宋江
- 作品数：12 被引量：11H指数：1
- 供职机构：西安工程大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金陕西省教育厅科研计划项目博士科研启动基金更多>>
- 相关领域：化学工程电子电信理学一般工业技术更多>>
- K掺杂优化CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷介电性能的研究被引量：1
- 2019年
- 使用固相反应法制备了不同浓度K^+掺杂的CaCu_3Ti_4O_(12)(CCTO)陶瓷试样,采用XRD、SEM、EDS、XPS、宽频介电谱仪对掺杂后的CCTO陶瓷的相结构、显微结构、晶粒与晶界内阳离子分布、阳离子氧化态、介电性能进行了表征,结果表明:K^+优先替代了Ca^(2+)形成受主掺杂。根据电荷守恒,晶粒内以生成氧空位为主,金属离子析出被抑制,此时晶粒尺寸趋于减小。当掺杂浓度超过6 mol%时,晶胞膨胀形成了Cu空位。介电性能的变化与点缺陷和显微结构的变化有关,K^+掺杂后,晶粒尺寸先减小,然后随掺杂浓度的增加而增大。掺杂使晶界与晶粒比例的变化或阻抗的改变,导致了晶粒尺寸或阻抗的变化,从而影响CCTO介电性能。因此,点缺陷调控是改善CCTO介电性能的有效方式。
- 曹壮成鹏飞宋江
- 关键词：CACU3TI4O12掺杂介电性能
- 一种低损耗巨介电常数陶瓷材料的制备方法
- 本发明公开的一种低损耗巨介电常数陶瓷材料的制备方法，具体步骤为：步骤1、于空气气氛下，将CaCO<Sub>3</Sub>粉末、CuO粉末、TiO<Sub>2</Sub>粉末及Nd<Sub>2</Sub>O<Sub>3</...
- 成鹏飞宋江
- 文献传递
- 用于ZnO单晶物理参数的无损检测方法
- 本发明公开的用于ZnO单晶物理参数的无损检测方法主要是基于点缺陷弱束缚电子跳跃电导的介电弛豫效应：高频下弱束缚电子的输运仅限于晶胞内，主要表现为介电弛豫；低频下弱束缚电子的输运可跨越耗尽层，甚至整个晶粒，主要表现为电导过...
- 成鹏飞宋江
- 文献传递
- CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷淬火态微结构与介电性能研究被引量：1
- 2017年
- 采用传统的电子陶瓷工艺制备了CaCu_3Ti_4O_(12)(以下简称CCTO)陶瓷,主要研究了1 100℃空气气氛下淬火对CCTO介电性能的影响。SEM和XRD研究表明,淬火并未改变CCTO陶瓷的晶粒尺寸大小,但会增加陶瓷表面CuO的析出。介电谱测试发现,经过淬火的CCTO陶瓷在低频下的介电常数和介电损耗均明显增大,而高频介电常数和介电损耗几乎不变。阻抗谱分析进一步表明,淬火后试样的晶界电阻显著降低,可能是晶界氧化相对不足,晶界界面态密度下降,导致耗尽层厚度减小,于是低频介电常数和介电损耗同时增大;由于氧化主要发生在晶界,晶粒点缺陷浓度几乎不受影响,因此晶粒尺寸和晶粒电阻几乎不随淬火而变化。
- 宋江成鹏飞武康宁贾然
- 关键词：淬火阻抗谱点缺陷
- 第一性原理对CaTiO_3和CaCu_3Ti_4O_(12)的对比研究被引量：1
- 2017年
- 通过Ca替换CaCu_3Ti_4O_(12)晶胞中的所有Cu,建立了包含TiO6八面体扭转的CaTiO3;通过Cu替换CaTiO32×2×2超胞中3/4的Ca,建立了不包含CuO_4正方形的CaCu_3Ti_4O_(12)。采用Materials Studio软件的CASTEP模块,对比了上述晶体和标准晶体成键状况、能带结构、态密度及介电函数,分析了TiO6八面体扭转和CuO_4正方形的影响,发现了Cu-O键或CuO_4正方形对CaCu_3Ti_4O_(12)光频介电常数的关键性作用。研究结果提供了通过内禀机制优化CaCu_3Ti_4O_(12)材料介电性能的新途径。
- 成鹏飞宋江曹壮
- 关键词：CACU3TI4O12第一性原理电子结构介电函数
- 用于ZnO陶瓷点缺陷结构检测的温差电势电流方法
- 本发明公开的用于ZnO陶瓷点缺陷结构检测的温差电势电流方法：先将待测纯度的ZnO粉末压制成圆片状的ZnO生坯，对ZnO生坯依次进行烧结及表面被银电极处理，得到表面含银电极的ZnO陶瓷圆片；制备裹敷银电极的温差电势电流测试...
- 成鹏飞宋江
- 文献传递
- 用于ZnO陶瓷点缺陷结构检测的温差电势电流方法
- 本发明公开的用于ZnO陶瓷点缺陷结构检测的温差电势电流方法：先将待测纯度的ZnO粉末压制成圆片状的ZnO生坯，对ZnO生坯依次进行烧结及表面被银电极处理，得到表面含银电极的ZnO陶瓷圆片；制备裹敷银电极的温差电势电流测试...
- 成鹏飞宋江
- CaCu3Ti4O12巨介电常数陶瓷介电弛豫机理与掺杂改性研究
- CaCu3Ti4O12（以下简称CCTO）陶瓷是一种新型的高介电常数材料,其介电常数高达104以上,在100K600K的温度范围和102105Hz的频率范围内,介电常数几乎不发生变化,但是CCTO陶瓷的介电损耗角正切值t...
- 宋江
- 关键词：CACU3TI4O12巨介电常数介电损耗氧空位掺杂
- 文献传递
- 一种低损耗巨介电常数陶瓷材料的制备方法
- 本发明公开的一种低损耗巨介电常数陶瓷材料的制备方法，具体步骤为：步骤1、于空气气氛下，将CaCO<Sub>3</Sub>粉末、CuO粉末、TiO<Sub>2</Sub>粉末及Nd<Sub>2</Sub>O<Sub>3</...
- 成鹏飞宋江
- 巨介电常数陶瓷CaCu3Ti4O12的研究进展被引量：10
- 2016年
- CaCu_3Ti_4O_(12)(CCTO)陶瓷具有高介电常数和高热稳定性,这使得CCTO可能在高密度信息储存、高介电电容器、大规模集成电路等领域获得广泛使用。系统地介绍了CCTO高介电常数起源的内禀机制和外禀机制,详细归纳了元素掺杂对CCTO介电特性的影响,阐述了巨介电常数与本征点缺陷的内在关联,肯定了晶粒电导赝极化理论,指出了CCTO巨介电常数陶瓷研究的重点在于:基于外禀机制的IBLC模型,通过晶胞掺杂或晶界掺杂改变晶粒或者晶界的电导,进而调控CCTO的介电损耗,使CCTO保持较高介电常数的前提下,在很宽的频率范围内使介电损耗正切值降低到0.1以下。
- 宋江成鹏飞王秋萍余花娃李盛涛李建英
- 关键词：CACU3TI4O12
