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魏思航

作品数：10 被引量：6H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学机械工程电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇机械工程
  • 2篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 6篇激光
  • 6篇激光器
  • 4篇红外
  • 4篇半导体
  • 4篇半导体激光
  • 4篇半导体激光器
  • 4篇波导
  • 2篇等离子体
  • 2篇电子束曝光
  • 2篇调谐
  • 2篇调谐激光器
  • 2篇增益
  • 2篇中红外
  • 2篇湿法
  • 2篇探测率
  • 2篇探测器
  • 2篇探测器材料
  • 2篇缺陷层
  • 2篇外延片
  • 2篇红外材料

机构

  • 10篇中国科学院
  • 1篇中国科学技术...

作者

  • 10篇牛智川
  • 10篇魏思航
  • 6篇张宇
  • 6篇廖永平
  • 5篇徐应强
  • 4篇倪海桥
  • 2篇徐建星
  • 2篇査国伟
  • 2篇汪韬
  • 2篇贺振宏
  • 2篇张立春
  • 2篇王国伟
  • 1篇尚向军
  • 1篇邢军亮

传媒

  • 1篇中国激光
  • 1篇第十一届全国...

年份

  • 1篇2021
  • 2篇2019
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 4篇2015
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
红外探测器光陷阱结构的制备方法
本发明公开了一种红外探测器光陷阱结构的制备方法，通过干湿法刻蚀与腐蚀工艺结合，实现电子束曝光胶层、金属掩膜以及SiO<Sub>2</Sub>掩膜等多层掩膜之间的图形相互转移，最终将光陷阱结构较高精度地转移至红外材料层。本...
郭春妍魏思航蒋洞微王国伟徐应强汪韬牛智川
文献传递
四波长输出半导体激光器及其制备方法
一种四波长输出半导体激光器及其制备方法，该激光器为近红外边发射激光器，采用上下DBR带代替现有上下限制层结构，且利用在一维光子晶体中插入缺陷层，实现将光子带隙中的光限制在缺陷层的效果，具体包括：GaAs衬底、下DBR层、...
魏思航张宇廖永平倪海桥牛智川
一种半导体激光器及其制备方法
本发明公开了一种单模大功率高亮度GaSb基布拉格反射器MOPA集成半导体激光器及其制备方法，该布拉格反射MOPA集成半导体激光器包括：衬底，外延结构，其生长所述衬底上，由下至上包括：N型下接触层、N型下限制层、下波导层、...
杨成奥张宇廖永平魏思航徐应强牛智川
文献传递
红外探测器光陷阱结构的制备方法
本发明公开了一种红外探测器光陷阱结构的制备方法，通过干湿法刻蚀与腐蚀工艺结合，实现电子束曝光胶层、金属掩膜以及SiO<Sub>2</Sub>掩膜等多层掩膜之间的图形相互转移，最终将光陷阱结构较高精度地转移至红外材料层。本...
郭春妍魏思航蒋洞微王国伟徐应强汪韬牛智川
文献传递
GaAs基二维电子气等离子体震荡太赫兹探测器的方法
一种GaAs基二维电子气等离子体震荡太赫兹探测器的方法，包括：制作光刻掩模板，共四块，该光刻掩模板包括蝴蝶结天线；在GaAs衬底上制作外延片；在外延片的表面蒸镀SiO<Sub>2</Sub>薄膜；在SiO<Sub>2</...
徐建星査国伟张立春魏思航倪海桥贺振宏牛智川
文献传递
1.08um长吸收区InGaAs/GaAs量子阱皮秒激光器
报道了一种两段式1.08um InGaAs量子阱锁摸激光器.量子阱材料由MBE生长，可饱和吸收区和增益区经过重新设计.可饱和吸收区作为被动锁摸的关键部分，可以针对更高的功率或更短的脉宽做不同的优化.当增加吸收区长度时，锁...
魏思航廖永平郝宏玥张宇尚向军牛智川
四波长输出半导体激光器及其制备方法
一种四波长输出半导体激光器及其制备方法，该激光器为近红外边发射激光器，采用上下DBR带代替现有上下限制层结构，且利用在一维光子晶体中插入缺陷层，实现将光子带隙中的光限制在缺陷层的效果，具体包括：GaAs衬底、下DBR层、...
魏思航张宇廖永平倪海桥牛智川
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一种大功率1.8‑4μm半导体激光器及其制备方法
本发明提供一种大功率1.8‑4μm半导体激光器及其制备方法，涉及中红外激光器技术领域。本发明所述的激光器包括：有源区(包括InGaAsSb量子阱或AlGaInAsSb势垒层)、非掺杂AlGaInAsSb上波导层、绝缘层等...
廖永平张宇魏思航郝宏玥徐应强牛智川
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GaAs基二维电子气等离子体震荡太赫兹探测器的方法
一种GaAs基二维电子气等离子体震荡太赫兹探测器的方法，包括：制作光刻掩模板，共四块，该光刻掩模板包括蝴蝶结天线；在GaAs衬底上制作外延片；在外延片的表面蒸镀SiO<Sub>2</Sub>薄膜；在SiO<Sub>2</...
徐建星査国伟张立春魏思航倪海桥贺振宏牛智川
文献传递
锑化镓基量子阱2μm大功率激光器被引量：6
2015年
使用固态源MBE系统进行锑化镓基量子阱激光器结构的外延生长，通过优化稳定生长条件，结合标准宽条形激光器制备工艺，获得了在15工作温度下823mW的连续光输出，注入电流0．5A时，峰值波长为1．98μm。在1000Hz，5％占空比的脉冲工作模式下，最大脉冲功率达到1．868W。
廖永平张宇邢军亮杨成奥魏思航郝宏玥徐应强牛智川
关键词：激光器中红外大功率光电对抗
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