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程志渊

作品数：66 被引量：0H指数：0
供职机构：浙江大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术金属学及工艺电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 64篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 13篇电子电信
  • 7篇自动化与计算...
  • 3篇金属学及工艺
  • 2篇电气工程
  • 1篇经济管理
  • 1篇机械工程
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 14篇发光
  • 12篇半导体
  • 11篇蓝宝
  • 11篇蓝宝石
  • 8篇相变材料
  • 8篇纳米
  • 8篇光效
  • 8篇光效率
  • 8篇发光效率
  • 7篇电路
  • 7篇纳米线
  • 6篇调制
  • 6篇衬底
  • 5篇原子层沉积
  • 5篇三明治
  • 5篇图像
  • 5篇溅射
  • 5篇发光器件
  • 5篇半导体材料
  • 5篇GAN基LE...

机构

  • 66篇浙江大学
  • 1篇上海航天电子...
  • 1篇浙江驰拓科技...

作者

  • 66篇程志渊
  • 19篇孙一军
  • 15篇孙颖
  • 15篇盛况
  • 11篇周强
  • 9篇刘艳华
  • 4篇刘志
  • 4篇陈露露
  • 2篇韩雁
  • 2篇陈韬
  • 2篇王安琦
  • 1篇蔡强
  • 1篇周彤

传媒

  • 1篇计算机测量与...
  • 1篇微纳电子与智...

年份

  • 16篇2024
  • 15篇2023
  • 9篇2022
  • 2篇2021
  • 2篇2020
  • 10篇2019
  • 7篇2018
  • 2篇2016
  • 3篇2015
共 66 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种用于复振幅调制的相位振幅解耦合调制器
本发明公开了一种用于复振幅调制的相位振幅解耦合调制器，至少包括第一调制层、第二调制层和相位振幅解耦合调制器，相位振幅解耦合调制器包括控制器、第一激励模块和第二激励模块；所述第一激励模块给第一调制像素单元输入独立的激励信号...
程志渊陈露露张以纯张哲宇崔钰莹
一种感光器件
本实用新型涉及一种感光器件，借助光从光密介质到光疏介质的全反射避免光串扰，减少了像元隔离部件中金属填充物的深度，从而降低隔离部件的宽度，大大提高了保证了芯片尺寸的有效利用。具体的，本实用新型包括至少两个相邻像元，以及隔离...
程志渊张哲宇褚衍盟
一种雪崩二极管
本发明提供一种雪崩二极管，通过引入第三电极，对雪崩区和吸收区的电场的调控，可以增强或减弱吸收区或者雪崩区的电场。具体的，可以增强或者降低吸收区或者雪崩区的电场强度，从而增加光子的吸收效率或者电子的雪崩概率，提升雪崩二极管...
程志渊褚衍盟张哲宇
一种用于高温氧化工艺的应力施加装置
本发明公开一种用于高温氧化工艺的应力施加装置,该装置包括基座、楔块以及单轴宽间距直筋压板、单轴窄间距直筋压板、双轴大直径圆筋压板、双轴小直径圆筋压板六个部分，基座内叠加单轴宽间距直筋压板、半导体基片、单轴窄间距直筋压板、...
孙家宝程志渊孙一军孙颖刘艳华王妹芳刘志谢石建陈长鸿
一种压缩率精确值计算方法
本发明涉及一种压缩率精确值计算方法。一种压缩率精确值计算方法，包括如下步骤：（1）对数据包中的n个数据块进行排序以获得其序列号N(i)；（2）根据访问频数缩减量S(i)，获得压缩的优先级P(i)；（3）基于采集的数据块原...
程志渊崔钰莹
一种纳米线发光器件及其制备方法
本发明提出一种纳米线发光器件及其制备方法，将至少包含一个发光区的纳米线集成于Si(100)衬底，形成高精度纳米线发光器件，克服了不能自组装形成异质的[100]纳米线的技术偏见，解决硅基集成纳米线发光阵列的技术瓶颈，使得单...
程志渊张林君查超飞张运炎
双相透明的相变材料及其制备方法
本发明提供一种双相透明的复合相变材料，其在结晶态和非结晶态下均具有高透明度，解决了现有的相变材料或复合相变材料在结晶态下透明度下降的问题。本申请所述的双相透明的复合相变材料，包括在非晶状态下呈现透明特性的芯材；所述芯材装...
程志渊张以纯王可佳
一种采用相变材料设计的非易失性显示单元和显示阵列
本发明公开了一种采用相变材料设计的非易失性显示单元，本发明设计了一种“三明治”结构的非易失性显示单元，这种“三明治”结构为上下两层导电电极与中间相变显示部分组成的结构。相变材料依靠不同电脉冲的热累积，具有可变化的相态结构...
吕延标程志渊
文献传递
一种微/纳米结构半导体及其制作方法
本发明提供了一种微/纳米结构半导体，在衬底规定出微/纳米结构半导体区域，在微/纳米结构半导体区域制备微/纳米结构；所述微/纳米结构半导体的控制方式为控制芯片独立控制单个微/纳米结构半导体区域的微/纳米结构；所述控制芯片与...
张运炎张林君褚衍盟程志渊
SCM介质存储模块的读方法写方法，以及存储控制器
本发明涉及一种表项，用于记载存储于存储级内存(Storage Class Memory，SCM)介质存储模块的流动数据的物理地址；所述流动数据为SCM介质存储模块中发生过迁移的数据；所述物理地址包括：流动数据迁移前的第一...
程志渊黄平洋张哲宇张以纯
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