贺致远
- 作品数：5 被引量：0H指数：0
- 供职机构：信息产业部电子第五研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金湖南省教育厅科研基金广东省重大科技专项更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- AlGaN/GaN异质结场效应晶体管及其制备方法
- 本发明涉及一种AlGaN/GaN异质结场效应晶体管及其制备方法。该场效应晶体管包括栅极、源极、漏极、衬底、外延结构以及绝缘介质层，所述漏极、衬底、外延结构依次层叠设置；所述外延结构包括依次层叠设置的n型GaN层、垂直超结...
- 贺致远黄林轶胡坚耀徐华伟
- 文献传递
- 肖特基二极管及其制造方法
- 本发明公开一种肖特基二极管及其制造方法。所述肖特基二极管包括：衬底、缓冲层、外延结构、肖特基接触金属以及欧姆接触金属，衬底、缓冲层、外延结构依次层叠设置；所述外延结构包括依次层叠的超结层、GaN沟道层和势垒层，所述超结层...
- 贺致远徐华伟黄庆礼黄林轶
- 缺陷表面氮化镓二次外延的分子动力学研究
- 2018年
- 采用分子动力学方法研究含有表面缺陷的氮化镓材料的二次外延生长过程,探讨生长温度,表面缺陷数量和缺陷结构等对二次生长材料质量的影响.发现当在生长表面随机引入3.125%占比的空位缺陷且生长温度在1 373 K以上时,对材料质量的影响不明显;当随机引入12.5%占比的空位缺陷时,可以改善二次生长材料的质量;当在生长表面上引入12.5%占比的2个六边形结构空位缺陷时,缺陷区域出现大量原子的岛状生长,同时原子排列变得无序,二次生长的材料生长质量明显劣化.
- 文于华贺致远贺致远田芃张梅汤莉莉
- 关键词：氮化镓分子动力学
- 肖特基二极管及其制造方法
- 本发明公开一种肖特基二极管及其制造方法。所述肖特基二极管包括：衬底、缓冲层、外延结构、肖特基接触金属以及欧姆接触金属，衬底、缓冲层、外延结构依次层叠设置；所述外延结构包括依次层叠的超结层、GaN沟道层和势垒层，所述超结层...
- 贺致远徐华伟黄庆礼黄林轶
- 文献传递
- LED控制装置可靠性的温度影响因子研究
- 2016年
- 本文介绍了LED控制装置的元器件类型和失效率预计模型,根据LED控制装置在实际应用中的故障模式和关键元器件,结合可靠性试验和失效率预计思路,研究温度因子对元器件失效率的影响。
- 王深贺致远徐华伟刘群兴赵浩之
