孙涛
- 作品数：27 被引量：14H指数：3
- 供职机构：常州大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省“青蓝工程”基金江苏高校优势学科建设工程资助项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信动力工程及工程热物理自动化与计算机技术更多>>
- 一种基于碰撞原理分选退役光伏电池颗粒数值模拟方法
- 本发明涉及固体废品回收技术领域，尤其是涉及一种基于碰撞原理分选退役光伏电池颗粒数值模拟方法，包括步骤如下：S1、建立电晕辊式静电分选器内腔简化物理模型，所述简化模型为平面模型；S2、选取物理场模块；S3、设置平面区域内介...
- 朱科钤王文建孙涛王雨晨王振旭林俊良
- 激光重熔改性对电弧喷涂Al涂层性能的影响被引量：1
- 2018年
- 为改进电弧喷涂Al层和钢基体之间的结合强度,利用Comsol软件分析不同激光功率对材料温度场的影响,然后通过激光重熔工艺对模拟结果进行实验验证。采用扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)分析试样界面形貌、涂层化学元素与微观结构组成,探讨了涂层与基体的结合性能,并通过电化学腐蚀实验分析涂层耐腐蚀性能。结果表明,在600W和1000W激光功率下,基体与涂层均未实现理想结合;在800W功率下,Al涂层与基体在激光重熔后由机械结合变为冶金结合,形成了基体-结合层-涂层的复合结构,使基体与涂层的结合性能得到显著提高,强化了Al涂层的耐腐蚀性能。
- 董学泉袁惠新孙涛
- 关键词：电弧喷涂激光重熔AL涂层冶金结合
- 一种硅片水平生长设备和方法
- 本发明公开一种硅片水平生长设备和方法，该硅片水平生长设备包括外壳，形成腔体；坩埚，位于所述腔体中，具有熔料区、溢流口、第一溢流面和第二溢流面；入料组件，向所述熔料区加入硅原料，且加料速率可调；加热组件，包括两个可移动的加...
- 丁建宁袁宁一徐嘉伟沈达鹏徐晓东孙涛王书博
- 文献传递
- 球形受污染球形气泡界面性质和运动特性的研究
- 泡状流动广泛存在于诸多工业过程,而工业应用中的液体由于杂质(或添加剂)的存在,难以保持绝对纯净,使得气泡界面被污染,进而会导致泡状流动结构的改变。而且目前国内外学者对于污染物吸附动力学参数的研究非常有限,往往采用研究较为...
- 孙涛
- 关键词：雷诺数尾流表面活性剂
- 文献传递
- 一种连续制备大面积纳米绒面的反应离子刻蚀装置及其方法
- 本发明涉及一种连续制备大面积纳米绒面的反应离子刻蚀方法，包括S1：将预制绒的硅片进行清洗和预处理；S2：将去除损伤后的硅片放至装载台的载板后，依次通过装载腔和工艺缓冲腔进入工艺腔；S3：打开抽真空设备，SF<Sub>6<...
- 丁建宁孙涛李绿洲上官泉元
- 文献传递
- 基于改进pso-Hkelm的传感器网络故障诊断方法
- 本发明涉及故障诊断技术领域，尤其涉及基于改进pso‑Hkelm的传感器网络故障诊断方法，包括采集无线传感器网络的参数和对应故障类型，并进行预处理后划分为训练集和测试集；在极限学习机的基础上引入混合核函数进行改进；利用混合...
- 史兵高泽林赵建华孙涛宦娟
- 水研磨分离退役光伏组件的SPH-FEM耦合模拟方法
- 本发明涉及退役光伏回收技术领域，尤其是涉及水研磨分离退役光伏组件的SPH‑FEM耦合模拟方法，具体操作步骤如下：A1、设置模拟实验数据：上半部分圆形水射流出口面的直径、下半部分EVA封装材料的长方体固体域的大小、水射流出...
- 朱科钤王振旭孙涛张瀚文张新哲庄虎梁
- 槽道湍流内气泡瞬态受力数值研究被引量：2
- 2016年
- 为了深入理解气泡在湍流场内的运动机制,使用欧拉-拉格朗日单向耦合数值方法,详细分析了气泡在低雷诺数槽道湍流场内的瞬态受力情况;其中液相湍流速度场采用直接数值模拟方法求解,气泡的瞬态受力由牛顿运动方程计算;计算时,考虑了相间阻力、剪切升力、压力梯度力、虚拟质量力、重力对气泡运动的影响。目前的计算结果表明:气泡所受的瞬态作用力分量同时取决于重力作用方向、液相流向以及气泡所处的法向位置;不同方向上、不同位置处影响气泡运动的主要作用力分量是不同的;相比较而言,与重力方向垂直的剪切升力分量在近壁面区域为影响气泡运动的主要作用力,压力梯度力的法向分量在近壁面区域之外为影响气泡运动的主要作用力,相间阻力分量在整个槽道区域内均为影响气泡运动的主要作用力,除了竖直槽道近壁面处之外、虚拟质量力也均为影响气泡运动的主要作用力。
- 庞明军孙涛代军荣
- 关键词：直接数值模拟气泡受力分析
- 一种利用孔板双液面测量液体表面张力的支架及测量方法
- 本发明一种利用孔板双液面测量液体表面张力的支架及测量方法，是一种利用液面轮廓法测量液体表面张力的方法。本发明所用测量支架结构简单，制造成本低，测量中所需被测液体少，适用于不同真空度、变温度、变环境压力等条件下的测试。支架...
- 坎标孙涛丁建宁李征宇
- 文献传递
- 一种硅片水平生长设备和方法
- 本发明公开一种硅片水平生长设备和方法，该硅片水平生长设备包括外壳，形成腔体；坩埚，位于所述腔体中，具有熔料区、溢流口、第一溢流面和第二溢流面；入料组件，向所述熔料区加入硅原料，且加料速率可调；加热组件，包括两个可移动的加...
- 丁建宁袁宁一徐嘉伟沈达鹏徐晓东孙涛王书博
