谢文明
- 作品数：5 被引量：4H指数：1
- 供职机构：福建工程学院信息科学与工程学院更多>>
- 发文基金：福建省教育厅资助项目福建省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 应用于中高速SAR ADC的低功耗少开关开关方法
- 2016年
- 提出一种应用于中高速逐次逼近型模数转换器(successive approximation register analog-to-digital converter,SAR ADC)的低功耗开关方法,该开关方法不需要额外的基准产生电路,并且需要的开关数量最少。使用重置序列(0 1…1)而不是(1 1…1)可以使得第2个位转换周期消耗的开关能量为0。为了进一步降低功耗,参考电容C使用C/2(两个C串联)并联来实现,这样所需要的C的数量又减少了将近一半,开关功耗又减少了一半。在同样的开关数量下,提出的开关方法消耗开关能量和需要的电容面积最小。
- 王浩谢文明蔡思静郑少锋
- 关键词：低功耗SARADC
- SAR ADC中高能效电荷均值开关方法被引量：1
- 2017年
- 提出一种逐次逼近型模数转换器(successive approximation register analog-to-digital converter,SAR ADC)高能效电荷均值开关方法。该方法能够提供恒定的共模电压V_(CM),大小为V_(REF)的一半,且只需要使用两个参考电压VREF和地,避免了额外的电压基准电路。为了增加一位精度并保持恒定的共模电压,C-2C结构替代参考电容C。与单调开关方法相比,该方法能耗减少66.65%,电容面积减少49.41%。行为仿真结果证明了该方法的有效性。
- 王浩钟伦贵谢文明郑少烽
- 平栅型双层膜的场致发射性能研究
- 2016年
- 通过在平栅型基板上,分别溅射氧化铋薄膜和氧化锡薄膜,形成阴极场发射阵列,并在阴极和栅极之间加载脉冲电流,使阴栅级之间的薄膜形成裂缝,并进行场致发射性能测试,测试结果表明,平栅型双层膜发射器件的开启电压随阳极电压增加而降低。在阳压为3000 V,隔离子高度为500μm时,平栅型双层膜场发射器件的开启电压为110 V,在栅压为110 V时的发射效率为1%左右,随着栅压的增大,发射效率逐渐减小。该双层膜阴极具有均匀的发射性能、良好的栅控能力以及场发射特性。
- 林金阳陈知新张国成谢文明
- 关键词：场发射双层膜SNO2
- 基于LED光立方的音频谱显示被引量：3
- 2016年
- 研究一种基于STC12C5A60S2增强型单片机作为主控芯片的光立方音频谱显示方案。以STC单片机为核心,以74HC573为锁存器,采用与点阵相同的动态扫描驱动显示原理,实现LED的光立方显示。同时利用音频输入,结合FFT算法,实现音频谱的光立方显示,给人以良好的视觉和听觉感受。
- 林金阳陈知新张国成谢文明郑少锋
- 关键词：单片机
- 不同直径张应变锗材料对光谱和晶体质量的影响
- 2017年
- 绝缘体上张应变锗材料是通过能带工程提高锗材料光电性能得到的一种新型半导体材料,在微电子和光电子领域具有重要的应用前景。采用微电子技术中的图形加工方法以及利用锗浓缩的技术原理,在绝缘体上硅(SOI)材料上制备了绝缘体上张应变锗材料。喇曼与室温光致发光(PL)测试结果表明,不同圆形半径的绝缘体上锗材料张应变均为0.54%。对于绝缘体上张应变锗材料,应变使其发光红移的效果强于量子阱使其发生蓝移的效果,总体将使绝缘体上张应变锗材料的直接带发光峰位红移。同时0.54%张应变锗材料的直接带发光强度随着圆形半径的增大而减弱,这主要是因为圆形半径大的样品其晶体质量较差。该材料可进一步用于制备锗微电子和光电子器件。
- 黄诗浩孙钦钦谢文明汪涵聪林抒毅陈炳煌
- 关键词：晶体质量
