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陈宗泽

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：重庆大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文专利

主题

  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇氧化硅
  • 1篇埋层
  • 1篇耐压结构
  • 1篇击穿电压
  • 1篇SOI

机构

  • 1篇重庆大学

作者

  • 1篇胡盛东
  • 1篇周峰
  • 1篇金晶晶
  • 1篇陈宗泽
  • 1篇黄野

年份

  • 1篇2015
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
一种具有部分复合埋层的SOI耐压结构
本发明公开了一种具有部分复合埋层的SOI耐压结构，包括P/N衬底1、设置在P/N衬底上的部分复合埋氧层4和设置在部分复合埋氧层上的有源顶硅层2，所述部分复合埋氧层4包括并列设置的埋氧层3和复合埋层，所述复合埋层包括设置在...
胡盛东陈银晖金晶晶周峰陈宗泽黄野
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