陈政宇
- 作品数：188 被引量：208H指数：6
- 供职机构：清华大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家电网公司科技项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信文化科学自动化与计算机技术更多>>
- 一种应用于混合式直流断路器的门极换流晶闸管芯片
- 本发明涉及一种应用于混合式直流断路器的门极换流晶闸管芯片，属于半导体集成电路技术领域，该芯片包括阴极金属电极、门极金属电极和阳极金属电极，所述阴极、门极和阳极，均通过金属电极同外在的驱动电路相连接；该芯片的阴极面由多个同...
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- 适用于芯片测试系统的测试平台
- 本发明公开了一种适用于芯片测试系统的测试平台，包括：承片台，其上设置待测试芯片；至少一测试座，装设于所述承片台上；转接板，电性连接于所述测试座及测试电路；其中，所述待测芯片根据驱动信号进行动作后，所述测试座通过探针或键合...
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- 应用于压接型MOSFET的压装结构
- 一种应用于压接型MOSFET的压装结构，包括第一铜块，弹性结构，压接型MOSFET，电路板和第二铜块。其中，多个压接型MOSFET能够形成并联阵列，排布成环形或矩阵型。所述压装结构的结构简单、紧凑，通流能力和散热能力增强...
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- 验证高压直流输电混合换流器功能的测试回路
- 本实用新型提供验证高压直流输电混合换流器功能的测试回路，所述测试回路中，主支路包括直流电容充电和放电支路A，主支路直流电容C1，主支路电感Li，晶闸管阀串S<Sub>1</Sub>‑S<Sub>NS</Sub>和可关断管...
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- 一种具有边缘深结结构的晶圆芯片结构
- 本实用新型提供一种具有边缘深结结构的晶圆芯片结构，包括：由所述芯片的中心径向朝向所述芯片的边缘依次设置的平面结构区域和边缘深结区域，所述平面结构区域和边缘深结区域均包括相互贴合的第一层结构和第二层结构；在所述边缘深结区域...
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- 基于IGCT串联的10kV直流混合断路器研究被引量：44
- 2016年
- 直流断路器是直流系统组网的关键设备。该文针对直流断路器工作模式对集成门极换流晶闸管(integrated gate commutated thyristors,IGCT)特性进行研究,首先结合仿真与实验结果,分析了母线电压、关断电流、缓冲阻容及杂散电感等因素对IGCT关断动态特性的影响。然后以两IGCT串联系统为例,研究了缓冲阻容、杂散电感差异和触发时间差异对串联均压特性的影响。结果表明,触发时间差异对均压效果影响最大,串联系统应尽量保证所选器件和阀体杂散参数的一致性,并通过调整触发时间等方法改善均压效果。接着,该文给出一种自然换流型混合断路器方案,与已有串联辅助开关的方案相比,该方案通态损耗几乎为零、不需水冷散热、控制逻辑简单、系统可靠性高。基于IGCT动态特性和均压特性分析,该文选取合适参数,搭建了4个IGCT串联开关支路,并完成母线电压10 kV、关断电流3.5 kA开通关断实验,不均压系数约为5%。结合快速机械开关,设计并实现了10 kV自然换流型直流混合断路器,完成了关断电流3.6 kA的整体实验,关断过电压21.4 kV,验证了该方案的可行性。近期还完成了40 kV/3.4 kA的实验,为中高压直流断路器的实际工程应用奠定了坚实基础。
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- 关键词：集成门极换流晶闸管自然换流
- 一种功率半导体器件管壳
- 本发明公开了一种功率半导体器件管壳，由阳极管壳、阴极管壳以及绝缘环形成放置半导体芯片的空腔，其中，所述阳极管壳通过阳极接触片与半导体芯片的阳极接触，所述阴极管壳通过阴极接触片与半导体芯片的阴极接触，所述阴极管壳包括阴极底...
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- 一种可关断换流器的缓冲均压电路及换流器拓扑结构
- 本发明适用于换流器领域，提供了一种可关断换流器的缓冲均压电路及换流器拓扑结构，所述缓冲均压电路包括缓冲电路和均压电路，所述缓冲电路和均压电路并联；所述缓冲电路包括与可关断器件并联的电容电阻支路和缓冲支路；所述电容电阻支路...
- 余占清曾嵘许超群王宗泽张松陈政宇吴锦鹏刘佳鹏赵彪屈鲁任春频庄池杰
- 具有分离式门极驱动的可关断晶闸管器件
- 本发明公开了一种具有分离式门极驱动的可关断晶闸管器件，包括：可关断晶闸管管壳及附属接口板、门极驱动板及连接结构；可关断晶闸管管壳与附属接口板之间采用低感集成式连接方式进行连接；门极驱动板包含驱动电路模块；通过所述连接结构...
- 曾嵘陈政宇尚杰赵彪余占清刘佳鹏周文鹏
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- 断路器、断路系统、电力系统以及操作方法
- 本发明涉及一种断路器、断路系统、电力系统以及操作方法。本公开涉及断路器以及包括断路器的断路系统。本公开公开了一种断路器，该断路器包括：可关断电路，包括能够在第一方向上导通和关断的第一支路和能够在与第一方向相反的第二方向上...
- 曾嵘余占清张翔宇陈政宇魏天予吕纲黄瑜珑庄池杰
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