赵升
- 作品数：6 被引量：16H指数：3
- 供职机构：山东农业大学园艺科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家现代农业产业技术体系建设项目国家科技支撑计划更多>>
- 相关领域：农业科学更多>>
- 砧木南瓜硅转运蛋白基因CmLsi3的克隆与表达分析被引量：6
- 2015年
- 以用于黄瓜嫁接的砧木南瓜‘云南黑籽南瓜’(Cucurbita ficifolia,去蜡粉能力弱)和‘黄诚根2号’(C.moschata,去蜡粉能力强)为试材,采用同源克隆与RACE相结合的方法克隆到硅转运蛋白基因c DNA全长,命名为CmL si3(Gen Bank登录号分别为KM203110和KM359142)。两种砧木南瓜Cm Lsi3基因c DNA全长为1 206 bp,开放阅读框为795 bp,编码264个氨基酸,两者仅有4个位点的氨基酸不同,但与黄瓜、玉米、大麦等作物硅转运蛋白氨基酸序列同源性均在50%以上。CmL si3蛋白含有2个NPA模体、6个跨膜结构域以及1个由Gly(G)、Ser(S)、Gly(G)和Arg(R)组成的ar/R选择性过滤器,属于水通道蛋白NIPⅢ亚家族。实时荧光定量分析表明,Cm Lsi3基因在砧木南瓜根、茎、叶中均有表达,且‘云南黑籽南瓜’各器官Cm Lsi3基因的表达水平高于‘黄诚根2号’。
- 王慧赵升魏珉王秀峰史庆华杨凤娟
- 关键词：南瓜克隆
- 黄瓜果实表面蜡粉形成机制的初步研究
- 黄瓜果面蜡粉的多少是果实品质的重要内容，无蜡粉和少蜡粉黄瓜深受市场欢迎，但针对蜡粉形成的分子机制研究较少。为此，我们通过利用不同吸硅能力的砧木南瓜嫁接和调控营养液中的硅浓度，对不同发育阶段的黄瓜蜡粉结构进行了观察，对特定...
- 赵升王慧魏珉王秀峰史庆华杨凤娟
- 关键词：黄瓜蜡粉硅嫁接差异表达谱
- 环境条件对黄瓜硅吸收分配和果面蜡粉形成的影响被引量：2
- 2020年
- 为探明环境条件影响黄瓜果面蜡粉形成的机制,以‘山农5号’黄瓜为接穗,‘黄诚根2号’南瓜(去蜡粉能力强)和‘云南黒籽南瓜’(去蜡粉能力弱)为砧木进行嫁接,在日光温室不同栽培茬口(冬春茬和秋冬茬)下研究了硅吸收分配和果面蜡粉量差异,并在人工气候室内模拟不同季节环境条件[T1:温度28℃/18℃(昼/夜),相对湿度55%/65%,光照强度600μmol·m-2·s-1;T2:温度22℃/12℃(昼/夜),相对湿度85%/95%,光照强度300μmol·m-2·s-1],研究其对硅吸收分配和硅转运蛋白基因表达的影响。结果表明:日光温室栽培条件下,与秋冬茬相比,冬春茬黄瓜商品成熟果实表面蜡粉量显著增加,其中以‘云南黑籽南瓜’嫁接黄瓜受影响较大,自根黄瓜和‘黄诚根2号’嫁接黄瓜受影响较小;相同栽培季节,均以‘云南黑籽南瓜’嫁接黄瓜果面蜡粉量和器官硅含量最多,自根黄瓜次之,‘黄诚根2号’嫁接黄瓜最少。人工气候室内,T1环境下黄瓜各器官硅含量、叶片和根系硅转运蛋白基因表达量均高于T2;相同环境条件下,黄瓜各器官硅含量和叶片硅转运蛋白基因表达量均为‘云南黑籽南瓜’嫁接黄瓜>自根黄瓜>‘黄诚根2号’嫁接黄瓜。综上,环境条件改变了黄瓜植株对硅的吸收分配,进而影响果面蜡粉形成,适宜的环境条件有利于减少果面蜡粉量;高温、强光、低湿环境导致黄瓜果面蜡粉量增多,砧木对嫁接黄瓜硅吸收和果面蜡粉形成有显著影响。
- 周鑫冯改利李治红刘淑侠赵升李岩魏珉
- 关键词：黄瓜蜡粉嫁接
- 外源硅和嫁接砧木对黄瓜幼苗生长及硅吸收分配的影响被引量：3
- 2019年
- 选用砧木‘云南黑籽南瓜’和‘黄诚根 2 号’嫁接‘新泰密刺’黄瓜,以自根黄瓜为对照,在人工气候室内采用水培法研究了不同外源硅浓度下幼苗的光合特性、生物量积累及硅吸收分配特性。结果表明:低浓度外源硅(0.085 和 0.17mmol/L)提高幼苗的光合速率、蒸腾速率和生物量,高浓度外源硅(1.7 mmol/L)起到抑制作用;器官硅含量随外源硅浓度升高而增加,不同器官中硅含量为叶片>根系>茎;植株对硅的吸收速率为‘云南黑籽南瓜’嫁接黄瓜>自根黄瓜>‘黄诚根 2 号’嫁接黄瓜,相同硅浓度下器官中硅含量呈现相同变化规律。嫁接和适量外源硅可以促进黄瓜幼苗生长,嫁接砧木会改变植株对硅的吸收分配特性。
- 刘淑侠周鑫李治红赵升冯改利李岩魏珉
- 关键词：硅嫁接砧木黄瓜
- 外源硅对不同砧木嫁接黄瓜果面蜡粉和硅吸收及相关基因表达的影响被引量：6
- 2018年
- 为探明砧木影响嫁接黄瓜果面蜡粉形成的机制以及与外源硅的关系,以‘山农5号’黄瓜为接穗,‘云南黑籽南瓜’(去蜡粉能力弱)和‘黄诚根2号’南瓜(去蜡粉能力强)为砧木进行嫁接,采用水培法,研究营养液中添加硅与否对黄瓜硅吸收、硅转运蛋白相关基因表达和果实表面蜡粉形成的影响。结果表明:加硅显著提高了‘云南黑籽南瓜’嫁接黄瓜和自根黄瓜果面蜡粉量及各器官硅含量,但加硅后‘黄诚根2号’嫁接黄瓜的果面蜡粉量和各器官硅含量均较低,与不加硅条件下的嫁接和自根黄瓜相近;加硅处理后‘云南黑籽南瓜’嫁接黄瓜苗根系中硅转运蛋白基因Cm Lsi1、Cm Lsi2-1、Cm Lsi2-2和Cm Lsi3的表达量均高于‘黄诚根2号’嫁接黄瓜苗;随着硅处理时间延长,‘云南黑籽南瓜’嫁接黄瓜苗根系中硅转运蛋白基因表达下调,而‘黄诚根2号’嫁接黄瓜苗根系中硅转运蛋白基因的表达同样下调。
- 赵升李治红沈琼王慧周鑫魏珉
- 关键词：黄瓜嫁接砧木蜡粉硅
- 环境条件和外源硅浓度对黄瓜硅吸收分配的影响被引量：4
- 2019年
- 【目的】研究不同环境条件和根际硅水平对黄瓜硅主动和被动吸收过程的影响。【方法】以‘新泰密刺’黄瓜为试材,在人工气候室内采用水培法,设置4种环境条件:1) T1,昼/夜温度22℃/12℃、相对湿度85%/95%、光照强度300μmol/(m^2·s);2) T2,昼/夜温度22℃/12℃、相对湿度85%/95%,光照强度600μmol/(m^2·s);3) T3,昼/夜温度28℃/18℃,相对湿度55%/65%、光照强度300μmol/(m^2·s);4) T4,昼/夜温度28℃/18℃、相对湿度55%/65%、光照强度600μmol/(m^2·s)。硅吸收动力学试验营养液设置为10个Si处理浓度,依次为0、0.085、0.17、0.34、0.51、0.68、0.85、1.02、1.36、1.70 mmol/L,硅吸收分配试验设置3个硅浓度为0.085、0.17、1.7 mmol/L。【结果】不同环境条件下黄瓜对硅的吸收速率及器官中硅含量均为T4> T3> T2> T1处理;低外源硅浓度(0.085和0.17 mmol/L)下,黄瓜硅吸收在T1、T2、T3处理环境中以主动过程为主,在T4处理环境中以被动过程为主;高外源硅浓度(1.7 mmol/L)下,4种环境条件下的硅吸收均以被动过程为主;相同温度条件,强光下被动吸收的占比大于弱光,相同光照条件,高温下被动吸收的占比大于低温;相同环境条件下,随着外源硅浓度的增加,黄瓜对硅的被动吸收量和总吸收量均呈上升趋势,且被动吸收的占比增加。【结论】环境条件和外源硅水平影响黄瓜对硅的主动和被动吸收过程,高温、强光及高外源硅浓度提高黄瓜被动吸收硅的比例。
- 刘淑侠李治红周鑫赵升李岩魏珉
- 关键词：黄瓜
