2024年11月26日
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张岩
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西安科技大学
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相关领域:
建筑科学
电子电信
交通运输工程
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合作作者
李妤晨
西安科技大学
徐大庆
西安科技大学
张超
西安科技大学
秦学斌
西安科技大学
任翔
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张岩
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李妤晨
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徐大庆
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张超
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柴生波
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具有突变隧穿结的绝缘层上张应变锗TFET及制备方法
本发明涉及一种具有突变隧穿结的绝缘层上张应变锗TFET及制备方法,该制备方法包括:制备绝缘层上张应变锗衬底;采用刻蚀工艺形成浅沟槽隔离;在衬底上表面采用光刻工艺形成漏区图形并采用带胶离子注入工艺在衬底上形成漏区;在衬底上...
李妤晨
张超
张岩
徐大庆
秦学斌
文献传递
一种季节冻土区单桩水平承载性状数值分析方法
本发明公开了一种季节冻土区单桩水平承载性状数值分析方法,通过有限元数值模拟研究了季节冻土区冻土层对黄土地基水平受荷桩承载力的影响规律。研究得出:单桩水平承载力受冻土层厚度和桩径影响显著,随冻土层厚度的增大而增大,但增加的...
张辉
郅彬
叶万军
刘平
陈兴周
张岩
文献传递
悬吊式挂篮预压方法
本发明公开了一种悬吊式挂篮预压方法,采用的装置包括用于放置配重物的堆载平台和设置在挂篮内的分配梁,所述分配梁安装在挂篮底模板上,所述堆载平台通过钢绞线悬吊在所述挂篮的下方,所述钢绞线的上端与所述分配梁连接,所述钢绞线的下...
任翔
柴生波
张岩
张玥
杜亚文
赵桂娟
董鹂宁
吝红育
高迎社
文献传递
具有突变隧穿结的PNIN/NPIP型UTB-SOI TFET及制备方法
本发明涉及一种具有突变隧穿结的PNIN/NPIP型UTB-SOI?TFET及制备方法,该制备方法包括步骤:选取UTB-SOI衬底;在衬底上形成浅沟槽隔离;在衬底上采用带胶离子注入工艺形成漏区;在衬底上采用干法刻蚀工艺形成...
李妤晨
刘树林
童军
张岩
张超
徐大庆
岳改丽
杨波
刘宁庄
秦学斌
基于MOS管的TSV转接板及其制备方法
本发明涉及一种基于MOS管的TSV转接板及其制备方法,该方法包括:选取Si衬底;在所述Si衬底上制备栅极区、源区和漏区形成MOS管器件区;利用刻蚀工艺,在所述MOS管器件区两侧依次制备隔离沟槽和TSV;对所述隔离沟槽进行...
李妤晨
刘树林
张超
岳改丽
童军
徐大庆
张岩
杨波
刘宁庄
文献传递
一种增塑剂中癸二酸二辛酯吸附材料、制备方法及其应用
本发明公开了一种增塑剂中癸二酸二辛酯吸附材料、制备方法及其应用,包括将离子液体[BPy]THR、(NH<Sub>4</Sub>)<Sub>3</Sub>C<Sub>6</Sub>H<Sub>5</Sub>O<Sub>7<...
卢昶雨
高欣
赵璐
李涵
张岩
王一凡
刘一靖
袁婧
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具有突变隧穿结的UTB-SOI隧穿场效应晶体管及制备方法
本发明涉及一种具有突变隧穿结的UTB-SOI隧穿场效应晶体管及制备方法,该制备方法包括:选取UTB-SOI衬底;形成浅沟槽隔离;光刻形成漏区图形,带胶离子注入形成漏区;干法刻蚀形成源区沟槽;在源区沟槽内淀积硅材料并进行原...
李妤晨
张岩
张超
徐大庆
秦学斌
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一种改善电源完整性的芯片结构及应用其的堆叠结构
本实用新型公开了一种改善电源完整性的芯片结构及应用其的堆叠结构,芯片结构包括有源区、第一介质层、第一布线层、第二介质层、第二布线层、第三介质层、电源网络层、第四介质层和再布线层,第二布线层内设置有地线面和电源面,有源区、...
张岩
李妤晨
张超
李远成
一种化工厂废液中二甲基甲酰胺捕获材料、制备及应用
本发明公开了一种化工厂废液中二甲基甲酰胺捕获材料、制备及应用,包括将磷酸二氢钾、聚丙烯酰胺‑二甲基乙醇胺接枝螯合凝胶和氮丁基吡啶四氟硼酸盐混合后灼烧得到;所述灼烧的温度为120~150℃;所述的磷酸二氢钾、聚丙烯酰胺‑二...
卢昶雨
田华
赵璐
李涵
李慧玲
李紫薇
张岩
张雯露
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一种季节冻土区单桩水平承载性状数值分析方法
本发明公开了一种季节冻土区单桩水平承载性状数值分析方法,通过有限元数值模拟研究了季节冻土区冻土层对黄土地基水平受荷桩承载力的影响规律。研究得出:单桩水平承载力受冻土层厚度和桩径影响显著,随冻土层厚度的增大而增大,但增加的...
张辉
郅彬
叶万军
刘平
陈兴周
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