姜帆
- 作品数：5 被引量：0H指数：0
- 供职机构：西南应用磁学研究所更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程理学电子电信更多>>
- BiCaInVIG铁氧体单晶材料生长研究
- 介绍了BiCalnVIG在微波单晶器件研制和发展中的重要地位;介绍了掺杂BiCaVIG铁氧体单晶材料生长实验结果.通过配方设计和多种生长控制手段,采用PbO-Bi203作助熔剂,生长的掺In的BiCaVIG铁氧体单晶,其...
- 游斌陈运茂姜帆
- 关键词：参数优化微波性能
- 新型磁光单晶材料生长方法
- 本发明涉及一种新型磁光材料的生长技术和光纤通信领域，特别涉及一种液相外延法生长掺Bi稀土石榴石薄膜(ReBi)<Sub>3</Sub>Fe<Sub>5</Sub>O<Sub>12</Sub>的生长技术，包括如下步骤：（A...
- 陈运茂姜帆游斌任仕晶
- 文献传递
- 低饱和磁化强度、小线宽石榴石铁氧体单晶材料的可控制备
- 2021年
- 利用助熔剂法制备了不同In、V掺杂浓度的BiCaInV铁氧体单晶材料。通过X射线荧光光谱分析获得了不同掺杂离子的浓度,发现随着V离子浓度的增加,In离子的掺杂浓度明显减小。借助透射电子显微镜测试揭示了In离子对BiCaInV的晶胞起着主导作用,且随着In离子掺杂浓度的减小,BiCaInV单晶的晶面间距逐渐减小。进一步通过振动样品磁强计表征了单晶样品的磁学性能,结果表明随着In离子掺杂浓度的减小,饱和磁化强度、居里温度均逐渐增加,共振线宽逐渐减小。与其他BiCaInV单晶相比,该单晶不仅具有较低的饱和磁化强度和温度系数,还拥有更小的共振线宽(<80 A/m),线宽最小值可达42.22 A/m。因此实现了低饱和磁化强度、超小线宽BiCaInV石榴石铁氧体单晶材料的可控制备,为BiCaInV单晶在低频微波器件中的应用开拓了更广阔的前景。
- 姜帆游斌蓝江河魏占涛熊政伟
- 关键词：饱和磁化强度线宽石榴石单晶
- 甚高频用超低饱和磁化强度In∶BiCaVIG晶体生长及磁特性研究
- 2021年
- 利用加速坩埚转动技术制备了超低饱和磁化强度(Ms)石榴石型In∶BiCaVIG单晶铁氧体材料,系统研究了单晶样品的晶体结构、微观形貌及磁学性能。结果表明:In∶BiCaVIG单晶样品结晶良好,具有体心立方结构;样品的居里温度为104℃,饱和磁化强度为60 G,饱和磁化强度偏差达到±20 G,略优于美国Microphere公司同类型材料产品。经过抛光处理后的球形样品线宽明显减小,最小线宽为5.8 Oe,这是因为化学抛光处理可以均匀腐蚀加工应力层,导致线宽减小。另外,与未掺杂BiCaVIG单晶相比,超低饱和磁化强度样品的线宽明显要大,这主要跟样品的饱和磁化强度大小有关。
- 魏占涛游斌姜帆张平川蓝江河
- 关键词：甚高频
- 低饱和磁化强度旋磁In-BiCaVIG单晶小球制备
- 2020年
- 采用助熔剂法以Bi2O3、PbO为助溶剂结合加速坩埚转动技术生长了4πMs为400 G、250 G、200 G的三种石榴石型In-BiCaVIG单晶,不同配方的单晶材料均能生长出线度在10 mm以上且包杂极少的单晶颗粒。采用“V”型槽研磨技术对系列单晶小球进行了磨抛加工处理,三种型号小球的球形度在1.0041~1.0048之间,略优于同尺寸的进口小球(球形度为1.0056)。对制备的三种小球进行了器件试用,结果表明,三种型号的单晶小球性能良好,能够满足相应滤波器的应用要求。XD4C型单晶小球的批量合格率接近84%,且批量性能一致性与进口小球相近;而XD2.5C和XD2C两种型号单晶小球的合格率则不到76%,还有待进一步提高。
- 魏占涛游斌姜帆陈运茂何志强
- 关键词：饱和磁化强度
