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冯玉林

作品数：13 被引量：0H指数：0
供职机构：天津理工大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 6篇叠层
  • 6篇叠层结构
  • 6篇层结构
  • 5篇氧化铪
  • 5篇纳米
  • 5篇存储器
  • 4篇化学机械抛光
  • 4篇机械抛光
  • 3篇低功耗
  • 3篇电极
  • 3篇抛光
  • 3篇离子束
  • 3篇离子束溅射
  • 3篇纳米管
  • 3篇溅射
  • 3篇功耗
  • 2篇酸盐
  • 2篇填充金属
  • 2篇抛光速率
  • 2篇抛光液

机构

  • 13篇天津理工大学

作者

  • 13篇冯玉林
  • 12篇王芳
  • 12篇张楷亮
  • 7篇赵金石
  • 5篇孙阔
  • 4篇任君
  • 3篇王宝林
  • 3篇李悦
  • 2篇孙文翔
  • 2篇董莉
  • 2篇陆涛
  • 2篇韦晓莹
  • 1篇程文可
  • 1篇韩叶梅
  • 1篇袁育杰
  • 1篇关雪
  • 1篇苗银萍
  • 1篇邢宇鹏
  • 1篇马峻
  • 1篇张志超

年份

  • 4篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2014
  • 5篇2013
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种二维纳米片层过渡金属硫化物双向开关器件
一种二维纳米片层过渡金属硫化物双向开关器件，包括衬底、二维纳米片层过渡金属硫化物功能薄膜、左电极和右电极并形成叠层结构，关器件的横向沟道的长度为10nm‑2μm、宽度为10nm‑5μm。本发明的优点是：该开关器件为双向开...
张楷亮方明旭王芳冯玉林唐登轩李悦
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一种化学机械抛光用纳米抛光液
本发明涉及一种化学机械抛光用纳米抛光液。该纳米抛光液包括含氟硼酸盐、纳米研磨料、表面活性剂、无机酸和溶剂去离子水。该纳米抛光液具有稳定性好、易清洗、损伤小、不腐蚀设备等优点。本抛光液适用于半导体领域铪基材料的化学机械抛光...
张楷亮冯玉林王芳任君孙阔
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一种改善碳纳米管互连电特性的方法
本发明提供一种改善碳纳米管互连电特性的方法，该方法是采用通孔填充的技术来改良碳纳米管空间占有率低所带来的互连电阻过大的问题。其主要内容如下：首先在预制好的通孔中生长碳纳米管，然后在整个表面旋涂一层光刻胶，并对光刻胶进行高...
张楷亮任君王芳冯玉林董莉兰馗博赵金石
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二维黑磷/过渡金属硫族化合物异质结器件及其制备方法
一种基于二维黑磷/过渡金属硫族化合物异质结的器件，其异质结为二维黑磷纳米薄片和二维过渡金属硫族化合物纳米薄片叠层结构，二维黑磷的层数为1‑50层、二维过渡金属硫族化合物的厚度为1‑50层；两类二维材料通过通过化学气相沉积...
张楷亮唐登轩冯玉林王芳方明旭李悦韩叶梅邢宇鹏
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一种二维纳米片层MoS<Sub>2</Sub>垂直结构阻变器件
一种二维纳米片层MoS<Sub>2</Sub>垂直结构阻变器件，由氧化硅片衬底、Ti粘附层、下电极、阻变层、上电极和上电极SiO<Sub>2</Sub>保护层组成垂直结构，其中阻变层为具有“三明治夹心”层状结构的二维纳米...
张楷亮张志超王芳冯玉林方明旭袁育杰赵金石
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一种二维纳米硫化钼片层/二元氧化物叠层结构阻变器件
一种二维纳米硫化钼片层/二元氧化物叠层结构阻变器件及其制备方法，提供了一种新型阻变器件由下电极、阻变层和上电极依次叠加构成，其中阻变层由二维纳米硫化钼片层和二元氧化物叠层结构构成。本发明利用插入的二维纳米硫化钼片层与二元...
张楷亮李悦冯玉林王芳方明旭唐登轩苗银萍马峻
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一种化学机械抛光用纳米抛光液
本发明涉及一种化学机械抛光用纳米抛光液。该纳米抛光液包括含氟硼酸盐、纳米研磨料、表面活性剂、、无机酸和溶剂去离子水。该纳米抛光液具有稳定性好、易清洗、损伤小、不腐蚀设备等优点。本抛光液适用于半导体领域铪基材料的化学机械抛...
张楷亮冯玉林王芳任君孙阔
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一种基于碳纳米管-纳米铜粉的环保型导电浆料
一种基于碳纳米管-纳米铜粉的环保型导电浆料，由经表面处理的纳米铜颗粒、经碳纳米管分散液处理的碳纳米管、添加剂和有机溶剂组成，所述经表面处理的纳米铜颗粒表面带负电荷且平均粒径为50-150nm，各组分的质量百分比为：经表面...
张楷亮冯玉林王芳兰馗博赵金石
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一种低功耗阻变存储器及其制备方法
一种低功耗阻变存储器，由下电极、阻变层和上电极组成并构成叠层结构，其中阻变层为氧化钒薄膜和二氧化硅薄膜叠层结构，各层的厚度分别为：下电极50-200nm、氧化钒薄膜5-100nm、二氧化硅薄膜1-50nm、上电极50-2...
张楷亮孙阔王芳王宝林冯玉林赵金石程文可关雪
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一种改善碳纳米管互连电特性的方法
本发明提供一种改善碳纳米管互连电特性的方法，该方法是采用通孔填充的技术来改良碳纳米管空间占有率低所带来的互连电阻过大的问题。其主要内容如下：首先在预制好的通孔中生长碳纳米管，然后在整个表面旋涂一层光刻胶，并对光刻胶进行高...
张楷亮任君王芳冯玉林董莉兰馗博赵金石
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