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于亮亮

作品数：44 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 42篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 23篇恒流
  • 20篇二极管
  • 15篇金属阴极
  • 15篇恒流二极管
  • 14篇功率器件
  • 14篇半导体
  • 13篇氧化层
  • 13篇金属阳极
  • 10篇栅氧化
  • 10篇栅氧化层
  • 10篇接触区
  • 10篇结终端
  • 9篇芯片
  • 9篇垂直型
  • 8篇半导体功率器...
  • 7篇驱动电路
  • 6篇调光
  • 6篇调光功能
  • 6篇多晶
  • 6篇多晶硅

机构

  • 44篇电子科技大学

作者

  • 44篇于亮亮
  • 42篇乔明
  • 41篇张波
  • 18篇何逸涛
  • 15篇李成州
  • 13篇李路
  • 12篇代刚
  • 12篇方冬
  • 7篇张康
  • 6篇宋旭
  • 6篇肖倩倩
  • 4篇杨文
  • 3篇卢璐
  • 2篇陈钢
  • 2篇方东
  • 1篇李威
  • 1篇张晓菲
  • 1篇田瑞

传媒

  • 1篇四川省电子学...

年份

  • 6篇2019
  • 2篇2018
  • 12篇2017
  • 14篇2016
  • 9篇2015
  • 1篇2012
共 44 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
三端自带防护功能的垂直型恒流器件及其制造方法
本发明提供一种三端自带防护功能的垂直型恒流器件及其制造方法，器件包括集成在同一硅基片上的恒流器件结构和双向瞬态电压抑制二极管结构；恒流器件结构和双向瞬态电压抑制二极管结构共用N型掺杂衬底、第三P型重掺杂区、阳极、N型掺杂...
乔明方冬于亮亮李成州李路张波
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一种横向恒流二极管及其制造方法
本发明属于半导体功率器件技术领域，具体的说涉及一种横向恒流二极管及其制造方法。本发明所述的横向恒流二极管，其特征在于通过在普通恒流二极管的源极引入负反馈电阻，从而使恒流二极管的特性更加优良。本发明的有益效果为，引入的电阻...
乔明张康代刚何逸涛于亮亮张晓菲
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横向高压功率器件的结终端结构
本发明提供一种横向高压功率器件的结终端结构，包括直线结终端结构和曲率结终端结构；曲率结终端结构包括漏极N<Sup>+</Sup>接触区、N型漂移区、P型衬底、栅极多晶硅、栅氧化层、P‑well区、源极P<Sup>+</S...
乔明李路于亮亮方冬杨文张波
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一种半导体器件及其制造方法
一种半导体器件及其制造方法，属于半导体技术领域。包括多个结构相同并依次连接的元胞，所述元胞包括N型掺杂衬底，位于N型掺杂衬底之上的N型轻掺杂外延层，位于N型轻掺杂外延层之中的扩散P型阱区，位于扩散P型阱区之中的第一P型重...
乔明方冬于亮亮何逸涛张波
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一种SOI横向恒流二极管及其制造方法
本发明提供了一种SOI横向恒流二极管及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域。所述SOI横向恒流二极管由多个结构相同的元胞叉指连接形成，所述元胞包括衬底、埋氧层、N型轻掺杂硅、P型重掺杂区、N型重掺杂区、氧化介质层、金属...
乔明于亮亮代刚何逸涛张波
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一种LED恒流驱动电路
一种LED恒流驱动电路，属于半导体技术领域。包括可控硅调光模块、恒流整流模块、功率因素校正模块、滤波模块和电路保护模块，可控硅调光模块通过改变调光电位器RW阻值改变导通延时和导通角大小，使得流过LED的电流占空比发生变化...
乔明李路朱旭晗宋旭于亮亮梁龙飞张波
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横向高压功率器件的结终端结构
本发明提供一种横向高压功率器件的结终端结构，包括直线结终端结构和曲率结终端结构；曲率结终端结构包括漏极N<Sup>+</Sup>接触区、N型漂移区、P型衬底、栅极多晶硅、栅氧化层、P‑well区、源极P<Sup>+</S...
乔明李成州于亮亮肖倩倩张波
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一种可调光LED驱动电路
一种可调光LED驱动电路，属于半导体技术领域。包括可控硅调光模块、恒流整流模块、功率因素校正模块、滤波模块和电路保护模块，可控硅调光模块通过改变调光电位器RW阻值改变导通延时和导通角大小，使得流过LED的电流占空比发生变...
乔明李路宋旭朱旭晗于亮亮梁龙飞张波
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一种桥式LED恒流驱动芯片
一种桥式LED恒流驱动芯片，属于半导体技术领域。包括4个高反向耐压恒流器件，第一高反向耐压恒流器件阳极与第四高反向耐压恒流器件阴极连接形成第一节点，第一高反向耐压恒流器件阴极与第二高反向耐压恒流器件阴极连接形成第二节点，...
乔明于亮亮何逸涛代刚张康张波
一种横向恒流二极管及其制造方法
本发明提出了一种横向恒流二极管及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域。所述横向恒流二极管由多个结构相同的元胞叉指连接形成，所述元胞包括P型轻掺杂衬底、扩散N型阱区、P型重掺杂区、第一N型重掺杂区、氧化介质层、金属阴极、...
乔明于亮亮何逸涛代刚张波
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