您的位置： 专家智库 > >

胡文秀

作品数：6 被引量：2H指数：1
供职机构：太原理工大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：理学文化科学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 3篇硅基
  • 2篇氮化硅
  • 2篇氮化硅薄膜
  • 2篇电极
  • 2篇电容
  • 2篇电容器
  • 2篇电容器电极
  • 2篇阵列
  • 2篇阵列结构
  • 2篇湿法腐蚀
  • 2篇碳化
  • 2篇基底
  • 2篇光刻
  • 2篇光刻胶
  • 2篇硅薄膜
  • 2篇硅基底
  • 2篇垂直电极
  • 1篇第一性原理
  • 1篇电极结构
  • 1篇电子结构

机构

  • 6篇太原理工大学

作者

  • 6篇胡文秀
  • 5篇李刚
  • 4篇赵清华
  • 4篇张文栋
  • 3篇胡杰
  • 3篇李朋伟
  • 2篇李廷鱼
  • 2篇王娜
  • 2篇张君慧
  • 2篇李大维
  • 1篇王开鹰

传媒

  • 1篇中国对外贸易
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2023
  • 3篇2017
  • 2篇2015
共 6 条 记 录，以下是 1-6
全选 清除 导出
排序方式：
一种加固碳化光刻胶与Si基底结合的凹槽刻蚀方法
本发明涉及加固碳化光刻胶和硅基底结合的方法，具体为一种可加固碳化光刻胶与Si基底结合的凹槽刻蚀方法，包括如下步骤：首先准备清洗干净并且烘干的硅基底，接着在该基底上制备氮化硅薄膜，再在薄膜上旋涂一层光刻胶，然后对此光刻胶进...
李刚赵清华胡文秀王娜李朋伟胡杰张文栋
文献传递
一种加固碳化光刻胶与Si基底结合的凹槽刻蚀方法
本发明涉及加固碳化光刻胶和硅基底结合的方法，具体为一种可加固碳化光刻胶与Si基底结合的凹槽刻蚀方法，包括如下步骤：首先准备清洗干净并且烘干的硅基底，接着在该基底上制备氮化硅薄膜，再在薄膜上旋涂一层光刻胶，然后对此光刻胶进...
李廷鱼李刚胡文秀赵清华王娜李朋伟胡杰张文栋
文献传递
一种可增加MEMS超级电容器电极比表面积的斜光刻方法
本发明提供了一种可增加MEMS超级电容器电极比表面积的斜光刻方法，包括如下步骤：首先在清洁烘干后的硅基底上旋涂一定厚度的光刻胶，然后将旋涂有光刻胶的硅片固定在一个特别设计的铸钢架上，钢架倾斜角度为15°，之后对硅片上的光...
李刚赵清华胡文秀李大维张君慧张文栋
文献传递
一种可增加MEMS超级电容器电极比表面积的斜光刻方法
本发明提供了一种可增加MEMS超级电容器电极比表面积的斜光刻方法，包括如下步骤：首先在清洁烘干后的硅基底上旋涂一定厚度的光刻胶，然后将旋涂有光刻胶的硅片固定在一个特别设计的铸钢架上，钢架倾斜角度为15°，之后对硅片上的光...
李刚赵清华胡文秀李大维张君慧张文栋
“一带一路”十年来,中华文化海外影响力不断扩大
2023年
2013年,中国提出了“一带一路”倡议,这是着眼于实现中华民族伟大复兴而作出的重大决策,既是我国与沿线各国的经济贸易合作之路,也是彼此之间文化交流,促进民心相通之路。“一带一路”合作倡议实施10年以来,充分发挥了国内外两种市场的功效,有效整合了国内外两种资源。在这个过程中,我国与沿线各国之间的经济往来更加频繁,同时也推动了各国之间的文化交流,形成文化之间的良性互动,为中华文化在海外传播提供了巨大舞台,使中华文化进一步走向世界。
侯鑫海胡文秀
关键词：文化交流经济贸易合作中华文化经济往来一带一路
Nb掺杂浓度对单层MoS_2电子能带结构的影响被引量：2
2017年
运用密度泛函理论的第一性原理方法,研究了本征和不同浓度Nb掺杂单层MoS_2的晶体几何结构、能带结构、态密度、电荷局域密度函数以及形成能。计算结果发现,本征单层MoS_2为直接带隙,禁带宽度为1.67 e V。随着Nb掺杂浓度的增加,单层MoS_2价带顶会越过费米能级向高能区方向移动,导带底则向低能区方向移动,致使其禁带宽度大幅度减小。当掺杂浓度为8.33%时,其禁带宽度减小至1.30 e V。带隙值的大幅减小,电子从价带激发到导带变得更容易,应用在以晶体管为代表的逻辑器件等领域,将使其电流开关比、导电性等电学性能得到显著提升。此外,掺杂前后成键类型均是离子键与共价键的混合键,形成能较低,说明掺杂体系的热力学稳定性良好,易于实现。研究结果为单层MoS_2在半导体器件的实际应用提供了理论指导。
陈敏强李廷鱼王开鹰胡杰李朋伟胡文秀李刚
关键词：电子结构第一性原理
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0