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赵宏卫

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：东南大学电子科学与工程学院电子学研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇硅

机构

  • 1篇东南大学
  • 1篇南京电子器件...

作者

  • 1篇王保平
  • 1篇黄仲平
  • 1篇童林夙
  • 1篇蔡勇
  • 1篇汪琛
  • 1篇赵宏卫

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇1997
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
环形火山口式硅边缘阴极发射体特性研究被引量：2
1997年
本文首次提出了新型环形火山口式边缘阴极发射体结构．采用国内现有的半导体工艺制备了这种结构的阴极发射体和二极管阵列．在高超净室的大气和10－4Pa真空下测量了这种二极管阵列的I－V特性．大气下发射的开启电压大约为150伏，真空下的发射开启电压大约为70伏．最后还讨论了制备工艺中光刻套准偏差对发射的影响．分析结果表明偏心对发射的影响并不很明显．
赵宏卫汪琛黄仲平蔡勇王保平童林夙
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