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朱丹丹

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 3篇电路
  • 3篇功率放大
  • 3篇功率放大器
  • 3篇放大器
  • 2篇射频
  • 2篇谐波
  • 2篇开关
  • 2篇开关电路
  • 2篇控制电压
  • 2篇隔离度
  • 2篇功放
  • 2篇功放芯片
  • 2篇二次谐波
  • 2篇二分频
  • 2篇二分频器
  • 2篇分频
  • 2篇分频器
  • 2篇高次谐波
  • 2篇高隔离
  • 2篇高隔离度

机构

  • 5篇杭州电子科技...

作者

  • 5篇朱丹丹
  • 4篇王凯
  • 4篇程知群
  • 4篇陈帅

年份

  • 5篇2015
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
微波超宽带GaN HEMT功率放大器研究
宽带功率放大器广泛应用于电子战（EW）、个人无线通信、远程遥感，雷达及航空应用等各个方面，它具有较高的灵敏度，较大的动态范围等特点。这种广泛的应用需求一定程度上也推动了对具有更宽带宽、更高功率的新型半导体器件的研究进展。...
朱丹丹
关键词：功率放大器电路设计输出功率
一种功率放大器
本实用新型公开了一种功率放大器，装置部分包括主电路、反馈一路和反馈二路；所述的主电路包括第一输入匹配电路、第一输出匹配电路和偏置在B类功放芯片；反馈一路包括第二输入匹配电路、第二输出匹配电路和三分频器；反馈二路包括第三输...
程知群颜国国朱丹丹陈帅王凯范凯凯
文献传递
一种高隔离度、低衬底泄露的射频开关电路
本发明公开了一种高隔离度、低衬底泄露的射频开关电路，将传统的单刀多掷开关电路，多掷分组，每组并联不超过4掷，每掷由一个串联MOSFET管和一个并联MOSFET管组成，每组电路再串联一个MOSFET管，然后相互并联到主通路...
程知群颜国国朱丹丹陈帅范凯凯王凯
文献传递
一种功率放大器及其实现方法
本发明公开了一种功率放大器及其实现方法，装置部分包括主电路、反馈一路和反馈二路；所述的主电路包括第一输入匹配电路、第一输出匹配电路和偏置在B类功放芯片；反馈一路包括第二输入匹配电路、第二输出匹配电路和三分频器；反馈二路包...
程知群颜国国朱丹丹陈帅王凯范凯凯
文献传递
高隔离度、低衬底泄露的射频开关电路
本实用新型公开了一种高隔离度、低衬底泄露的射频开关电路，将传统的单刀多掷开关电路，多掷分组，每组并联不超过4掷，每掷由串联一个MOSFET stack和并联一个MOSFET stack组成，每组电路再串联一个MOSFET...
程知群颜国国朱丹丹陈帅范凯凯王凯
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