王升 作品数:16 被引量:18 H指数:3 供职机构: 西南应用磁学研究所 更多>> 相关领域: 电子电信 电气工程 一般工业技术 更多>>
低温磁瓷共烧复合基材及制备方法 本发明涉及低温磁瓷共烧复合基材和微波领域,特别涉及一种低温磁瓷共烧复合基材,包括介质层,其由介质粉料加入流延载体经制浆流延而成;磁性层,其由铁氧体材料加入流延载体制浆流延而成;以及过渡层,其由介质粉料以及铁氧体材料加入流... 王永明 廖杨 王升 韩志全 冯涛 陈劲松 张菊艳文献传递 层压方法对功率型LTCF变压器结构及性能的影响 被引量:1 2017年 采用双层硅胶加盖不锈钢材质层压板的层压方法制备功率型低温共烧铁氧体(LTCF)变压器。通过断面显微结构、电感值及耐压的测试,研究了层压方法对其结构及性能的影响。结果表明,相对于传统的层压方法,新方法制作的变压器层压受力均匀、表面不平整度≤±5μm/10 mm,无凸起、分层,排胶烧结过程中未出现开裂、翘曲等缺陷,显微结构理想。变压器性能为,初级电感:≥60μH、次级电感:≥2.6 m H、漏感:≤35μH、耐压:≥1500V(DC),且满足高低温应用环境(-55^+85℃)下磁性能使用可靠性和环境适应性要求。 陈轲 王升 刘兴 彭梓 王泽兴大功率多层片式铁氧体器件用宽温镍锌LTCF材料及制备方法 本发明公开了一种大功率多层片式铁氧体器件用宽温镍锌LTCF材料,其主成分是以摩尔百分比计的如下组分:NiO 8mol%~35mol%、ZnO 9mol%~35mol%、CuO 8mol%~12mol%、Fe<Sub>2<... 刘兴 陈轲 王升 何超文献传递 LTCC-LTCF复合电路基板结构 本发明涉及集成电路领域,其公开了一种LTCC-LTCF复合电路基板结构,由LTCC瓷片层和LTCF瓷片层组成,所述LTCC瓷片和LTCF瓷片为基本叠层单元,LTCC瓷片层和LTCF瓷片层以叠层方式排列。本发明的有益效果是... 张卫 张菊燕 王升 陈轲文献传递 一种功率型低温共烧铁氧体材料与隔离介质、银浆匹配共烧工艺 本发明公开了一种功率型低温共烧铁氧体材料与隔离介质、银浆匹配共烧工艺,依次包括如下步骤:(1)选择介质浆料进行电路图形印刷,(2)将步骤(1)所得的功率型低温共烧铁氧体材料进行多层叠片;(3)对多层叠片使用双层硅胶加盖不... 陈轲 王升 刘兴 彭梓文献传递 LTCC-LTCF复合电路基板结构 本实用新型涉及集成电路领域,其公开了一种LTCC-LTCF复合电路基板结构,由LTCC瓷片层和LTCF瓷片层组成,所述LTCC瓷片和LTCF瓷片为基本叠层单元,LTCC瓷片层和LTCF瓷片层以叠层方式排列。本实用新型的有... 张卫 张菊燕 王升 陈轲文献传递 组合掺杂对低温烧结NiZn功率铁氧体功耗特性的影响 被引量:5 2015年 采用陶瓷工艺制备低温烧结NiZn软磁铁氧体材料,研究了掺杂Co2O3、CuO、Bi2O3、V2O5、SiO2等对材料烧结温度及主要磁性能如磁导率、功耗等的影响. 结果表明,Bi2O3对降低材料烧结温度有益但对功耗改善无益,SiO2对功耗改善有益但效果不明显,而组合添加0.15mol% Co2O3、9.0mol% CuO、0.40-0.50wt% V2O5不仅可达到大幅度降低材料功率损耗,改善功耗特性,而且可保证材料低温烧结和其它优良磁性能,并获得具有低温烧结(烧结温度900℃左右)、低功耗(功率损耗Pcv≤300kW/m3(20℃,1MHz,30mT))、适于LTCF工艺和片式功率器件应用的NiZn功率铁氧体材料. 刘兴 王升 张鑫关键词:掺杂 功耗 高压LTCF变压器测试电路原理及实现 被引量:2 2018年 研究了高压LTCF变压器的测试原理与方法,并进行了相应的硬件电路设计与试验验证。该方法基于反激式变换电路,从理想变压器电路出发,推导了高压LTCF变压器输出电压公式,分析了各参量的影响。针对LTCF变压器的大漏感所造成的电压尖峰突出问题,采取增大寄生电容的方式予以抑制。最后,对电科九所生产的高压LTCF变压器进行实际测试,设计了开环电路测试变压器最大输出能力,闭环电路实现了1.2 k V稳定电压输出。 毕升 赵勇 张弛 王升 代中华关键词:测试电路 低温共烧铁氧体多层布线基板浆料、制成的基板及制备方法 本发明公开了一种低温共烧铁氧体多层布线基板浆料、制成的基板及制备方法,属于电子材料技术领域,所述浆料组成包括铁氧体粉料、溶剂、粘结剂、增塑剂、辅助增塑剂、分散剂、表面活性剂、相变剂,所述制备方法包括铁氧体配料、铁氧体混料... 周平章 王升 武文杰 李雪梅 李柯瑶 吴俊 张超 万飞LTCC片式耦合器的仿真设计研究 被引量:3 2012年 给出了一种基于LTCC技术的多层片式定向耦合器的设计方法。该设计采用宽边耦合的传输线实现耦合,并且在基体材料内没有地层,因而可以得到紧凑的结构。给出了通过电磁仿真软件HFSS仿真及设计DCS/PCS频段LTCC耦合器的详细实例。仿真结果表明,该器件频率使用范围为1810±100MHz,插入损耗不超过0.21dB,耦合度为16.5±1.0dB,电压驻波比不超过1.08,输出相位为90±2°,外型尺寸仅为1.0×0.5×0.35mm3;能够满足DCS/PCS频段手机的应用要求。 王升关键词:低温共烧陶瓷 仿真