李大维
- 作品数：10 被引量：5H指数：2
- 供职机构：太原理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金山西省科技重大专项国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程化学工程更多>>
- 一种基于炭化的超级电容器三维微电极的制备方法
- 本发明涉及微机电系统技术领域，具体为一种基于炭化的超级电容器三维微电极的制备方法，包括以下步骤：（1）硅片清洗烘干；（2）然后在硅片表面均匀旋涂SU‑8光刻胶；（3）将光刻胶进行光刻工艺处理，得到阵列结构；（4）将光刻好...
- 李刚赵清华胡杰李朋伟张文栋李大维桑胜波菅傲群段倩倩
- 文献传递
- SU-8胶高温碳化制备微电极研究
- 2018年
- 采用SU-8光刻胶为前驱体,控制转速在硅基上均匀旋涂SU-8胶薄膜,采用不同碳化温度制得微型微机电系统(MEMS)超级电容器多孔碳电极材料。研究结果表明:在碳化温度为900℃的条件下,制得的MEMS超级电容器多孔碳电极材料的孔隙结构发达、导电性较好,0.5mA/cm^2电流密度下比电容可达49.3mF/cm^2,在超级电容器电极材料领域具有较好的市场前景。
- 李大维李刚菅傲群
- 关键词：SU-8胶超级电容器微电极
- 一种可增加MEMS超级电容器电极比表面积的斜光刻方法
- 本发明提供了一种可增加MEMS超级电容器电极比表面积的斜光刻方法，包括如下步骤：首先在清洁烘干后的硅基底上旋涂一定厚度的光刻胶，然后将旋涂有光刻胶的硅片固定在一个特别设计的铸钢架上，钢架倾斜角度为15°，之后对硅片上的光...
- 李刚赵清华胡文秀李大维张君慧张文栋
- 文献传递
- SU-8胶三维微阵列制备及碳化研究
- 近年来，随着微机电系统（MEMS）技术的日趋成熟，可集成芯片级的储能元件需求量日益增加。碳基微超级电容器作为最常用的双电层原理的MEMS超级电容器，具有可集成、体积小、充放电效率高、循环性能极强等优点，成为芯片级片上元件...
- 李大维
- 关键词：SU-8光刻胶电极结构微机电系统电化学性能
- 基于SU‑8光刻胶的三维微电极制备方法
- 本发明涉及微机电系统（Micro Electro Mechanical System MEMS）技术领域，具体为基于SU‑8光刻胶的三维微电极制备方法，具体为：首先运用掺杂法在SU‑8光刻胶中掺杂纳米级的氯化铁颗粒，然后...
- 赵清华史健芳李刚郭丽芳李大维张君慧马洋淡富奎
- 文献传递
- 基于斜光刻技术的SU-8胶三维微阵列结构制备被引量：3
- 2016年
- 利用斜光刻技术替代传统的直光刻技术在相同底面积的基础上增大微阵列比表面积制备了高比表面积三维微阵列结构,。首先,利用MATLAB仿真对微阵列排布方式进行分析,确定最佳单个柱体宽度及阵列间距。实验中,采用两次甩胶法将SU-8光刻胶均匀旋涂在2寸硅基底上,甩胶转速设为1500 r/min,旋涂时间设为35 s;分别置于65℃烘台上保持20 min和95℃烘台上保持70 min进行两次前烘处理;随后进行双向斜曝光,微柱宽度为20μm,阵列间距为30μm,光刻角度为20°。最后,再通过高低温后烘处理并显影30 min成功制备出了结构稳定的"X"型三维微阵列结构。
- 李刚李大维赵清华菅傲群王开鹰胡杰桑胜波程再军孙伟
- 关键词：SU-8光刻胶比表面积
- 一种可增加MEMS超级电容器电极比表面积的斜光刻方法
- 本发明提供了一种可增加MEMS超级电容器电极比表面积的斜光刻方法，包括如下步骤：首先在清洁烘干后的硅基底上旋涂一定厚度的光刻胶，然后将旋涂有光刻胶的硅片固定在一个特别设计的铸钢架上，钢架倾斜角度为15°，之后对硅片上的光...
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- 一种基于炭化的超级电容器三维微电极的制备方法
- 本发明涉及微机电系统技术领域，具体为一种基于炭化的超级电容器三维微电极的制备方法，包括以下步骤：（1）硅片清洗烘干；（2）然后在硅片表面均匀旋涂SU-8光刻胶；（3）将光刻胶进行光刻工艺处理，得到阵列结构；（4）将光刻好...
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- 文献传递
- 基于两步法阳极氧化的TiO_2纳米管阵列制备研究被引量：2
- 2015年
- 采用低浓度的无机溶剂HF溶液（0.05%,质量分数）对溅射在硅基底上的400 nm钛薄膜进行阳极氧化制备TiO_2纳米管阵列,并利用SEM对制备出的TiO_2纳米管阵列进行表征。实验结果表明,通过优化阳极氧化电压幅值、电压施加方式和氧化时间,均可有效控制纳米管阵列的尺寸和形貌。首先施加0.5 V的低电压28 min,在低浓度的HF溶液中阳极氧化钛薄膜制备TiO_2纳米管阵列,其管径可达120 nm左右。在此基础上,对电压施加方式进行改进,提出两步法施加电压方式,并优化氧化时间,在硅基底钛薄膜上制备出管径为100~270 nm结构紧密有序的TiO_2纳米管阵列,明显优于钛薄膜在有机电解液中氧化制备的管径为70~100 nm的TiO_2纳米管阵列。
- 张君慧郭丽芳赵清华张文栋李大维李刚孙伟
- 关键词：硅基底阳极氧化TIO2纳米管阵列
- 基于SU-8光刻胶的三维微电极制备方法
- 本发明涉及微机电系统（Micro Electro Mechanical System MEMS）技术领域，具体为基于SU-8光刻胶的三维微电极制备方法，具体为：首先运用掺杂法在SU-8光刻胶中掺杂纳米级的氯化铁颗粒，然后...
- 赵清华史健芳李刚郭丽芳李大维张君慧马洋淡富奎
