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赵东东

作品数:5 被引量:0H指数:0
供职机构:西安电子科技大学更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 3篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇MOS场效应...
  • 3篇场效应
  • 3篇场效应管
  • 2篇冗余
  • 2篇总剂量
  • 2篇总剂量辐照
  • 2篇阈值电压
  • 2篇阈值电压漂移
  • 2篇抗辐照
  • 2篇沟道
  • 2篇掺杂
  • 1篇电路
  • 1篇动力学
  • 1篇动力学模拟
  • 1篇石墨
  • 1篇石墨烯
  • 1篇石墨烯材料
  • 1篇蒙特卡罗模拟
  • 1篇客户
  • 1篇客户服务

机构

  • 5篇西安电子科技...

作者

  • 5篇赵东东
  • 3篇张丹
  • 3篇陈树鹏
  • 3篇刘红侠
  • 3篇刘永杰
  • 2篇王树龙
  • 1篇汪星

年份

  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 2篇2015
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
基于65nm工艺的环栅抗辐照MOS场效应管
本发明公开了一种基于65nm工艺的环栅抗辐照MOS场效应管,主要解决传统65nm MOS场效应管在总剂量辐照环境下,阈值电压漂移、亚阈值摆幅退化和关态漏电流退化的问题。其包括P型衬底(1)和位于衬底上的外延层(2),外延...
刘红侠陈树鹏张丹陈煜海刘永杰王倩琼赵东东汪星
文献传递
一种制备基于65nm工艺的冗余掺杂抗辐照MOS场效应管的方法
本发明公开了一种基于65nm工艺的冗余掺杂抗辐照MOS场效应管,主要解决传统65nm MOS场效应管在总剂量辐照环境下,阈值电压漂移、亚阈值摆幅退化和关态漏电流退化的问题。其包括P型衬底(1)和位于衬底上的外延层(2),...
刘红侠陈树鹏张丹陈煜海刘永杰王倩琼赵东东王树龙
文献传递
MOS器件与石墨烯材料辐照效应的多尺度模拟研究
随着半导体技术不断发展,很多新型器件不断涌现,当器件处于复杂的辐射环境中,如军事装备面临的核爆环境以及空间探测面临的太阳射线、宇宙射线等,其可靠性就成为决定电子设备能否长期使用的关键因素。目前,数值模拟方法有很多种,通常...
赵东东
关键词:蒙特卡罗模拟分子动力学模拟MOS器件石墨烯辐照损伤
文献传递
基于SSH框架的CRM系统的设计与实现
目前,在大中型的企业中,CRM系统基本上都是作为企业信息系统中的一部分或者是ERP软件中的一个模块引入的,但是这些CRM系统管理软件基本都是按照西方管理制度设计的,所以在很多时候还不能完全解决中国特色的中小企业的问题,并...
赵东东
关键词:J2EECRM客户关系管理客户服务
文献传递
基于65nm工艺的冗余掺杂抗辐照MOS场效应管
本发明公开了一种基于65nm工艺的冗余掺杂抗辐照MOS场效应管,主要解决传统65nm MOS场效应管在总剂量辐照环境下,阈值电压漂移、亚阈值摆幅退化和关态漏电流退化的问题。其包括P型衬底(1)和位于衬底上的外延层(2),...
刘红侠陈树鹏张丹陈煜海刘永杰王倩琼赵东东王树龙
共1页<1>
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