夏燕飞
- 作品数：9 被引量：36H指数：3
- 供职机构：中国人民解放军海军工程大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 功率二极管短时续流反向恢复尖峰电压建模方法
- 本发明涉及电力电子器件建模领域，具体的是涉及功率二极管短时续流反向恢复尖峰电压建模方法。该方法基于功率二极管基本结构、半导体物理和电力电子变流装置的运行原理，通过建立功率二极管开通和关断瞬态的物理模型和行为模型，并通过二...
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- 文献传递
- 焊料层空洞对IGBT芯片温度分布影响分析被引量：5
- 2015年
- 基于IGBT七层结构,建立三维有限元模型,模拟研究焊料层空洞对芯片温度场的影响,讨论空洞对芯片结温作用机理。研究表明:焊料层空洞改变芯片散热途径,影响芯片温度分布;单个空洞越大,芯片结温越高,在中心和外边缘位置结温升高更加显著;对于多个空洞,分布越密集,结温越高。
- 夏燕飞罗毅飞汪波刘宾礼
- 关键词：有限元模型温度分布
- 功率二极管短时续流反向恢复尖峰电压建模方法
- 本发明涉及电力电子器件建模领域，具体的是涉及功率二极管短时续流反向恢复尖峰电压建模方法。该方法基于功率二极管基本结构、半导体物理和电力电子变流装置的运行原理，通过建立功率二极管开通和关断瞬态的物理模型和行为模型，并通过二...
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- 文献传递
- 基于集射极饱和压降与焊料层空洞率的IGBT健康状态监测方法
- 本发明属于电力电子器件与装置可靠性技术领域，具体涉及一种基于集射极饱和压降与焊料层空洞率的IGBT健康状态监测方法。安装调试完毕后，投入使用之前，在一定条件下测试IGBT器件的集射极饱和压降与焊料层空洞率并标记初始值；器...
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- 基于集电极漏电流的IGBT健康状态监测方法
- 本发明提供了一种IGBT集电极漏电流健康状态监测方法，包括以下步骤首先经检测合格的IGBT模块，安装调试完毕，投入使用之前，在一定条件下测试其集电极漏电流并记录为初始值；定期测试IGBT器件的集电极漏电流并记录为测试值；...
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- 文献传递
- 基于电压对电流变化率的IGBT结温变化机理及监测方法被引量：15
- 2017年
- 为了有效监测IGBT的工作结温,通过机理分析提出了一种基于电压对电流变化率的结温在线监测方法。首先基于半导体物理论述了IGBT饱和压降UCE与电流ICE的关系,得到了UCE、ICE与结温的对应关系,然后分析了结温对d UCE/d ICE的影响机理,进一步得到d UCE/d ICE随结温的变化规律,且所得规律不受电压、电流绝对值以及负载的影响。实验结果表明:在IGBT饱和工作区内随着结温的升高,d UCE/d ICE呈正比例增大,d UCE/d ICE与结温之间表现出良好的线性唯一对应关系,UCE在电流不变的条件下与结温也呈线性关系,并进一步得到了完整的UCE、ICE与结温的3维关系曲线,验证了机理分析。因此可通过监测d UCE/d ICE的值来有效表征IGBT的实时结温,该方法不受负载影响,更易实现。
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- 关键词：饱和压降
- 焊料层空洞对IGBT器件热稳定性的影响被引量：18
- 2018年
- 为了查明封装疲劳对绝缘栅双极型晶体管（IGBT）热特性的影响,从封装结构的角度分析了焊料层空洞对IGBT器件热稳定性的影响规律。首先建立了IGBT芯片封装的有限元模型,然后结合传热学分析了焊料层空洞大小、位置以及分布对IGBT芯片最高结温的影响规律并进行了仿真,最后基于加速寿命实验进行了验证。结果表明：空洞率相同时,芯片对角线上的空洞对芯片最高结温的影响最大;位置相同时,芯片顶点位置空洞大小的变化对芯片最高结温的影响最大;2种情况下,单个空洞的影响均大于相同空洞率下的空洞分布影响,而空洞分布中的中心集中分布对芯片最高结温的影响最大;芯片最高结温随空洞率增大而近似呈线性关系增大,芯片结壳热阻与空洞率也近似呈线性关系增大,验证了理论分析的正确性。研究结论可从封装疲劳的角度对IGBT尽限应用提供指导。
- 肖飞罗毅飞刘宾礼夏燕飞
- 关键词：空洞率结温
- 基于集电极漏电流的IGBT健康状态监测方法
- 本发明提供了一种IGBT集电极漏电流健康状态监测方法，包括以下步骤首先经检测合格的IGBT模块，安装调试完毕，投入使用之前，在一定条件下测试其集电极漏电流并记录为初始值；定期测试IGBT器件的集电极漏电流并记录为测试值；...
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- 文献传递
- 基于集射极饱和压降与焊料层空洞率的IGBT健康状态监测方法
- 本发明属于电力电子器件与装置可靠性技术领域，具体涉及一种基于集射极饱和压降与焊料层空洞率的IGBT健康状态监测方法。安装调试完毕后，投入使用之前，在一定条件下测试IGBT器件的集射极饱和压降与焊料层空洞率并标记初始值；器...
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