陈艳芳
- 作品数：11 被引量：9H指数：2
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学环境科学与工程建筑科学更多>>
- GaN HEMT器件测试与仿真研究
- 21世纪以来,GaN基高电子迁移率晶体管（HEMTs）因其突出的耐高温、高频率、高功率密度性能优势在微波通信、雷达等领域得到日益广泛的应用。尽管器件的性能不断提高,但是GaN HEMT器件的退化、失效等可靠性问题仍是限制...
- 陈艳芳
- 关键词：热特性
- 文献传递
- AlGaN/GaN SBD的正向导通特性研究被引量：1
- 2015年
- 主要研究了横向AlGaN/GaN异质结肖特基势垒二极管(简称SBD)的正向导通特性,设计制备了基于蓝宝石衬底和硅衬底的不同器件结构的AlGaN/GaN SBD器件。测量结果表明,通过适当改变肖特基-欧姆电极布局,以及在导电衬底上施加相应的偏压,可以有效改善器件的正向导通特性。实验所制备的肖特基电极半径为120μm、肖特基-欧姆电极间距为25μm的基于Al2O3衬底的AlGaN/GaN SBD器件,实现了正向导通电流0.05A@2V(Ron=9.13mΩ·cm2)、反向饱和漏电流为10-6 A的性能。对制备的硅基AlGaN/GaN SBD器件的测试发现,通过外加衬底偏压能够有效改善其正向导通特性。
- 孙晓郭伟玲徐儒朱彦旭孙捷陈艳芳李松宇邹德恕
- 关键词：肖特基势垒二极管
- GaN基肖特基势垒二极管结构优化研究进展被引量：4
- 2017年
- 作为宽禁带半导体器件,GaN基肖特基势垒二极管(SBD)有耐高压、耐高温、导通电阻小等优良特性,这使得它在电力电子等领域有广泛应用。本文首先综述了SBD发展要解决的问题;然后,介绍了GaN SBD结构、工作原理及结构优化研究进展;接下来,总结了AlGaN/GaN SBD结构、工作原理及结构优化研究进展,并着重从AlGaN/GaN SBD的外延片结构、肖特基电极结构以及边缘终端结构等角度,阐述了这些结构的优化对AlGaN/GaN SBD性能的影响;最后,对器件进一步的发展方向进行了展望。
- 吴月芳郭伟玲陈艳芳雷亮
- 关键词：外延片结构优化
- 双钢管混凝土复合柱的耐火性能及参数影响分析
- 2022年
- 双钢管混凝土复合柱在普通钢管混凝土柱基础上设置了内部钢管,由于内管受到外层混凝土的高温保护,因此其耐火性能得到改善。文章通过精细化数值模拟方法对此类双钢管混凝土复合柱的耐火性能开展研究,全面分析了内管径厚比、外管径厚比、内外管直径比等参数的影响,并且对比分析了在相同的含钢率条件下不同截面组合型式(内圆外圆、内方外圆和内圆外方)双钢管混凝土短柱的耐火极限。结果表明:在直径不变时增大内钢管的厚度以及在厚度不变时增加内钢管的直径,都有利于耐火极限的提高;在保持整体含钢率不变的条件下,不同截面组合形式的双钢管混凝土柱耐火极限相差不大,但总体上双圆钢管混凝土短柱的耐火性能偏优;另外,双钢管混凝土复合柱的耐火性能比普通钢管混凝土柱有较大提高。
- 陈艳芳张晋川侯立群陈适才
- 关键词：温度场耐火极限含钢率
- 室内白光LED灯具寿命研究与标准验证
- 为解决传统的LED灯具加速衰减试验周期过长而造成产品投放市场不及时的问题,国家半导体照明工程研发及产业联盟标准化委员会(CSAS)制定出了2000h的加速衰减试验方法(标准编号CSA-020),但其试验的准确性有待进一步...
- 李松宇郭伟玲樊星陈艳芳姜承硕吴月芳
- 文献传递
- GaN基HEMT器件的热可靠性评价方法
- GaN基HEMT器件的热可靠性评价方法，本方法通过采集所述待测GaN基HEMT器件在不同高低温冷热冲击次数下的转移特性曲线、栅泄漏电流特性曲线和热阻值。根据不同冷热冲击次数下的转移特性曲线获得所述待测GaN基HEMT器件...
- 郭伟玲陈艳芳孙捷李松宇
- 量子阱宽度对蓝光LED性能影响的研究
- 2017年
- 本文采用器件仿真的方法分析了量子阱宽度对于LED光电性能的影响。结果表明:随着阱宽的增加,LED的电流密度变小;在阱宽为5 nm左右时,LED的发光功率最高,但此时器件的波长位于橙色区域内,并且此时器件的发光效率较低;在阱宽为2.5 nm^3.5 nm时,发光效率最大,且波长在蓝光范围内;阱宽一定时,随着电压的增加光谱有一定的蓝移现象。深入分析了发光效率及光谱变化的原因发现,束缚态能级的不同状态是导致光谱发生蓝移的原因,而俄歇复合的增强是导致器件效率下降的主要原因。
- 吴月芳郭伟玲陈艳芳雷亮
- 关键词：蓝光LED光电性能
- GaN基HEMT器件的缺陷研究综述被引量：2
- 2017年
- GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)因具有高输出功率密度、高工作频率、高工作温度等优良特性,在高频大功率等领域具有广泛应用前景。目前,HEMT器件在材料生长和工艺制备方面都取得了巨大的进步。但是,由缺陷产生的陷阱效应一直是限制其发展的重要原因。本文首先论述了HEMT器件中的表面态、界面缺陷和体缺陷所在位置及其产生的原因。然后,阐述了由陷阱效应引起的器件电流崩塌、栅延迟、漏延迟、Kink效应等现象,从器件结构设计和工艺设计角度,总结提出了改善缺陷相关问题的主要措施,其中着重总结了器件盖帽层、表面处理、钝化层和场板结构4个方面的最新研究进展。最后,探索了GaN基HEMT器件在缺陷相关问题上的未来优化方向。
- 郭伟玲陈艳芳李松宇雷亮柏常青
- 关键词：GAN
- GaN基HEMT器件的热可靠性评价方法
- GaN基HEMT器件的热可靠性评价方法，本方法通过采集所述待测GaN基HEMT器件在不同高低温冷热冲击次数下的转移特性曲线、栅泄漏电流特性曲线和热阻值。根据不同冷热冲击次数下的转移特性曲线获得所述待测GaN基HEMT器件...
- 郭伟玲陈艳芳孙捷李松宇
- 文献传递
- 结温对高压白光LED光谱特性的影响被引量：2
- 2017年
- 高压LED因其自身突出的特点在照明领域有着潜在的应用优势,但作为一种新型功率LED,其光电热特性仍需深入研究。该实验对6和9V GaN基高压LED芯片进行了相同结构和工艺条件的封装,对封装样品进行了10~70℃的变温度光谱测试,并进行了从控温平台温度到器件结温的转换。为保证器件的电流密度相同,6和9V样品光谱测试的工作电流分别设定为150和100mA。结果显示,结温升高会导致蓝光峰值波长红移、波长半高宽增大、光效下降和显色指数上升等现象。在相同平台温度和注入功率下,9V样品的结温低于6V样品;随着温度的升高,9V样品波长半高宽的增加量比6V样品少1.3nm,光效下降量少1.13lm·W^(-1),显色指数上升量少0.28。以上表明,与低压LED相比,高压LED有着更低的工作结温和更小的温度影响。原因在于,相同环境温度下高压LED具有更好的电流扩展性和更少的发热量。此特性在高压LED的研究、发展与应用等方面具有参考价值。此外,峰值波长仍与结温有着较好的线性度,在光谱设备精度较高的情况下可继续作为结温的敏感参数。
- 李松宇郭伟玲孙捷陈艳芳雷珺
- 关键词：光谱结温峰值波长光效显色指数
