苏小强
- 作品数：6 被引量：1H指数：1
- 供职机构：深圳大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信理学更多>>
- 一种掺氟氧化亚铜薄膜及其制备方法
- 本发明公开一种掺氟氧化亚铜薄膜及其制备方法，其中，所述方法包括步骤：A、将铜靶安装在磁控溅射设备的靶位上，通入高纯氧气和高纯氩气进行反应性共溅射，生成氧化亚铜薄膜；B、将所述氧化亚铜薄膜放入管式炉中，采用热扩散方法将Cu...
- 叶凡蔡兴民苏小强范平张东平
- 一种n型氧化亚铜薄膜及其制备方法
- 本发明公开了一种n型氧化亚铜及其制备方法，其中，所述制备方法采用反应性双靶共溅射的方法，以铜靶材和铟靶材作为溅射靶材，以硅片或K9玻璃作为衬底，以高纯氧气和氩气作为溅射气体；所述溅射铜靶材的纯度为99.99%，铟靶材的纯...
- 叶凡蔡兴民王欢苏小强范平张东平罗景庭郑壮豪梁广兴
- 一种n型氧化亚铜薄膜及其制备方法
- 本发明公开了一种n型氧化亚铜及其制备方法，其中，所述制备方法采用反应性双靶共溅射的方法，以铜靶材和铟靶材作为溅射靶材，以硅片或K9玻璃作为衬底，以高纯氧气和氩气作为溅射气体；所述溅射铜靶材的纯度为99.99%，铟靶材的纯...
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- 文献传递
- 一种掺氟氧化亚铜薄膜及其制备方法
- 本发明公开一种掺氟氧化亚铜薄膜及其制备方法，其中，所述方法包括步骤：A、将铜靶安装在磁控溅射设备的靶位上，通入高纯氧气和高纯氩气进行反应性共溅射，生成氧化亚铜薄膜；B、将所述氧化亚铜薄膜放入管式炉中，采用热扩散方法将Cu...
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- 文献传递
- AlGaN纳米线的化学气相沉积制备及表征
- 2015年
- 以Ga、金属Al颗粒或AlCl3·6H2O粉末及NH3为原料,利用化学气相沉积法生长AlxGa1-xN纳米线.研究发现,气体的流速、基底有无催化剂、原材料及生长温度等都对其生长有影响.在总流量固定的前提下,较高的NH3流量比会在基底上生长出致密的AlxGa1-xN纳米线.同样生长条件下,在未经催化剂处理的Si基底表面没有观察到纳米线.对于蓝宝石基底,催化剂存在与否都会生长出AlxGa1-xN纳米线.研究表明,原材料对于AlxGa1-xN纳米线的生长和性能都有影响.相比于AlCl3,以金属Al颗粒作为Al源,AlxGa1-xN纳米线能够在较大的温度范围内生长,且有较好的光致发光特性.
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- 关键词：无机非金属材料低维材料化合物半导体纳米线化学气相沉积
- 铟锌共掺及掺氟氧化亚铜的制备与性能的研究
- CuO是一种应用前景广泛的直接带隙半导体材料。它的光学带隙约为2.1eV,具有储量广、无毒性、长期稳定等特点,适合应用于太阳能电池、光催化等领域。本征CuO为p型导电的半导体,如何制备n型CuO、改变光学带宽、实现pn同...
- 苏小强
- 关键词：直流反应磁控溅射共掺杂热扩散光电性能
- 文献传递
