淘邓双燕李雪邵秀梅唐恒敬龚海梅; 关键词：快速热退火 INGAAS 暗电流

一种铟镓砷短波红外探测器: 本发明公开了一种铟镓砷短波红外探测器。器件结构从上至下依次包括钝化层，窗口层，吸收层，缓冲层，读出电路，金属电极和互连通孔。其中，金属电极制备在缓冲层上。互连通孔制备在光敏元上，形成一个锥形通孔。互连通孔只与窗口层和读出...; 李平李淘李雪邵秀梅唐恒敬龚海梅; 文献传递

延伸波长InGaAs探测材料刻蚀研究: 为了获得低刻蚀损伤优化方法，本文采用了Cl2/N2 和Cl2/CH4 两种蚀刻气体对延伸波长In0.83Ga0.17As 探测器材料进行了刻蚀研究.采用光致发光(PL)技术对样品刻蚀前后进行表针;采用传输线模型(TLM)...; 李平李淘李雪邵秀梅唐恒敬龚海梅

中心距10 μm截止波长2.6 μm的延伸波长InGaAs焦平面探测器（英文）被引量：1: 2018年; 采用ICP(inductively coupled plasma etching)刻蚀与湿法腐蚀相结合的方式,研制了像元中心距为10μm、截止波长2. 6μm的p-i-n型10×10元延伸波长In Ga As探测器.不同温度下的电流—电压特性研究和激活能分析,显示了器件优异的暗电流特性.在室温下,-10 mV偏压时器件的暗电流和优质因子R0A分别为0. 45 nA和14. 7Ω·cm^2,量子效率可达到63%.为了证实像元中心距减小并未影响器件性能,与同种材料中心距30μm的InGaAs焦平面阵列进行了对比分析.相似的实验结果进一步证明了工艺的可行性,对今后实现高密度、大面阵延伸波长InGaAs探测器具有重要的指导意义.; 何玮李平邵秀梅邵秀梅于一榛张亚光邓双燕杨波杨波李雪李淘; 关键词：INGAAS探测器暗电流密度量子效率

一种铟镓砷短波红外探测器: 本发明公开了一种铟镓砷短波红外探测器。器件结构从上至下依次包括钝化层，窗口层，吸收层，缓冲层，读出电路，金属电极和互连通孔。其中，金属电极制备在缓冲层上。互连通孔制备在光敏元上，形成一个锥形通孔。互连通孔只与窗口层和读出...; 李平李淘李雪邵秀梅唐恒敬龚海梅

铟镓砷短波红外探测器: 本专利公开了一种铟镓砷短波红外探测器。器件结构从上至下依次包括钝化层，窗口层，吸收层，缓冲层，读出电路，金属电极和互连通孔。其中，金属电极制备在缓冲层上。互连通孔制备在光敏元上，形成一个锥形通孔。互连通孔只与窗口层和读出...; 李平李淘李雪邵秀梅唐恒敬龚海梅; 文献传递

n-on-p结构深台面延伸波长InGaAs探测器的ICPCVD钝化工艺: 2016年; 采用ICP刻蚀(inductively coupled plasma etching)工艺制备了深台面n-on-p结构的可响应到2.4μm的延伸波长8×1元线列In Ga As探测器.器件表面采用ICP源激发的N2等离子体进行处理,然后再使用ICPCVD(inductively coupled plasma chemical vapor deposition)沉积一层Si Nx薄膜的钝化工艺.不同面积光敏元器件的电流—电压特性分析显示器件在常温和低温下侧面电流均得到有效抑制,激活能分析显示了器件优异的暗电流特性,在-10 m V偏压下,在200 K和300 K温度下暗电流密度分别为94.2 n A/cm2和5.5×10-4A/cm2.; 石铭邵秀梅唐恒敬李淘黄星曹高奇王瑞李平李雪龚海梅; 关键词：INGAAS 暗电流钝化

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李平