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赵晓宁

作品数:19 被引量:3H指数:1
供职机构:东北师范大学更多>>
相关领域:自动化与计算机技术理学文化科学电子电信更多>>

文献类型

  • 16篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇电子电信
  • 2篇文化科学
  • 2篇理学
  • 1篇化学工程

主题

  • 7篇存储器
  • 5篇电阻
  • 5篇微电子
  • 4篇电流
  • 4篇信号
  • 3篇低电流
  • 3篇底电极
  • 3篇微波吸收
  • 3篇微电子材料
  • 3篇缓冲层
  • 3篇非晶
  • 3篇非晶碳
  • 2篇单极性
  • 2篇电子器件
  • 2篇定值电阻
  • 2篇信号设计
  • 2篇运行电流
  • 2篇输入端
  • 2篇数字型
  • 2篇双极性

机构

  • 19篇东北师范大学

作者

  • 19篇赵晓宁
  • 13篇徐海阳
  • 13篇王中强
  • 13篇刘益春
  • 4篇马剑钢
  • 3篇张雪峰
  • 2篇许嘉琪
  • 1篇刘晓芳
  • 1篇陶冶

传媒

  • 2篇物理实验

年份

  • 2篇2023
  • 4篇2022
  • 2篇2021
  • 2篇2020
  • 5篇2019
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
19 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
图像模式识别模拟与数字混合忆阻设备及制备,实现STDP学习规则和图像模式识别方法
本发明涉及一种图像模式识别模拟与数字混合忆阻设备及制备,实现STDP学习规则和图像模式识别方法,包括底电极,顶电极,位于两电极之间的氧化钨薄膜组成的阻变功能层,该薄膜由磁控溅射生长;在小电压刺激下设备呈现模拟型阻变,在大...
王中强林亚汪聪任衍允赵晓宁徐海阳刘益春
文献传递
一种双极性/无极性可逆互转型阻变存储器及其制备方法
本发明涉及本发明的一种双极性/无极性可逆互转型阻变存储器及其制备方法,包括SiO2衬底,设置于SiO2衬底上的惰性金属底电极,设置于底电极上的MoS2阻变介质层,设置于MoS2阻变介质层上的活性金属顶电极。本发明解决现有...
徐海阳赵晓宁范泽莹王中强马剑钢刘益春
一种电流预作用提升非晶碳忆阻器阻变可靠性的方法
本发明公开了一种电流预作用提升非晶碳忆阻器阻变可靠性的方法,属于微电子器件领域。该方法预先利用微小电流作用于非晶碳忆阻器,能够诱导非晶碳内部sp<Sup>2</Sup>杂化团簇团聚,增强薄膜内部局域电场,进而降低非晶碳忆...
赵晓宁王中强丁文涛林亚徐海阳刘益春
文献传递
钙钛矿阻变存储器过冲电流的抑制方法
本发明公开了一种钙钛矿阻变存储器过冲电流的抑制方法,其包括如下步骤:S1、连接测试电路,并在阻变存储器处设置光源;S2、开启光源,使用源表施加偏压,完成阻变存储器的电激活、开启过程;S3、关闭光源,使用源表施加偏压,完成...
徐海阳王中强孙绍武赵晓宁马剑钢刘益春
文献传递
碳量子点修饰对有机-无机杂化钙钛矿阻变性能的影响
2022年
通过在前驱体中添加碳量子点(CQD),制备了具有不同晶粒尺寸的有机-无机杂化钙钛矿CH_(3)NH_(3)PbI_(3)(MAPbI_(3))薄膜,并以金(Au)和氟掺氧化锡(FTO)为电极制备了具有Au/CQD-MAPbI_(3)/FTO结构的阻变器件.测试了CQD掺杂浓度对器件阻变性能的影响,并分析了其物理机制.结果表明:通过优化CQD掺杂质量浓度可以提升器件开关比,降低器件运行电压的波动.基于导电通道模型,器件阻变性能提升的可能原因为晶界主导的碘离子迁移随机性降低,导电通道结构简化.
陈晓婷张晓晗许嘉琪赵晓宁
一种自供电读取多级电阻态的阻变存储器及其制备方法
本发明公开了一种自供电读取多级电阻态的阻变存储器及其制备方法,属于微电子器件领域。所述阻变存储器的器件结构包括惰性底电极和顶电极金属钨,以及介于二者之间的自供电层和阻变层。其中,自供电层是经过氧等离子体处理的非晶碳薄膜,...
徐海阳王中强陶冶丁文涛赵晓宁刘益春
文献传递
一种可外力调控的复合型微波吸收体及制备方法
本发明属于微波吸收领域,公开了一种可外力调控的复合型微波吸收体及制备方法。所述的吸收体以纳米泡棉作为载体,吸附一系列金属/碳核壳型微纳米粉体。所述泡棉可以为类三聚氰胺泡棉、聚氨酯泡棉、乙烯‑醋酸乙烯共聚物泡棉中的一种;所...
张雪峰李逸兴赵晓宁李剑飞周丽平齐琦琦
一种包含双缓冲层的低电流长寿命忆阻器及其制备方法
本发明公开了一种包含双缓冲层的低电流长寿命忆阻器及其制备方法,属于微电子材料器件领域。所述忆阻器由下至上依次包括基片、底电极、介质层、双缓冲层、活性金属顶电极。本发明将包括含有缺陷的二维层状材料和碲基硫系化合物作为双缓冲...
徐海阳赵晓宁田巧玲王中强刘益春
文献传递
一种基于晶体管和忆阻器的模拟联想学习电路及控制方法
本发明涉及一种基于晶体管和忆阻器的模拟联想学习电路及控制方法,nMOS管、忆阻器、定值电阻进行串联,nMOS管的漏极连接忆阻器的顶电极,忆阻器的底电极连接定值电阻的一端,定值电阻另一端接入地,反向器接在nMOS管的栅极与...
徐海阳汪聪杜怡明王中强林亚赵晓宁刘益春
基于果胶材料的阻变存储器离子缓冲层研究被引量:2
2021年
采用微波辅助法制备了生物果胶薄膜,并作为缓冲层,制作了Ag/pectin/a-C/Pt阻变存储器.利用原子力显微镜表征薄膜表面的电流分布,探究了果胶薄膜的离子缓冲机理.分析了基于果胶薄膜的阻变存储器的阻变性能和阻变机制.结果表明:该缓冲层能够降低器件开关电压的波动性,提升高低阻态开关比.通过调控限制电流,在单一器件上实现了多阻态信息存储.
赵晓宁赵晓宁许嘉琪
共2页<12>
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