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张正璠

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：四川固体电路研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇外延层
  • 1篇保护环
  • 1篇闭锁
  • 1篇CMOS
  • 1篇IC

机构

  • 1篇四川固体电路...

作者

  • 1篇张正璠

传媒

  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇1990
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
消除CMOS IC闭锁的外延加双保护环技术被引量：1
1990年
本文简要描述了CMOS集成电路的闭锁机理,提出了消除CMOS集成电路闭锁的n^-/n^+外延加双保护环结构;把这种结构用于CC4066电路,在5.6×10~8Gy/s的γ瞬时剂量率下进行辐照实验,电路均不发生闭锁。最后得出,外延加双保护环结构,对中小规模电路而言,是一种消除CMOS电路闭锁的有效方法。
张正璠
关键词：CMOSIC闭锁外延层保护环
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