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陈旭东

作品数：19 被引量：2H指数：1
供职机构：南京邮电大学更多>>
发文基金：中国博士后科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇专利
  • 2篇学位论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 9篇晶体管
  • 7篇有机场效应晶...
  • 7篇晶体
  • 7篇场效应
  • 7篇场效应晶体管
  • 5篇阳极
  • 5篇介质隔离
  • 5篇半导体
  • 5篇LIGBT
  • 4篇埋氧层
  • 4篇负阻
  • 4篇存储器
  • 3篇电极
  • 3篇有机半导体
  • 3篇栅电极
  • 3篇击穿电压
  • 3篇极区
  • 3篇关断
  • 3篇浮栅
  • 3篇负阻效应

机构

  • 19篇南京邮电大学
  • 1篇东南大学

作者

  • 19篇陈旭东
  • 10篇成建兵
  • 7篇仪明东
  • 5篇刘雪松
  • 4篇黄维
  • 4篇解令海
  • 3篇李雯
  • 3篇李宇
  • 3篇李焕群
  • 1篇凌海峰
  • 1篇周骏

传媒

  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2019
  • 6篇2018
  • 4篇2017
  • 3篇2016
  • 4篇2015
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种浮栅型柔性低电压有机场效应晶体管存储器
本发明公开了一种浮栅型柔性低电压有机场效应晶体管存储器，该存储器包含在半导体层上通过真空蒸镀工艺形成的源极、漏极，半导体层以下依次为隧穿层、浮栅层、电荷阻挡层、栅电极和柔性塑料衬底，所述的电荷阻挡层采用的是高绝缘性交联聚...
仪明东吴德群解令海陈旭东黄维
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一种有机场效应晶体管存储器及该存储器的制备方法
本发明提供了一种有机场效应晶体管存储器及该存储器的制备方法，该有机场效应晶体管存储器包括衬底、栅电极、源电极、漏电极、聚合物驻极体层，还包括作为有源层的叠层有机半导体异质结，所述叠层有机半导体异质结包括至少一个由两个p型...
仪明东宋子忆李雯陈旭东李焕群李宇
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一种三层异质结有机场效应晶体管存储器及制备方法
本发明公开了一种三层异质结有机场效应晶体管存储器及制备方法，存储器包括衬底，衬底上由上至下依次包括源漏电极、有机半导体异质结、栅绝缘层和栅电极，有机半导体异质结与栅绝缘层之间设有聚合物驻极体层，栅绝缘层覆盖在整个栅电极表...
仪明东宋子忆李雯李宇陈旭东李焕群
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一种半导体纳米阵列有机场效应晶体管多位存储器及其制备方法
本发明提供了一种半导体纳米阵列有机场效应晶体管多位存储器及其制备方法，该存储器从下至上依次包括衬底、栅绝缘层、电荷存储层、有机半导体层、源漏电极，所述电荷存储层为半导体纳米阵列薄膜，是由掺杂了半导体纳米粒子的低介电常数聚...
仪明东陈旭东黄维宋子忆解令海
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一种双层部分SOI LIGBT器件及其制造方法
本发明公开了一种双层部分SOI LIGBT器件，包括硅衬底，硅衬底上从左到右依次设有第一埋氧层和N埋层，N埋层的上表面高于第一埋氧层的上表面，第一埋氧层上设有P埋层，N埋层上设有第二埋氧层，P埋层的上表面和第二埋氧层的上...
郭厚东成建兵陈旭东滕国兵
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一种阳极抬高的LIGBT器件及制造方法
本发明涉及一种阳极抬高的LIGBT器件及制造方法，属于电子技术领域。该LIGBT器件将常规短路LIGBT的阳极区的N+抬高，并且将阳极N+和阳极P+之间用介质隔离。这种新型的阳极N+抬高的结构一方面在保证器件较少的关断时...
成建兵刘雪松俞露露陈旭东郭厚东滕国兵
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一种PN结辅助触发SCR-LDMOS结构的高压ESD保护器件
本发明公开了一种PN结辅助触发SCR?LDMOS结构的高压ESD保护器件，包括P型硅衬底，所述P型硅衬底上设有埋氧层，埋氧层上设有漂移区，漂移区的上方从左到右依次设有N?buffer区、P区、P?body区；所述N?bu...
滕国兵成建兵陈旭东郭厚东
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一种介质隔离与结隔离相结合的LIGBT器件
本实用新型涉及一种介质隔离与结隔离相结合的LIGBT器件，属于电子技术领域。该LIGBT器件将常规短路LIGBT的阳极区采用介质隔离与结隔离相结合的结构：阳极N+和P+之间用介质隔离，N+下面采用结隔离。这种新型的介质隔...
刘雪松成建兵俞露露陈旭东郭厚东滕国兵
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一种阳极抬高的LIGBT器件及制造方法
本发明涉及一种阳极抬高的LIGBT器件及制造方法，属于电子技术领域。该LIGBT器件将常规短路LIGBT的阳极区的N+抬高，并且将阳极N+和阳极P+之间用介质隔离。这种新型的阳极N+抬高的结构一方面在保证器件较少的关断时...
成建兵刘雪松俞露露陈旭东郭厚东滕国兵
一种PN结辅助触发SCR-LDMOS结构的高压ESD保护器件
本发明公开了一种PN结辅助触发SCR‑LDMOS结构的高压ESD保护器件，包括P型硅衬底，所述P型硅衬底上设有埋氧层，埋氧层上设有漂移区，漂移区的上方从左到右依次设有N‑buffer区、P区、P‑body区；所述N‑bu...
滕国兵成建兵陈旭东郭厚东
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