为分析镁合金表面膜的活性位置,建立起镁负极的点蚀破坏与电化学特性的关联性,本文采用循环伏安和电化学阻抗技术研究了AZ镁合金在MgSO_4溶液中的点蚀行为,从电解质浓度、电位扫描速度、阴极极化角度探讨腐蚀膜对镁合金点蚀的影响。电化学阻抗谱由两个连续容抗弧构成,其电荷转移电阻和膜电阻均随MgSO_4溶液浓度增大而减小,当MgSO_4溶液浓度为1.5 mol/L时,AZ31B合金表面膜阻抗最低,容易发生点蚀。扫描速率从3.3 m V/s下降至0.17 m V/s时,AZ63合金点蚀滞后环面积先增加后减小,击穿电位负移。控制阴极极化起始电位负移,则击穿电位降低,滞后环的面积增加,AZ镁合金的点蚀倾向变大;而在阴极过电位下停留可降低表面膜的腐蚀破坏程度,有利于抑制镁合金点腐蚀的发展。
